Из Википедии, бесплатной энциклопедии
  (Перенаправлен с двухрядного модуля памяти )
Перейти к навигации Перейти к поиску
Эта статья о DIMM. Для мобильного варианта см. SO-DIMM .
Два типа модулей DIMM: 168-контактный модуль SDRAM (вверху) и 184-контактный модуль DDR SDRAM (внизу). Модуль SDRAM имеет две выемки (прямоугольные или прямоугольные) на нижнем крае, а модуль DDR1 SDRAM - только одну. Кроме того, каждый модуль имеет восемь микросхем ОЗУ, но в нижнем есть незанятое место для девятой микросхемы; это пространство занято в модулях ECC DIMM
Три слота SDRAM DIMM на материнской плате компьютера

Модуль DIMM или двойной модуль памяти в линии , обычно называют ОЗУ палкой , включает в себя серию динамической памяти с произвольным доступом интегральных схем . Эти модули смонтированы на печатной плате и предназначены для использования в персональных компьютерах , рабочих станциях и серверах . DIMMs начали заменять модули SIMM (одиночные модули памяти в линии) в качестве основного типа модуля памяти , как Intel P5 - Pentium процессоры стали набирать долю рынка.

Хотя контакты на модулях SIMM с обеих сторон являются резервными, модули DIMM имеют отдельные электрические контакты на каждой стороне модуля. Другое отличие состоит в том, что стандартные модули SIMM имеют 32-разрядный путь к данным, а стандартные модули DIMM имеют 64-разрядный путь к данным. Начиная с Intel Pentium, многие процессоры имеют 64-битную ширину шины , что требует установки модулей SIMM согласованными парами для заполнения шины данных. Затем процессор будет обращаться к двум модулям SIMM параллельно. Модули DIMM были введены для устранения этого недостатка.

Варианты [ править ]

Варианты слотов DIMM поддерживают ОЗУ DDR, DDR2, DDR3, DDR4 и DDR5.

К распространенным типам модулей DIMM относятся следующие:

SDRAMSDR

SDRAM

DDR

SDRAM

DDR2

SDRAM

DDR3

SDRAM

DDR4

SDRAM

DDR5

SDRAM

FPM DRAM

и EDO DRAM

FB-DIMM

DRAM

DIMM100-контактный168-контактный184-контактный240-контактный [а]288-контактный [а]168-контактный240-контактный
SO-DIMMN / A144-контактный200-контактный [а]204-контактный260-контактный72-контактный / 144-контактныйN / A
MicroDIMMN / A144-контактный172-контактный214-контактныйN / AN / A
  1. ^ a b c с разными положениями надреза

От 70 до 200 контактов

  • 72-контактный SO-DIMM (не то же самое, что 72-контактный SIMM), используемый для FPM DRAM и EDO DRAM
  • 100-контактный модуль DIMM, используемый для SDRAM принтера
  • 144-контактный SO-DIMM, используемый для SDR SDRAM (реже для DDR2 SDRAM)
  • 168-контактный модуль DIMM, используемый для SDR SDRAM (реже для FPM / EDO DRAM на рабочих станциях / серверах, может быть 3,3 или 5 В)
  • 172-контактный MicroDIMM, используемый для DDR SDRAM
  • 184-контактный модуль DIMM, используемый для DDR SDRAM
  • 200-контактный SO-DIMM, используемый для DDR SDRAM и DDR2 SDRAM
  • 200-контактный модуль DIMM, используемый для FPM / EDO DRAM на некоторых рабочих станциях и серверах Sun.

