90 нм процесс относится к уровню МОП - транзистор ( КМОП ) процесса изготовления технологии , которая была коммерциализированной в 2003-2005 сроки, ведущих полупроводниковых компаний , как Toshiba , Sony , Samsung , IBM , Intel , Fujitsu , TSMC , Elpida , AMD , Infineon , Texas Instruments и Micron Technology .
Значение 90 нм имеет историческое происхождение, так как оно отражает тенденцию к увеличению 70% каждые 2–3 года. Именование формально определяется Международной технологической дорожной картой для полупроводников (ITRS).
Длина волны 193 нм была введена многими (но не всеми) компаниями для литографии критических слоев, в основном в узле 90 нм. Проблемы урожайности, связанные с этим переходом (из-за использования новых фоторезистов ), отразились на высоких затратах, связанных с этим переходом.
Что еще более важно, размер пластины 300 мм стал основным в узле 90 нм. Предыдущий размер пластины был 200 мм в диаметре.
История
Кремниевый МОП-транзистор с длиной волны 90 нм был изготовлен иранским инженером Гавамом Шахиди (впоследствии директором IBM ) совместно с Д.А. Антониадисом и Х.И. Смитом из Массачусетского технологического института в 1988 году. Устройство было изготовлено с использованием рентгеновской литографии . [1]
Toshiba, Sony и Samsung разработали 90- нм техпроцесс в 2001–2002 годах, прежде чем он был представлен в 2002 году для Toshiba eDRAM и флэш- памяти NAND 2 Гб от Samsung . [2] [3] IBM продемонстрировала 90- нм процесс КМОП кремний-на-изоляторе (SOI) , разработку которого возглавил Гавам Шахиди в 2002 году. В том же году Intel продемонстрировала 90- нм процесс напряженного кремния . [4] Fujitsu коммерчески представила свой 90- нм процесс в 2003 году [5], а затем TSMC в 2004 году. [6]
Гертеж Сингх Санду из Micron Technology инициировал разработку атомного осаждения слоя высокой K пленок для DRAM запоминающих устройств. Это помогло обеспечить рентабельную реализацию полупроводниковой памяти , начиная с узлов DRAM 90 нм . [7]
Пример: процесс Elpida 90 нм DDR2 SDRAM
90 нм процесс DDR2 SDRAM от Elpida Memory . [8]
- Использование пластины размером 300 мм
- Использование литографии KrF (248 нм) с оптической коррекцией приближения
- 512 Мбит
- 1,8 В для работы
- Производная от более ранних процессов 110 нм и 100 нм
Процессоры с использованием техпроцесса 90 нм
- Sony / Toshiba EE + GS ( PlayStation 2 ) - 2003 г. [9]
- Сотовый процессор Sony / Toshiba / IBM - 2005 г.
- IBM PowerPC G5 970FX - 2004 г.
- IBM PowerPC G5 970MP - 2005 г.
- IBM PowerPC G5 970GX - 2005 г.
- Процессор IBM "Waternoose" Xbox 360 - 2005 г.
- Intel Pentium 4 Prescott - 2004-02 гг.
- Intel Celeron D Prescott-256 - 2005 г.
- Intel Pentium M Dothan - 2004-05 гг.
- Intel Celeron M Dothan -1024 - 2008 г.
- Intel Xeon Nocona, Ирвиндейл, Крэнфорд, Потомак, Паксвилл - 2004-06 гг.
- Intel Pentium D Smithfield - 2005-05 гг.
- AMD Athlon 64 Winchester, Венеция, Сан-Диего, Орлеан - 2004-10 гг.
- AMD Athlon 64 X2 Манчестер, Толедо, Виндзор - 2005-05 гг.
- AMD Sempron Palermo и Manila - 2004-08 гг.
- AMD Turion 64 Lancaster and Richmond - 2005-03 гг.
- NVIDIA GeForce 8800 GTS (G80) - 2006 г.
- AMD Turion 64 X2 Taylor and Trinidad - 2006-05 гг.
- AMD Opteron Venus, Troy и Athens - 2005-08 гг.
- Двухъядерный процессор AMD Opteron, Дания, Италия, Египет, Санта-Ана и Санта-Роза
- VIA C7 - 2005-05 гг.
- Лунгсон (Годсон) 2Е STLS2E02 - 2007-04
- Лунгсон (Годсон) 2F STLS2F02 - 2007-07 гг.
- МЦСТ-4Р - 2012-12 гг.
- Эльбрус-2С + - 2011-11
Смотрите также
- Фотолитография
Рекомендации
- ^ Shahidi, Ghavam G .; Антониадис, Д.А.; Смит, HI (декабрь 1988 г.). «Снижение генерируемого горячими электронами тока подложки в Si MOSFET с длиной канала менее 100 нм». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 35 (12): 2430–. Bibcode : 1988ITED ... 35.2430S . DOI : 10.1109 / 16.8835 .
- ^ «Toshiba и Sony добились значительных успехов в технологиях обработки полупроводников» . Toshiba . 3 декабря 2002 . Проверено 26 июня 2019 .
- ^ «Наше гордое наследие с 2000 по 2009 год» . Samsung Semiconductor . Самсунг . Проверено 25 июня 2019 .
- ^ «IBM, Intel препираются на 90 нм» . EE Times . 13 декабря 2002 . Проверено 17 сентября 2019 года .
- ^ 65-нанометровый CMOS-технологический процесс
- ^ «Технология 90 нм» . TSMC . Проверено 30 июня 2019 .
- ^ «Получатели премии IEEE Эндрю С. Гроув» . Премия IEEE Эндрю С. Гроув . Институт инженеров по электротехнике и радиоэлектронике . Дата обращения 4 июля 2019 .
- ^ Презентация Elpida по адресуVia Technology Forum 2005 и Elpida Годовой отчет2005 г.
- ^ «EMOTION ENGINE® И СИНТЕЗАТОР ГРАФИКИ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЙ В ЯДРЕ PLAYSTATION®, СТАНОВИТСЯ ОДНИМ ЧИПОМ» (PDF) . Sony . 21 апреля 2003 . Проверено 26 июня 2019 .
Внешние ссылки
- Обзор PC World
- Обзор ITworld
- AMD
- Fujitsu [ постоянная неработающая ссылка ]
- Intel
- Выпуск от Intel за август 2002 г.
Предшествующий 130 нм | Производственные процессы MOSFET | Преемник 65 нм |