Стишов, Сергей Михайлович


Сергей Михайлович Стишов (род. 12 декабря 1937, Москва) — советский и российский физик-экспериментатор. Академик РАН (с 2008 года). Заведующий кафедрой физики конденсированного состояния вещества в экстремальных условиях в МФТИ. Директор ИФВД РАН (1993—2016).

Специалист в области физики фазовых переходов, физики высоких давлений и техники эксперимента. Имеет около 2000 цитирований своих работ. Индекс Хирша — 21[1].

В 1955 году поступил на геологический факультет МГУ. Уже в университете начал заниматься наукой. После окончания факультета поступил в аспирантуру МГУ. В 1962 году защитил кандидатскую диссертацию, после чего был устроен на работу в Институт кристаллографии. С 1993 года занимает должность директора Института физики высоких давлений РАН.

В 1961 году, будучи аспирантом, получил и исследовал новую модификацию кремнезёма, которая вскоре была обнаружена в Аризонском метеоритном кратере и названа в его честь стишовитом[2].

В Институте кристаллографии в начале 1960-х годов выполнил цикл работ по исследованию открытых им с коллегами температурных максимумов на кривых плавления некоторых веществ. В конце 1960-х — начале 1970-х годов экспериментально установил универсальный закон изменения термодинамических величин при плавлении аргона и щелочных металлов. Это открытие имело фундаментальное значение для определения физики процессов кристаллизации-плавления на атомном масштабе. В последующем занимался изучением уравнений состояния жидких и твёрдых щелочных металлов. Это является сложной экспериментальной задачей, что обусловлено высокой реакционной способностью таких веществ. Группе С. М. Стишова удалось установить уравнения состояния всех щелочных металлов при давлениях до 20 кбар.

Вместе со своими сотрудниками впервые экспериментально исследовал термодинамику нематического фазового перехода при высоких давлениях. В процессе этих работ открыл новый тип поликритической точки на линии перехода между двумя смектиками. Провёл серию прецизионных исследований трикритических явлений в сегнетоэлектриках.