Гейм, Андрей Константинович
Нобелевская премия по физике (2010),
Медаль Копли (2013),
Медаль Хьюза (2010),
Премия Джона Карти (2010),
Премия Кёрбера (2009),
Премия Еврофизика (2008),
Премия Мотта (2007),
Шнобелевская премия (2000)
Андре́й Константи́нович Гейм (нидерл. Andre Geim; род. 21 октября 1958[1], Сочи) — советский, нидерландский и британский физик, лауреат Нобелевской премии по физике 2010 года (совместно с Константином Новосёловым), известен в первую очередь как один из разработчиков первого метода получения графена[2][3]. В 2011 году указом королевы Великобритании Елизаветы II за заслуги перед наукой ему присвоено звание рыцаря-бакалавра с официальным правом прибавлять к своему имени титул «сэр»[4]. Член Лондонского королевского общества (2007)[5] и иностранный член НАН США (2012).
Родился в 1958 году в Сочи, в семье инженеров немецкого происхождения[6] (единственным известным Гейму исключением среди его немецких предков была прапрабабка с материнской стороны, которая была еврейкой[7][8]). Гейм считает себя европейцем и полагает, что не нуждается в более подробной «таксономии»[8]. В 1964 году семья переехала в Нальчик.
Отец, Константин Алексеевич Гейм (1910—1998)[9], с 1964 года работал главным инженером Нальчикского электровакуумного завода[10]; мать, Нина Николаевна Байер (1927—?), работала главным технологом там же[10]. Единокровный брат матери — известный физик-теоретик Владимир Николаевич Байер, сын Николая Николаевича Байера, деда Андрея Гейма.
В 1975 году Андрей Гейм окончил с золотой медалью среднюю школу № 3 города Нальчика[9][10] и пытался поступить в МИФИ, но неудачно (препятствием явилось немецкое происхождение абитуриента)[9]. Вернувшись в Нальчик, проработал 8 месяцев на Нальчикском электровакуумном заводе[1]. В это время познакомился с В. Г. Петросяном и занимался у него усиленной подготовкой по физике[11].
В 1976 году поступил в Московский физико-технический институт. До 1982 года обучался на факультете общей и прикладной физики, окончил с отличием («четвёрка» в дипломе только по политэкономии социализма) и поступил в аспирантуру. В 1987 году получил степень кандидата физико-математических наук в Институте физики твёрдого тела РАН, защитив диссертацию на тему «Исследование механизмов транспортной релаксации в металлах методом геликонного резонанса» под руководством В. Т. Петрашова[12]. Работал научным сотрудником в ИФТТ АН СССР и в Институте проблем технологии микроэлектроники АН СССР[13].