10 мкм процесс является уровень МОП - технологии полупроводникового процесса , который был коммерчески составил около 1971, [1] [2] ведущих полупроводниковых компаний , таких как RCA и Intel .
В 1960 году египетский инженер Мохамед М. Аталла и корейский инженер Давон Канг , работая в Bell Labs , продемонстрировали первые полевые МОП-транзисторы с длиной затвора 20 мкм, а затем 10 мкм. [3] [4] В 1969 году Intel представила микросхему 1101 MOS SRAM с технологией 12 мкм. [5] [6] [7]
Продукты с производственным процессом 10 мкм
- RCA «s CD4000 серии интегральных схем началось с 20 процесса мкм в 1968 году, прежде чем постепенно разукрупнение и в конечном итоге достигает 10 мкм в течение следующих нескольких лет. [8]
- Intel 1103 , один из первых чипов динамической оперативной памяти (DRAM), выпущенный в 1970 году, использовал процесс 8 мкм. [9]
- Intel 4004 CPU запущен в 1971 году был изготовлен с использованием 10 процесса мкм. [10]
- Intel 8008 CPU запущен в 1972 году был изготовлен с использованием этого процесса. [11]
Рекомендации
- Перейти ↑ Mueller, S (21.07.2006). «Микропроцессоры с 1971 года по настоящее время» . informIT . Проверено 11 мая 2012 .
- ^ Мыслевский, Р. (2011-11-15). «С 40-летием, Intel 4004!» . Регистр. Архивировано 27 апреля 2015 года . Проверено 19 апреля 2015 .
- ^ Лойек, Бо (2007). История полупроводниковой техники . Springer Science & Business Media . С. 321–3. ISBN 9783540342588.
- ^ Войнигеску, Сорин (2013). Высокочастотные интегральные схемы . Издательство Кембриджского университета . п. 164. ISBN 9780521873024.
- ^ «Хронологический список продуктов Intel. Продукты отсортированы по дате» (PDF) . Музей Intel . Корпорация Intel. Июль 2005. Архивировано из оригинального (PDF) 9 августа 2007 года . Проверено 31 июля 2007 года .
- ^ «1970-е годы: эволюция SRAM» (PDF) . Японский музей истории полупроводников . Проверено 27 июня 2019 .
- ^ Пимбли, Дж. (2012). Усовершенствованная технология обработки CMOS . Эльзевир . п. 7. ISBN 9780323156806.
- ^ Лойек, Бо (2007). История полупроводниковой техники . Springer Science & Business Media . п. 330. ISBN 9783540342588.
- ^ Лойек, Бо (2007). История полупроводниковой техники . Springer Science & Business Media . С. 362–363. ISBN 9783540342588.
I1103 был изготовлен по технологии P-MOS с 6 масками и кремниевым затвором с минимальными характеристиками 8 мкм. Полученный продукт имел размер 2400 мкм, 2 ячейки памяти, размер кристалла чуть меньше 10 мм 2 и продавался примерно за 21 доллар.
- ^ «История микропроцессора Intel - Листоид» . Архивировано 27 апреля 2015 года . Проверено 19 апреля 2015 .
- ^ «История микропроцессора Intel - Листоид» . Архивировано 27 апреля 2015 года . Проверено 19 апреля 2015 .
Внешние ссылки
- Краткая хронология развития микропроцессора
Предшествующий процессу 20 мкм | Процесс изготовления полупроводниковых устройств MOSFET | После процесса 6 мкм |