Тормозный постсинапти́ческий потенциа́л — это разновидность постсинаптического потенциала, которая приводит к тому, что активность постсинаптического нейрона понижается, и менее вероятным становится возникновение потенциала действия[1].
Противоположностью тормозному постсинаптическому потенциалу является возбуждающий постсинаптический потенциал, который приводит к тому, что активность постсинаптического нейрона повышается, и возникновение потенциала действия становится более вероятным.
Возникновение различных типов постсинаптических потенциалов возможно в различных типах химических синапсов, которые используют секрецию тех или иных нейромедиаторов для обеспечения нейротрансмиссии (межклеточной передачи сигнала).
Тормозящие (ингибирующие) пресинаптические нейроны выделяют в синапс тормозные нейромедиаторы (например, такие, как ГАМК, глицин, серотонин, в зависимости от типа нейрона). Эти тормозные нейромедиаторы затем связываются с соответствующими специфическими «тормозными» постсинаптическими рецепторами. В результате активации этих тормозных рецепторов происходят изменения в активности постсинаптического нейрона, в частности открываются или закрываются ионные каналы (например, каналы ионов хлора в случае ГАМК-А рецептора или каналы ионов калия в случае 5-HT1A-рецептора). Это приводит к изменению электрической проводимости мембраны постсинаптического нейрона. Генерируется электрический ток, который изменяет постсинаптический потенциал — постсинаптическая мембрана становится более электроотрицательной (более отрицательно заряженной). Если исходный потенциал мембраны находится между порогом покоя и порогом возникновения потенциала действия, то в результате воздействия этого ингибирующего потенциала может произойти деполяризация клетки. Тормозные постсинаптические потенциалы также приводят к изменению проницаемости мембраны для ионов хлора, поскольку в результате изменения потенциала мембраны изменяется электростатическая сила, воздействующая на хлорные каналы[2]. Для измерения постсинаптических потенциалов в возбуждающих и тормозных синапсах могут использоваться микроэлектроды.