Курт Леговец, также Леговек[3] (англ. Kurt Lehovec, родился 12 июля 1918 года в Ледвице, Австро-Венгрия, умер 17 февраля 2012 года в Лос-Анджелесе) — чешский, впоследствии американский, физик и изобретатель, исследователь полупроводников. В начале 1959 года Леговец изобрёл и запатентовал технологию изоляции полупроводниковых приборов p-n-переходом — одну из трёх фундаментальных технологий, сделавших возможным создание монолитных интегральных схем. Леговец — автор модели пространственного заряда в поверхностных слоях ионных кристаллов (эффект Леговека [sic], 1953), соавтор первой теоретической модели светоизлучающего диода на карбиде кремния (1951), эквивалентной схемы МДП-транзистора (модель Леговека-Слободского, 1961—1964), физической модели МДП-транзистора (модель Леговека-Зулига, 1968—1970). Все эти работы Леговца созданы в США, куда он был вывезен в 1947 году в ходе операции «Скрепка».
Курт Леговец родился в конце Первой мировой войны в Ледвице, в Судетской области Австро-Венгрии. Его мать была этнической немкой, отец — этническим чехом, офицером австрийской, а после провозглашения независимости Чехословакии — чехословацкой армии[4]. Родители развелись, когда Курт и его старший брат были ещё в дошкольном возрасте[4]. Леговец вспоминал, что мать воспитывала сыновей в изоляции от общества, строго контролировала круг их чтения и внушала им недоверие к женщинам[4]. Старший брат был любимчиком матери, а унаследовавший внешность отца Курт рос изгоем в собственной семье[4]. Всю последующую жизнь Леговца преследовал заложенный в детстве комплекс неполноценности, который он сам называл «комплексом Чарли Чаплина» (англ. my Charlie Chaplin complex)[4]. В старости Леговец писал: