Туннельный диод

---

Тунне́льный дио́д или диод Эсаки (изобретён Лео Эсаки в 1957 году) — полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, на вольт-амперной характеристике которого при приложении напряжения в прямом направлении имеется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, обусловленный туннельным эффектом.

Туннельный диод представляет собой p-n-переход, обе области в котором имеют предельно сильное, до вырождения, легирование — концентрации доноров ${\displaystyle N_{D}}$ в n-области и акцепторов ${\displaystyle N_{A}}$ в p-области могут превышать 10¹⁹ см⁻³. В качестве полупроводникового материала используются кремний, германий, соединения A^IIIB^V. Прибор имеет два вывода, которые подключаются к общей цепи тем или иным способом.

Обычные диоды при увеличении прямого напряжения монотонно увеличивают пропускаемый ток. В туннельном диоде квантовомеханическое туннелирование электронов обеспечивает особенность вольт-амперной характеристики: резкий подъём, а затем спад пропускаемого тока при увеличении прямого («+» на p-области) напряжения.

---