Исходный файл (915 × 650 пикселей, размер файла: 23 КБ, MIME - тип: изображение / PNG )
ОписаниеTyTunnelling.png
Английский: Схематическое изображение туннелирования электрона (e, справа) через барьер «высоты» (вертикальный размер - энергия) e * V_b и толщины (горизонтальный размер - пространственный) d_b. e - элементарный заряд, -1,6E-19 кулонов, V - напряжение смещения, приводящее к току, протекающему между правым и левым «электродом» (сторона барьера).
Дата
Гетеборг 1999
Источник
Создано Торстеном Хеннингом и опубликовано в книге «Эффекты зарядки в наноструктурах ниобия» , докторская диссертация, «Микроэлектроника и нановетенскап», «Чалмерс Текниска Хогскола», AB и Гетеборгский университет, Гетеборг, 1999. Полный текст доступен в Интернете [1] на сайте www.arxiv.org e-print cond-mat / 9901308.
делиться - копировать, распространять и передавать произведение
ремикс - адаптировать произведение
При следующих условиях:
Атрибуция - вы должны указать соответствующий источник, предоставить ссылку на лицензию и указать, были ли внесены изменения. Вы можете сделать это любым разумным способом, но не любым способом, который предполагает, что лицензиар одобряет вас или ваше использование.
https://creativecommons.org/licenses/by/2.5 CC BY 2.5 Лицензия Creative Commons Attribution 2.5 правдаправда
Субтитры
Добавьте однострочное объяснение того, что представляет собой этот файл
{{English}} Схематическое изображение электрона (e, справа), туннелирующего через барьер "высоты" (вертикальный размер - энергия) e * V_b и толщины (горизонтальный размер - пространственный) d_b. e - элементарный заряд, -1,6E-19 кулон, V - b
Использование файла
Следующие страницы английской Википедии используют этот файл (страницы других проектов не указаны):