От 201 до 300 контактов

  • 204-контактный SO-DIMM, используемый для DDR3 SDRAM
  • 214-контактный MicroDIMM, используемый для DDR2 SDRAM
  • 240-контактный модуль DIMM, используемый для DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и FB-DIMM DRAM
  • 244-контактный MiniDIMM, используемый для DDR2 SDRAM
  • 260-контактный SO-DIMM, используемый для DDR4 SDRAM
  • 260-контактный модуль SO-DIMM с другим расположением выемки, чем на модулях DDR4 SO-DIMM, используется для модулей UniDIMM, которые могут нести DDR3 или DDR4 SDRAM
  • 278-контактный модуль DIMM, используемый для SDRAM высокой плотности HP .
  • 288-контактный модуль DIMM, используемый для DDR4 SDRAM и DDR5 SDRAM [1]

168-контактная SDRAM [ править ]

Расположение выемок на модулях DIMM DDR (вверху) и DDR2 (внизу)

На нижнем крае 168-контактных модулей DIMM есть две выемки, и расположение каждой выемки определяет конкретную функцию модуля. Первая метка - это позиция ключа DRAM, которая представляет RFU (зарезервированное использование в будущем), зарегистрированные и небуферизованные типы DIMM (левая, средняя и правая позиции соответственно). Вторая метка - это положение клавиши напряжения, которое соответствует типам модулей DIMM 5,0 В, 3,3 В и RFU (порядок такой же, как и выше).

DDR DIMM [ править ]

8 ГБ DDR4-2133 ECC 1,2 В RDIMM

DDR , DDR2 , DDR3 , DDR4 и DDR5 имеют разное количество выводов и / или разные положения выемок. По состоянию на август 2014 года DDR4 SDRAM представляет собой развивающийся современный тип динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) с интерфейсом с высокой пропускной способностью («двойная скорость передачи данных»), который используется с 2013 года. Это более высокоскоростной преемник. в DDR, DDR2 и DDR3. DDR4 SDRAM не является ни прямой, ни обратной совместимой с любым предыдущим типом оперативной памяти (ОЗУ) из-за различных сигнальных напряжений, таймингов, а также других факторов, различающихся между технологиями и их реализацией.

SPD EEPROM [ править ]

Емкость DIMM и другие рабочие параметры могут быть определены с помощью последовательного обнаружения присутствия (SPD), дополнительной микросхемы, которая содержит информацию о типе модуля и времени для правильной настройки контроллера памяти. SPD EEPROM подключается к шине управления системой и может также содержать термодатчики ( TS-on-DIMM ). [2]

Исправление ошибок [ править ]

Модули памяти ECC DIMM имеют дополнительные биты данных, которые могут использоваться контроллером системной памяти для обнаружения и исправления ошибок. Существует множество схем ECC, но, пожалуй, наиболее распространенной является исправление одиночной ошибки, обнаружение двойной ошибки ( SECDED ), в которой используется дополнительный байт на 64-битное слово. Модули ECC обычно содержат несколько микросхем, кратных 9, а не 8.

Рейтинг [ править ]

Основная статья: Ранг памяти

Иногда модули памяти конструируются с двумя или более независимыми наборами микросхем DRAM, подключенными к одним и тем же адресам и шинам данных; каждый такой набор называется рангом . Ранги, которые делят один и тот же слот, только один ранг может быть доступен в любой момент времени; он задается путем активации сигнала выбора фишки (CS) соответствующего ранга. Остальные ранги в модуле деактивируются на время работы посредством деактивации их соответствующих сигналов CS. В настоящее время модули DIMM обычно производятся до четырех классов на модуль. Производители потребительских модулей DIMM недавно начали различать модули DIMM с одним и двумя рангами.

После того, как слово памяти выбрано, память обычно недоступна в течение длительного периода времени, в то время как усилители считывания заряжаются для доступа к следующей ячейке. Посредством чередования памяти (например, ячейки 0, 4, 8 и т. Д. Сохраняются вместе в одном ранге) последовательные обращения к памяти могут выполняться быстрее, потому что усилители считывания имеют 3 цикла простоя для подзарядки между обращениями.

Модули DIMM часто называют «односторонними» или « двусторонними », чтобы описать, расположены ли микросхемы DRAM на одной или обеих сторонах печатной платы (PCB) модуля . Однако эти термины могут вызвать путаницу, поскольку физическая компоновка микросхем не обязательно связана с тем, как они логически организованы или доступны.

JEDEC решил, что термины «двусторонний», «двусторонний» или «двухбанковский» неверны в применении к зарегистрированным модулям DIMM (RDIMM).

