Игорь Всеволодович Грехов ( русский : Игорь Всеволодович Грехов , родился 10 сентября 1934 в Смоленске ) является советский и русский физик и электротехник, действительный член в Российской академии наук . [1] Он известен как один из основателей индустрии силовых полупроводниковых устройств в Советском Союзе. Его заслуги в области импульсных силовых устройств и преобразовательной техники отмечены Ленинской премией , двумя Государственными премиями и несколькими Государственными орденами России. Несколько десятилетий возглавлял лабораторию Физико-технического института им. Иоффе. В Санкт-Петербурге.
Игорь Грехов | |
---|---|
Родившийся | |
Гражданство | Россия |
Образование | МГТУ им. Н. Э. Баумана |
Известен | вклад в физику и технику силовых полупроводниковых приборов |
Награды | Ленинская премия (1966), Государственная премия СССР (1987), Государственная премия России (2002). |
Научная карьера | |
Поля | Силовая электроника |
Учреждения | Иоффе |
Докторант | Владимир Тучкевич |
Внешний образ | |
---|---|
Игорь Грехов (фото) |
Профессиональная карьера
Грехов родился в Смоленске в семье школьных учителей, но его детство прошло в городе Симферополь , Крым. [2]
После окончания средней школы Грехов изучал электротехнику в МГТУ им. Н. Э. Баумана . Затем несколько лет (1958–1962) проработал на производстве, работал инженером-исследователем и заведующим лабораторией на заводе «Электровипрямитель» в Саранске ( Мордовия , СССР).
В 1962 году Грехов начал работать в Институте Иоффе в Ленинграде и с тех пор проработал в нем более полувека, последовательно занимая должности младшего, рядового и старшего научного сотрудника, руководителя группы и заведующего научным сектором. В 1967 и 1975 годах он получил степень доктора философии, соответственно. и докторские степени по физике полупроводников. [3] В 1982–2019 годах Грехов возглавлял лабораторию Силовой электроники. В период с 2004 по 2014 год он также занимал должность заведующего отделом твердотельной электроники института. Наряду с исследовательской деятельностью он читал курс полупроводниковых приборов в качестве профессора Санкт-Петербургского политехнического университета (1984–1994).
В 1991 году Грехов был избран членом- корреспондентом Академии наук СССР, а в 2008 году стал действительным членом Российской академии наук.
Главные достижения
Исследования Грехова всегда были сосредоточены на физике твердотельных устройств , с особым моментом, связанным с их применением в силовой электронике . Его интересы охватывают все этапы: от теоретических исследований и изготовления пробных образцов до координации массового производства силовых устройств, включая преобразователи . Его новаторский вклад в 1960-х и 1970-х годах обеспечил технологический прорыв для полупроводниковой промышленности и дал начало ее новой отрасли - силовой полупроводниковой технике - в Советском Союзе.
Наиболее важные результаты: [4]
- Наблюдение эффекта равномерного переключения кремниевой тиристорной структуры при возбуждении импульсами YAG: Nd-лазера , создание быстрых мощных переключателей (10 кВ, 30 кА, время нарастания импульса 20 нс) на основе этого эффекта;
- Обнаружение фронтов ударной ионизации в высоковольтных pn-переходах, запускаемых крутым импульсом напряжения; это явление используется в сверхбыстрых переключателях, таких как точилки лавинных диодов или динисторы с быстрой ионизацией , с временем нарастания импульса менее 100 пс;
- Изобретения (1982–1983 гг.) Открывающего переключателя нового типа, называемого дрейфовым восстанавливающим диодом (DSRD), способного работать в диапазоне импульсной мощности от единиц до сотен мегаватт, и динистора обратного включения (RSD), позволяющего коммутировать токи МегаАмпер-диапазона в пределах десятков микросекунд. Самый мощный полупроводниковый переключатель, использующий RSD, сейчас используется в Российском федеральном ядерном центре ;
- Предсказание нового физического эффекта туннельного формирования ионизационного фронта в кремниевых устройствах. Было показано, что этот фронт ответственен за чрезвычайно быстрое (~ 20 пс) переключение устройств;
- Техническая идея нового устройства, конкурирующего с IGBT , - интегрированный тиристор с внешним полевым управлением. Это устройство имеет характеристики, аналогичные характеристикам IGBT, но для его производства не требуются такие усовершенствованные технологические средства;
- Создание устройств на основе карбида кремния (SiC) для силовой электроники, в частности размыкающих выключателей на основе SiC.
Исследования в лаборатории Грехова включают и некоторые другие проблемы физики полупроводниковых приборов: явления туннелирования в МДП-структурах , сегнетоэлектрическую память, пористый кремний и сверхпроводящую керамику.
Награды
- 1966 - Ленинская премия.
- 1975 - Заслуженный изобретатель РСФСР.
- 1981 - Орден Дружбы Народов.
- 1987 - Государственная премия СССР.
- 1999 - Орден Почета (Россия).
- 2002 - Государственная премия России.
- 2006 - Премия Правительства РФ.
- 2010 - Орден Дружбы (Россия)
- 2010 - Премия Правительства Санкт-Петербурга.
Репрезентативные публикации
- И. В. Грехов, Импульсная генерация энергии в нано- и субнаносекундном диапазоне с помощью ионизирующих фронтов в полупроводниках: состояние дел и перспективы на будущее, IEEE Transactions on Plasma Science , 38: 5 (2010), 1118–1123.
- Грехов, Силовая полупроводниковая электроника и импульсная техника , Вестник Российской академии наук , 78: 1 (2008), 22–30.
- И. В. Грехов, Г. А. Месяц, Наносекундные полупроводниковые диоды для импульсной коммутации мощности, Успехи физ. Наук, 48: 7 (2005), 703–712.
- П. Родин, У. Эберт, В. Хундсдорфер, И. Грехов, Туннельные фронты ударной ионизации в полупроводниках, Журнал прикладной физики , 92: 2 (2002), 958–964.
- Грехов, Новые принципы коммутации большой мощности с полупроводниковыми приборами, Твердотельная электроника , 32:11 (1989), 923–930.
Всего Грехов является соавтором четырех книг, около 200 патентов и более 600 научных работ.
Рекомендации
- ^ Краткая информация об И.В. Грехове на официальном сайте РАН.
- ^ Музей компьютерной истории , устная история - Устная история Игоря В. Грехова (всего 44 страницы, интервьюировал: Р. Ремакл, 15 мая 2012 г.)
- ^ a b IEEE Transactions on Plasma Science, v. 38, p. 1123: Краткая биография Игоря Грехова
- ^ а б А. И. Мелуа ( AI Melua ) (1997). Инженеры Санкт-Петербурга. Энциклопедия [ Инженеры Санкт-Петербурга: Энциклопедия ] (2-е изд.). Санкт-Петербург - Москва: Изд-во Международного фонда истории науки. п. 249: Грехов Игорь Всеволодович (Игорь Грехов).