DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам.
Физически DRAM состоит из ячеек, созданных в полупроводниковом материале в виде емкости. Заряженная или разряженная ячейка хранит бит данных. Каждая ячейка такой памяти имеет свойство разряжаться (из-за токов утечки и пр.), поэтому их постоянно надо подзаряжать — отсюда название «динамическая» (динамически подзаряжать). Совокупность ячеек образует условный «прямоугольник», состоящий из определённого количества строк и столбцов. Один такой «прямоугольник» называется страницей, а совокупность страниц называется банком. Весь набор ячеек условно делится на несколько областей.
Как запоминающее устройство (ЗУ), так и DRAM представляет собой модуль памяти какого-либо конструктивного исполнения, состоящий из печатной платы, на которой расположены микросхемы памяти, и разъёма, необходимого для подключения модуля к материнской плате.
Впервые динамическая память была применена в дешифровальной машине «Aquarius», использовавшейся во время Второй мировой войны в правительственной школе кодов и шифров в Блетчли-парк. Считывавшиеся с бумажной ленты символы «запоминались в динамическом хранилище. … Хранилище представляло собой блок конденсаторов, которые были либо заряжены, либо разряжены. Заряженный конденсатор соответствовал символу „X“ (логической единице), разряженный — символу „.“ (логическому нулю). Поскольку конденсаторы теряли заряд из-за утечки, на них периодически подавался импульс для подзарядки (отсюда термин динамическая)»[1].
В электронном калькуляторе фирмы Toshiba «Toscal BC-1411», поступившем в продажу в ноябре 1965 года[2][3], использовалась своеобразная память на конденсаторах общей ёмкостью 180 бит, выполненная на дискретных биполярных транзисторах[2][4].
В 1965 году исследователи из IBM Арнольд Фарбер и Юджин Шлиг создали ячейку памяти на затворе полевого транзистора и триггера на туннельном диоде в качестве усилителя чтения-регенерации[5]. Позже они заменили триггер на туннельном диоде двухтранзисторным триггером, кроме транзисторов, содержащим ещё два резистора. Эта структура усилителя чтения-регенерации стала называться ячейкой Фарбера — Шлига. В 1965 году Бенджамин Агуста с сотрудниками в IBM создали 16-разрядную кремниевую микросхему памяти на основе ячейки Фарбера — Шлига, содержащую 80 транзисторов, 64 резистора и 4 диода.