Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) был создан в 1993 году (Постановление Президиума РАН № 173 от 28 сентября 1993) на базе Отделения физики твёрдого тела Института прикладной физики РАН. Первым директором института стал С. В. Гапонов (член-корр. РАН — с 1994 г., академик — с 2008 г., с 2009 г. — советник РАН). В 2009 году ИФМ РАН возглавил профессор З. Ф. Красильник, в 2015 году — профессор В. И. Гавриленко, в 2016 году — снова З. Ф. Красильник. В 2020 году исполняющим обязанности директора вновь стал В. И. Гавриленко, а в 2021 году институт возглавил А. В. Новиков.
ИФМ РАН входит в состав Отделения физических наук Российской академии наук, c 2009 по 2016 годы — в состав Нижегородского научного центра РАН (ННЦ РАН).
В институте проводятся фундаментальные научные исследования в области физики поверхности, твердотельных наноструктур, сверхпроводимости и многослойной рентгеновской оптики, а также технологии и применения тонких плёнок, поверхностных и многослойных структур.
В ИФМ РАН работают 275 сотрудников, из них более 140 научных сотрудников (21 доктор и 73 кандидата наук, 8 лауреатов Государственной премии, 1 лауреат Государственной премии Российской Федерации для молодых учёных).
Институт состоит из 6 научных отделов и 8 инженерных, финансовых и хозяйственных подразделений. В состав института входят научно-образовательный центр (НОЦ), Центр коллективного пользования (ЦКП) и макетная мастерская.
Основные направления деятельности отдела — развитие кремниевой оптоэлектроники ближнего ИК диапазона и освоение терагерцового диапазона с использованием полупроводниковых наноструктур. Развиваются методы молекулярно-пучковой эпитаксии светоизлучающих структур на основе SiGe/Si и Si: Er/Si, исследуются механизмы излучения и поглощения света этими структурами в ближнем ИК-диапазоне, физические принципы фотоприёмников, светодиодов и лазеров на их основе. Ведутся работы по обнаружению и изучению стимулированного излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазона длин волн в дырочном германии.