Ионная имплантация
Ио́нная импланта́ция — способ введения атомов примесей (имплантата) в поверхностный слой материала, например, пластины полупроводника или эпитаксиальной плёнки путём бомбардировки его поверхности пучком ионов с высокой энергией (10—2000 кэВ).
Широко используется при создании полупроводниковых приборов методом планарной технологии. В этом качестве применяется для образования в приповерхностном слое полупроводника областей с содержанием донорных или акцепторных примесей с целью создания p-n-переходов и гетеропереходов, а также низкоомных контактов.
Ионную имплантацию также применяют как метод легирования металлов для изменения их физических и химических свойств (повышения твёрдости, износостойкости, коррозионной стойкости и т. д.).
Ионная имплантация в материалы высокотемпературных сверхпроводников семейства , — редкоземельный металл, используется для создания центров пиннинга, повышающих плотность критического тока.
Основными составными частями ионно-лучевой установки являются источник ионов, ионный ускоритель, магнитный сепаратор, работающий по принципу масс-спектрографа, система сканирования пучком ионов, и камера, в которой находится облучаемый образец.
Ионы имплантируемого материала разгоняются в ускорителе электростатическом полем и бомбардируют образец.