Бахрушин Владимир Евгеньевич (1960, Орджоникидзе) — доктор физико-математических наук (1999), профессор (2004), академик общественной организации «Академия наук высшей школы Украины» (2009), академик общественной организации «Российская академия естествознания» (2010), профессор кафедры системного анализа и вычислительной математики Запорожского национального технического университета.
Является автором 3 монографий, 8 учебников и учебных пособий, 10 изобретений, более 160 статей в научных изданиях[2]. Награждён Почётным знаком Министерства образования и науки Украины «За научные достижения» (2007)[3]. Ведёт активную научно-организационную работу, являясь членом редколлегий 3 научных журналов, членом программных и организационных комитетов, а также приглашённым докладчиком ряда международных и всеукраинских научных конференций. Член Научно-методического совета Министерства образования и науки Украины[4].
В 1983 г. закончил Московский институт стали и сплавов, а в 1986 г. — аспирантуру МИСиС. В 1988 г. защитил кандидатскую диссертацию на тему «Взаимодействие и диффузия примесей внедрения в сплавах на основе ниобия». В 1980—1986 г. на кафедре высокотемпературных материалов Московского института стали и сплавов исследовал влияние комплексного легирования и высокотемпературных обработок на внутреннее трение, динамические модули упругости и другие физические свойства сплавов внедрения на основе ниобия. В частности, Бахрушиным были определены закономерности распределения кислорода и азота в сплавах, быстроохлажденных от предплавильных температур, построена модель диффузии примесей внедрения в сплавах. Также были определены характер и механизм влияния легирующих элементов на кинетику взаимодействия азота со сплавами ниобия при высоких температурах.
В 1987−1990 г. работал инженером Центральной научно-исследовательской лаборатории полупроводников Запорожского титано-магниевого комбината. В этот период Бахрушиным был разработан ряд новых типов кремниевых эпитаксиальных структур (в том числе многослойных и структур с переменным уровнем легирования эпитаксиального слоя) и технологий их получения. Было показано, что механизм автолегирования слаболегированных автоэпитаксиальных слоев кремния, получаемых методами водородного восстановления тетрахлорида кримния, трихлорсилана и дихлорсилана, включает сублимацию соединений легирующего элемента из подложки с последующим их встраиванием в растущий слой; установлено формирование донорных центров при высокотемпературных отжигах слаболегированных монокристаллов и эпитаксиальных слоев кремния в водороде и определены закономерности кинетики их накопления.