МОП-транзи́стор, или Полево́й (униполя́рный) транзи́стор с изоли́рованным затво́ром (англ. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, сокращённо «MOSFET») — полупроводниковый прибор, разновидность полевых транзисторов. Аббревиатура МОП образована от слов «металл-оксид-полупроводник», обозначающих последовательность типов материалов в основной части прибора.
Поскольку МОП-транзистор является наиболее значимым прибором из тех, где задействуется такая последовательность, для него как синоним иногда используют понятие «МОП-структура», что не вполне корректно.
МОП-транзистор имеет три вывода: затвор, исток, сток (см. рис.). Тыльный контакт (B) обычно соединяется с истоком. В области вблизи поверхности полупроводника создаётся при изготовлении или индуцируется (возникает при приложении напряжений) так называемый канал. Величина тока в нём (тока исток—сток) зависит от напряжений исток—затвор и исток—сток.
Полупроводниковым материалом чаще всего является кремний (Si), а металлический затвор отделяется от канала тонким слоем изолятора[1] — диоксида кремния (SiO2). Если SiO2 заменён неоксидным диэлектриком (Д), используется название МДП-транзистор (англ. MISFET, I = insulator).
В отличие от биполярных транзисторов, которые управляются током, транзисторы с изолированным затвором управляются напряжением, так как затвор изолирован от стока и истока; такие транзисторы обладают очень высоким входным сопротивлением.
МОП-транзисторы — основа современной электроники. Они являются самым массово производимым промышленным изделием, эти транзисторы используются в современных цифровых микросхемах, являясь основой КМОП-технологии.