(Перенаправлено с узкозонных полупроводников )
Перейти к навигации Перейти к поиску | Эта статья требует дополнительных ссылок для проверки . ( май 2015 г. ) ( Узнайте, как и когда удалить этот шаблон сообщения ) |
Узкозонные полупроводники - это полупроводниковые материалы с шириной запрещенной зоны, которая сравнительно мала по сравнению с кремнием , то есть меньше 1,11 эВ при комнатной температуре. Их используют как инфракрасные детекторы или термоэлектрики .
Список узкозонных полупроводников [ править ]
Имя Химическая формула Группы Ширина запрещенной зоны (300 К) Теллурид кадмия ртути Hg 1-x Cd x Te II-VI От 0 до 1,5 эВ Теллурид цинка ртути Hg 1-x Zn x Te II-VI От -0,15 до 2,25 эВ Селенид свинца PbSe IV-VI 0,27 эВ Сульфид свинца (II) PbS IV-VI 0,37 эВ Теллурид свинца PbTe IV-VI 0,32 эВ Арсенид индия InAs III-V 0,354 эВ Антимонид индия InSb III-V 0,17 эВ Антимонид галлия GaSb III-V 0,67 эВ Арсенид кадмия Cd 3 As 2 II-V От 0,5 до 0,6 эВ Теллурид висмута Би 2 Те 3 0,21 эВ Теллурид олова SnTe IV-VI 0,18 эВ Селенид олова SnSe IV-VI 0,9 эВ Селенид серебра (I) Ag 2 Se 0,07 эВ Силицид магния Mg 2 Si II-IV 0,73 эВ [1]
См. Также [ править ]
Ссылки [ править ]
- ^ Нельсон, JT Электрические и оптические свойства MgPSn и MggSi. Являюсь. J. Phys. 23: 390.1955.
- Дорнхаус, Р., Нимц, Г., Шлихт, Б. (1983). Узкозонные полупроводники . Springer Tracts in Modern Physics 98 , ISBN 978-3-540-12091-9 (печать) ISBN 978-3-540-39531-7 (онлайн)
- Нимц, Г. (1980), Рекомбинация в узкозонных полупроводниках , Physics Reports, 63 , 265-300.
