Из Википедии, свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Оценка памяти представляет собой набор DRAM чипов , подключенных к одной и той же микросхеме выбора , которые , следовательно , доступ к которым одновременно. На практике все микросхемы DRAM совместно используют все другие сигналы управления и управления, и только выводы выбора микросхемы для каждого ранга являются отдельными (выводы данных совместно используются между рангами). [1]

Термин « ранг» был создан и определен JEDEC , группой отраслевых стандартов памяти. В модулях памяти DDR , DDR2 или DDR3 каждый ранг имеет шину данных шириной 64 бита (72 бита на модулях DIMM, поддерживающих ECC ). Количество физических DRAM зависит от их индивидуальной ширины. Например, ранг × 8 (шириной 8 бит) DRAM будет состоять из восьми физических микросхем (девять, если поддерживается ECC), а ранг × 4 (шириной 4 бита) DRAM будет состоять из 16 физических микросхем (18 , если поддерживается ECC). Несколько рангов могут сосуществовать на одном модуле DIMM, а современные модули DIMM могут состоять из одного ранга (одноранговый), двух ранговых (двухранговый), четырех ранговых (четырехрядный) или восьми ранговых (восьмеричный). [цитата необходима ]

Существует лишь небольшая разница между двухранговым UDIMM и двумя одноранговыми модулями UDIMM в одном канале памяти, за исключением того, что DRAM находятся на разных печатных платах . Электрические соединения между контроллером памяти и DRAM практически идентичны (за возможным исключением того, какой чип выбирает, к каким рангам). Увеличение количества рангов на DIMM в основном предназначено для увеличения плотности памяти на канал. Слишком много рангов в канале может вызвать чрезмерную загрузку и снизить скорость канала. Также некоторые контроллеры памяти имеют максимально поддерживаемое количество рангов. Нагрузку DRAM на шину команд / адресов (CA) можно уменьшить за счет использования зарегистрированной памяти . [цитата необходима ]

Предшествующий термину ранг (иногда также называемый строкой ) связан с использованием односторонних и двусторонних модулей , особенно с модулями SIMM . Хотя чаще всего количество сторон, используемых для размещения микросхем RAM, соответствовало количеству рангов, иногда это не так. Это может привести к путанице и техническим проблемам. [2] [3]

Производительность нескольких модулей ранга [ править ]

Следует учитывать несколько факторов, влияющих на производительность памяти в многоранговых конфигурациях:

  • Модули с несколькими рангами позволяют использовать несколько открытых страниц (строк) DRAM в каждом ранге (обычно восемь страниц на ранг). Это увеличивает вероятность попадания в уже открытый адрес строки. Достигаемый прирост производительности во многом зависит от приложения и способности контроллера памяти использовать открытые страницы. [ необходима цитата ]
  • Многоранговые модули имеют более высокую нагрузку на шину данных (а также на небуферизованные модули DIMM - на шину CA). Поэтому, если к одному каналу подключено более двух ранговых модулей DIMMS, скорость может снизиться. [ необходима цитата ]
  • С некоторыми ограничениями, к рангам можно обращаться независимо, хотя и не одновременно, так как линии данных по-прежнему разделяются между рангами на канале. Например, контроллер может отправлять данные записи в один ранг, пока он ожидает данных чтения, ранее выбранных из другого ранга. Пока данные записи потребляются из шины данных, другой ранг может выполнять операции, связанные с чтением, такие как активация строки или внутренняя передача данных в драйверы вывода. Как только шина CA освободится от шума от предыдущего чтения, DRAM может выгнать прочитанные данные. Подобное управление чередованием доступа осуществляется контроллером памяти. [ необходима цитата ]
  • Для многоранговых систем наблюдается небольшое снижение производительности, поскольку они требуют некоторых конвейерных остановок между доступом к разным рангам. Для двух рангов на одном модуле DIMM это может даже не потребоваться, но этот параметр часто программируется независимо от места расположения в системе (на одном и том же или на разных модулях DIMM). Тем не менее, этот срыв трубопровода незначителен по сравнению с вышеупомянутыми эффектами. [ необходима цитата ]

См. Также [ править ]

Ссылки [ править ]

  1. ^ «Определение ранга» . Проверено 25 сентября 2017 .
  2. ^ «Обзор памяти» . 2008-05-06 . Проверено 9 августа 2017 .
  3. ^ «Проблемы с памятью компьютера» . Проверено 9 августа 2017 .