Организация [ править ]

Большинство модулей DIMM построено с использованием микросхем памяти «× 4» («на четыре») или «× 8» («на восемь») с девятью микросхемами на сторону; «× 4» и «× 8» относятся к ширине данных чипов DRAM в битах.

В случае зарегистрированных модулей DIMM «× 4» ширина данных на каждую сторону составляет 36 бит; поэтому контроллер памяти (для которого требуется 72 бита) должен обращаться к обеим сторонам одновременно для чтения или записи необходимых данных. В этом случае двусторонний модуль одноранговый. Для зарегистрированных модулей DIMM «× 8» каждая сторона имеет ширину 72 бита, поэтому контроллер памяти обращается только к одной стороне за раз (двусторонний модуль имеет двойной рейтинг).

Приведенный выше пример применяется к памяти ECC, которая хранит 72 бита вместо более обычных 64. Также будет один дополнительный чип на группу из восьми, что не учитывается.

Скорости [ править ]

Для различных технологий существуют определенные стандартизованные тактовые частоты шины и устройства; также существует определенная номенклатура для каждой из этих скоростей для каждого типа.

Модули DIMM, основанные на DRAM с единой скоростью передачи данных (SDR), имеют одинаковую частоту шины для линий данных, адреса и управления. Модули DIMM, основанные на DRAM с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), содержат данные, но не имеют строба с удвоенной частотой тактовой частоты; это достигается синхронизацией как по переднему, так и по заднему фронту стробов данных. Потребляемая мощность и напряжение постепенно снижались с каждым поколением модулей DIMM на базе DDR.

Другое влияние - задержка строба доступа к столбцу (CAS), или CL, которая влияет на скорость доступа к памяти. Это время задержки между командой READ и моментом доступности данных. См. Основную статью CAS / CL

SDR SDRAM DIMM
ЧипМодульЭффективные часыСкорость передачиНапряжение
SDR-66ПК-6666 МГц66 МТ / с3,3 В
SDR-100ПК-100100 МГц100 МТ / с3,3 В
SDR-133ПК-133133 МГц133 МТ / с3,3 В
Модули DDR SDRAM (DDR1) DIMM
ЧипМодульЧасы памятиЧасы шины ввода / выводаСкорость передачиНапряжение
DDR-200ПК-1600100 МГц100 МГц200 МТ / с2,5 В
DDR-266PC-2100133 МГц133 МГц266 МТ / с2,5 В
DDR-333PC-2700166 МГц166 МГц333 МТ / с2,5 В
DDR-400PC-3200200 МГц200 МГц400 МТ / с2,5 В
Модули DIMM DDR2 SDRAM
ЧипМодульЧасы памятиЧасы шины ввода / выводаСкорость передачиНапряжение
DDR2-400PC2-3200200 МГц200 МГц400 МТ / с1,8 В
DDR2-533PC2-4200266 МГц266 МГц533 МТ / с1,8 В
DDR2-667PC2-5300333 МГц333 МГц667 МТ / с1,8 В
DDR2-800PC2-6400400 МГц400 МГц800 МТ / с1,8 В
DDR2-1066PC2-8500533 МГц533 МГц1066 МТ / с1,8 В
Модули DIMM DDR3 SDRAM
ЧипМодульЧасы памятиЧасы шины ввода / выводаСкорость передачиНапряжение
DDR3-800PC3-6400400 МГц400 МГц800 МТ / с1,5 В
DDR3-1066PC3-8500533 МГц533 МГц1066 МТ / с1,5 В
DDR3-1333PC3-10600667 МГц667 МГц1333 МТ / с1,5 В
DDR3-1600PC3-12800800 МГц800 МГц1600 МТ / с1,5 В
DDR3-1866PC3-14900933 МГц933 МГц1866 МТ / с1,5 В
DDR3-2133PC3-170001066 МГц1066 МГц2133 МТ / с1,5 В
DDR3-2400PC3-192001200 МГц1200 МГц2400 МТ / с1,5 В
Модули DIMM DDR4 SDRAM
ЧипМодульЧасы памятиЧасы шины ввода / выводаСкорость передачиНапряжение
DDR4-1600PC4-12800800 МГц800 МГц1600 МТ / с1,2 В
DDR4-1866PC4-14900933 МГц933 МГц1866 МТ / с1,2 В
DDR4-2133PC4-170001066 МГц1066 МГц2133 МТ / с1,2 В
DDR4-2400PC4-192001200 МГц1200 МГц2400 МТ / с1,2 В
DDR4-2666PC4-213001333 МГц1333 МГц2666 МТ / с1,2 В
DDR4-3200PC4-256001600 МГц1600 МГц3200 МТ / с1,2 В

