Шехтер, Роберт Исаакович


Ро́берт Исаа́кович Ше́хтер (1947, Харьков) — советский и шведский физик, специалист по наномеханике.[1]

Окончил в 1970 году Харьковский университет по специальности «Теоретическая физика, физика твёрдого тела» [2], защитил дипломную работу на тему: «Резонансная интенсификация электромагнитного поля в полупроводниках» под руководством Эммануила Канера.

С 1971 года — во ФТИНТ АН УССР, прошёл путь от младшего научного сотрудника до ведущего научного сотрудника (1988).

В 1977 году защитил во ФТИНТ под руководством Игоря Кулика кандидатскую диссертацию [3] по специальности «Физика твёрдого тела».[4] В 1987 году защитил докторскую диссертацию. [5]

Соавтор открытия "Явление перераспределения энергии носителей заряда в металлических микроконтактах при низких температурах", Диплом No 328. [6]

С начала 1990-х годов — в Швеции, ассоциированный профессор в Гётеборгском университете, с 1995 года — доцент, с 2000 года — профессор, с этого же времени профессор отдела прикладной физики в Техническом университете Чалмерса. [7]