Лиза М. Портер

Лиза Мари Спеллман Портер
Лиза М. Портер, март 2020 г.
Альма-матер	Университет штата Северная Каролина (доктор философии) Корнельский университет (бакалавр наук)
Научная карьера
Учреждения	Университет Карнеги Меллон
Тезис	Химия, микроструктура и электрические свойства и их взаимосвязь с высотой барьера Шоттки на границе раздела металлов и монокристаллического карбида кремния N-типа альфа (6H)  (1993 г.)

Лиза Мари Спеллман Портер — американский материаловед, профессор материаловедения в Университете Карнеги-Меллона . Она работает над новыми способами обработки и характеристики электронных материалов. Ранее она занимала пост президента Американского вакуумного общества .

ранняя жизнь и образование

Портер изучал материаловедение в Корнельском университете . ^[1] Она получила степень бакалавра в 1989 году, прежде чем переехать в Университет штата Северная Каролина для учебы в аспирантуре. ^[1] Она защитила докторскую диссертацию по карбиду кремния в 1993 году. ^[2] После получения докторской степени Портер присоединилась к Университету штата Северная Каролина в качестве постдокторского научного сотрудника.

Исследования и карьера

Кристалл оксида галлия (III)

Портер была назначена на факультет Университета Карнеги-Меллона в 1997 году. Ее ранние исследования касались металлических контактов для мощных электронных устройств и интерфейсов оксид-карбид кремния. ^[3] С тех пор она исследовала несколько материалов, включая прозрачные проводящие пленки и электроды, а также органические полупроводники . ^{[3] [4] [5]} Ее исследование посвящено широкозонному полупроводнику на основе оксида галлия . ^{[3] [6]} Небольшие количества оксида галлия могут выдерживать сильные электрические поля и могут использоваться в высокоэнергоемких процессах. ^[6]Портер изучил различные полиморфы оксида галлия, включая α, β и ε-Ga ₂ O _{3 .} ^[6] В частности, объемные монокристаллы β - Ga ₂ O ₃ можно изготовить с использованием недорогих методов выращивания можно производить в больших пластинах. ^[6]

Портер создал дочернюю компанию SenSevere, которая создает химические датчики на основе полупроводников. ^{[3] [7]} Датчики можно использовать для обнаружения водорода в суровых условиях, включая ядерные реакторы и ячейки для производства хлора. ^{[8] [7]} Когда эти клетки производят хлор, они производят значительные концентрации водорода, и если его быстро не удалить из системы, это может привести к образованию хлористого водорода . ^[8] В ядерных реакторах накопление водорода может вызвать взрыв при взаимодействии водорода с кислородом и водой. ^[8]

Награды и почести

• Премия КАРЬЕРЫ Национального научного фонда 1999 г. ^[9]
• Премия Фонда женщин и девочек 2006 г. «Женщины за рулем материального мира» ^[10]
• Премия Филбрука Университета Карнеги-Меллона 2012 г. в области инженерии ^{[ нужна ссылка ]}
• Зал славы Университета штата Северная Каролина, 2018 г. ^[3]
• 2018 г. Президент Американского вакуумного общества ^[11]

Избранные публикации

• Портер, Лиза М .; Дэвис, Роберт Ф. (ноябрь 1995 г.). «Критический обзор омических и выпрямительных контактов для карбида кремния». Материаловедение и инженерия: B . 34 (2–3): 83–105. doi : 10.1016/0921-5107(95)01276-1 . ISSN  0921-5107 .
• Крофтон, Джон; Мони, Сюзанна (31 августа 2000 г.). «Омические контакты к SiC P-типа». Форт Белвуар, Вирджиния. дои : 10.21236/ada381452 . Цитировать журнал требует |journal=( помощь )
• Чанг, KC; Нуфер, Северная Каролина; Портер, Л.М.; Вахаб, К. (2 октября 2000 г.). «Высокие концентрации углерода на границе раздела диоксид кремния и карбид кремния, выявленные с помощью спектроскопии потерь энергии электронов». Письма по прикладной физике . 77 (14): 2186–2188. Бибкод : 2000ApPhL..77.2186C . дои : 10.1063/1.1314293 . ISSN  0003-6951 .

использованная литература