Андре́й Константи́нович Гейм (нидерл. Andre Geim; род. 21 октября 1958[1], Сочи) — советский, нидерландский и британский физик, лауреат Нобелевской премии по физике 2010 года (совместно с Константином Новосёловым), известен в первую очередь как один из разработчиков первого метода получения графена[2][3]. В 2011 году указом королевы Великобритании Елизаветы II за заслуги перед наукой ему присвоено звание рыцаря-бакалавра с официальным правом прибавлять к своему имени титул «сэр»[4]. Член Лондонского королевского общества (2007)[5] и иностранный член НАН США (2012).
Родился в 1958 году в Сочи, в семье инженеров немецкого происхождения[6] (единственным известным Гейму исключением среди его немецких предков была прапрабабка с материнской стороны, которая была еврейкой[7][8]). Гейм считает себя европейцем и полагает, что не нуждается в более подробной «таксономии»[8]. В 1964 году семья переехала в Нальчик.
Отец, Константин Алексеевич Гейм (1910—1998)[9], с 1964 года работал главным инженером Нальчикского электровакуумного завода[10]; мать, Нина Николаевна Байер (1927—?), работала главным технологом там же[10]. Единокровный брат матери — известный физик-теоретик Владимир Николаевич Байер, сын Николая Николаевича Байера, деда Андрея Гейма.
В 1975 году Андрей Гейм окончил с золотой медалью среднюю школу № 3 города Нальчика[9][10] и пытался поступить в МИФИ, но неудачно (препятствием явилось немецкое происхождение абитуриента)[9]. Вернувшись в Нальчик, проработал 8 месяцев на Нальчикском электровакуумном заводе[1]. В это время познакомился с В. Г. Петросяном и занимался у него усиленной подготовкой по физике[11].
В 1976 году поступил в Московский физико-технический институт. До 1982 года обучался на факультете общей и прикладной физики, окончил с отличием («четвёрка» в дипломе только по политэкономии социализма) и поступил в аспирантуру. В 1987 году получил степень кандидата физико-математических наук в Институте физики твёрдого тела РАН, защитив диссертацию на тему «Исследование механизмов транспортной релаксации в металлах методом геликонного резонанса» под руководством В. Т. Петрашова[12]. Работал научным сотрудником в ИФТТ АН СССР и в Институте проблем технологии микроэлектроники АН СССР[13].