Из Википедии, бесплатной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Хидео Хосоно
Королевское общество Хидео Хосоно.jpg
Хидео Хосоно на дне приема в Королевское общество в Лондоне, июль 2017 г.
Родившийся
Хидео Хосоно

(1953-09-07) 7 сентября 1953 г. (67 лет)
Кавагоэ , префектура Сайтама , Япония
НациональностьЯпония
Альма-матерТокийский столичный университет
Известенсверхпроводники на основе железа
тонкопленочные транзисторы
Награды
Почетная медаль Японии (Пурпурная лента)
Премия за научные достижения ( Японское общество прикладной физики )
Премия Джеймса К. МакГродди за новые материалы
Научная карьера
ПоляМатериаловедение
УчрежденияТокийский технологический институт
Нагойский технологический институт

Хидео Хосоно ( яп. 野, Хосоно Хидео , родился 7 сентября 1953 г.) , ForMemRS , японский ученый-материаловед, наиболее известный открытием сверхпроводников на основе железа . [1] [2]

Карьера и исследования [ править ]

Хосоно также является пионером в разработке прозрачных оксидных полупроводников: он предложил концепцию конструкции материала для прозрачного аморфного оксидного полупроводника (TAOS) с большой подвижностью электронов , продемонстрировал отличные характеристики тонкопленочных транзисторов TAOS для дисплеев следующего поколения и успешно преобразовал цементный компонент. 12CaO · 7Al2O3 в прозрачный полупроводник , металл и, в конечном итоге, в сверхпроводники . [3] [4] [5]

Награды и награды [ править ]

Избранные публикации [ править ]

Согласно Web of Science , Хидео Хосоно является соавтором 5 статей с более чем 1000 цитирований каждая (по состоянию на сентябрь 2019 г.):

  • Kamihara, Y .; Watanabe, T .; Hirano, M .; Хосоно, Х. (2008). «Слоистый сверхпроводник на основе железа La [O 1-x F x ] FeAs (x = 0,05–0,12) с T c = 26 K» . Журнал Американского химического общества . 130 (11): 3296–7. DOI : 10.1021 / ja800073m . PMID  18293989 .
  • Nomura, K .; Ohta, H .; Такаги, А .; Kamiya, T .; Hirano, M .; Хосоно, Х. (2004). «Изготовление прозрачных гибких тонкопленочных транзисторов с использованием аморфных оксидных полупроводников при комнатной температуре» . Природа . 432 (7016): 488–92. Bibcode : 2004Natur.432..488N . DOI : 10,1038 / природа03090 . PMID  15565150 . S2CID  4302869 .
  • Kawazoe, H .; Yasukawa, M .; Hyodo, H .; Курита, М .; Yanagi, H .; Хосоно, Х. (1997). «Электропроводность P-типа в прозрачных тонких пленках CuAlO 2 ». Природа . 389 (6654): 939. Bibcode : 1997Natur.389..939K . DOI : 10.1038 / 40087 . S2CID  4405808 .
  • Номура, К; Охта, H; Уэда, К; Камия, Т; Хирано, М; Хосоно, Х (2003). «Тонкопленочный транзистор из монокристаллического прозрачного оксидного полупроводника». Наука . 300 (5623): 1269–72. Bibcode : 2003Sci ... 300.1269N . DOI : 10.1126 / science.1083212 . JSTOR  3834084 . PMID  12764192 . S2CID  20791905 .
  • Камия, Тосио; Номура, Кендзи; Хосоно, Хидео (2016). «Современное состояние аморфных тонкопленочных транзисторов In – Ga – Zn – O» . Наука и технология перспективных материалов . 11 (4): 044305. Bibcode : 2010STAdM..11d4305K . DOI : 10.1088 / 1468-6996 / 11/4/044305 . PMC  5090337 . PMID  27877346 .

Ссылки [ править ]

  1. ^ "Хидео Хосоно ScienceWatch.com декабрь 2008" . Архивировано из оригинала на 2013-10-04.
  2. ^ Kamihara, Y .; Watanabe, T .; Hirano, M .; Хосоно, Х. (2008). «Слоистый сверхпроводник на основе железа La [O 1-x F x ] FeAs (x = 0,05–0,12) с T c = 26 K» . Журнал Американского химического общества . 130 (11): 3296–7. DOI : 10.1021 / ja800073m . PMID 18293989 . 
  3. ^ Хидео Хосоно . fpdchina.org
  4. ^ Профиль лаборатории - Хосоно . materia.titech.ac.jp
  5. ↑ Хидео Хосоно (2014) «Исследование материалов, вдохновленных впечатлением», Vimeo Youtube .
  6. ^ Бернд Т. Маттиас премии архивации 2017-12-09 в Wayback Machine . m2s–2015.ch
  7. ^ "Хидео Хосоно ForMemRS" . Архивировано из оригинала на 2017-05-23.

Внешние ссылки [ править ]

  • Хидео Хосоно (2014) «Исследование материалов, вдохновленных впечатлением», Vimeo Youtube .