Форм-факторы [ править ]

В модулях DIMM обычно используются несколько форм-факторов. Модули DIMM с синхронной памятью DRAM с единой скоростью передачи данных (SDR SDRAM) в основном производились высотой 1,5 дюйма (38 мм) и 1,7 дюйма (43 мм). Когда стали популярными стоечные серверы высотой 1U, модули DIMM с зарегистрированным форм-фактором должны были подключаться к угловым гнездам DIMM, чтобы поместиться в корпус высотой 1,75 дюйма (44 мм). Чтобы решить эту проблему, были созданы следующие стандарты модулей DDR DIMM с «низкопрофильной» (LP) высотой около 1,2 дюйма (30 мм). Они вставляются в вертикальные гнезда DIMM для платформы 1U.

С появлением блейд-серверов угловые слоты снова стали обычным явлением для размещения модулей DIMM форм-фактора LP в этих компактных коробках. Это привело к разработке модулей DIMM с форм-фактором очень низкого профиля (VLP) высотой около 0,72 дюйма (18 мм). По стандарту DDR3 JEDEC для VLP DIMM высота составляет около 0,740 дюйма (18,8 мм). Они вертикально подходят для систем ATCA .

Полноразмерные 240-контактные модули DIMM DDR2 и DDR3 имеют высоту около 1,18 дюйма (30 мм) по стандартам, установленным JEDEC. Эти форм-факторы включают 240-контактный модуль DIMM, SODIMM, Mini-DIMM и Micro-DIMM. [3]

Полноразмерные 288-контактные модули DIMM DDR4 немного выше, чем их аналоги DDR3, и составляют 31 мм (1,23 дюйма). Точно так же модули DIMM VLP DDR4 также немного выше, чем их эквивалент DDR3, и составляют почти 0,74 дюйма (19 мм). [4]

По состоянию на второй квартал 2017 года у Asus был модуль DIMM.2 на базе PCI-E , который имеет разъем, аналогичный DDR3 DIMM, и используется для установки модуля для подключения до двух твердотельных накопителей M.2 NVMe . Однако он не может использовать обычную оперативную память типа DDR и не имеет большой поддержки, кроме Asus. [5]

См. Также [ править ]

  • Двухрядный корпус (DIP)
  • Скремблирование памяти
  • Геометрия памяти  - логическая конфигурация модулей ОЗУ (каналы, ранги, банки и т. Д.)
  • Материнская плата
  • NVDIMM  - энергонезависимый DIMM
  • Молоток гребной
  • Встроенный модуль памяти Rambus (RIMM)
  • Одиночный линейный модуль памяти (SIMM)
  • Одиночный линейный пакет (SIP)
  • Зигзагообразный встроенный пакет (ZIP)

Ссылки [ править ]

  1. ^ Смит, Райан (2020-07-14). «Выпущена спецификация памяти DDR5: подготовка к выпуску DDR5-6400 и не только» . AnandTech . Проверено 15 июля 2020 .
  2. ^ Датчик температуры в модулях памяти DIMM
  3. ^ Технический документ JEDEC MO-269J. , доступ 20 августа 2014 г.
  4. ^ Техническая документация JEDEC MO-309E. , доступ 20 августа 2014 г.
  5. ^ ASUS DIMM.2 - это переходная плата M.2. , доступ 4 июня 2020 г.

Внешние ссылки [ править ]

  • Как установить руководства по памяти ПК
  • Технический документ по очень низкопрофильной (VLP) DDR2 (PDF)