Тепловой пробой

---

Тепловой пробой — это необратимый вид пробоя p-n-перехода, являющийся следствием увеличения обратного напряжения.

При электрическом пробое ток возрастает и, достигая определенного значения, может начать необратимый процесс разрушения p-n-перехода. Поэтому одним из важнейших параметров полупроводникового прибора является максимально допустимое обратное напряжение (пробивное напряжение), при котором сохраняется основное свойство полупроводника — односторонняя проводимость. Превышение напряжением величины пробивной проводимости может привести к выходу из строя полупроводникового прибора^[1].

При увеличении температуры транзистора происходит возрастание коллекторного тока, вызывающее возрастание тепловой мощности, рассеиваемой в транзисторе, и его температуры.^[2]

здесь: ${\displaystyle I_{invT2}}$ - обратный ток p-n перехода при температуре ${\displaystyle T_{2}}$, ${\displaystyle I_{invT1}}$ - обратный ток p-n перехода при температуре ${\displaystyle T_{1}}$, ${\displaystyle \alpha }$ - величина, для германиевого р-n перехода примерно равная ${\displaystyle 1,08}$,

Рассеиваемая на p-n переходе тепловая мощность ${\displaystyle P_{pn}}$:

здесь ${\displaystyle U_{inv}}$ - обратное напряжение, приложенное к p-n переходу.

---