Из Википедии, бесплатной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Амит Гоял
NewsImage 32093.png
Родившийся
Раджастхан, Индия
НациональностьСоединенные Штаты
ОбразованиеКолледж Мэйо , ИИТ Харагпур , Рочестерский университет , Университет Пердью , Тилбургский университет , Массачусетский технологический институт

Амит Гоял - директор-основатель междисциплинарного и междисциплинарного института RENEW (Исследования и образование в области энергетики, окружающей среды и воды) в SUNY-Buffalo в Буффало, штат Нью-Йорк. [1] Он также является заслуженным профессором SUNY и профессором инноваций SUNY Empire в SUNY-Buffalo . [1] Гойал ранее был научным сотрудником UT-Battelle, выдающимся изобретателем Battelle и выдающимся ученым ORNL в Национальных лабораториях Ок-Ридж в Теннесси . [2] Он также был председателем Совета корпоративных стипендиатов UT-Battelle-ORNL. [3]

Гоял - один из ведущих ученых мира в области современных электронных и энергетических материалов, включая высокотемпературные сверхпроводники . Он имеет более 85 выданных патентов . [4] [5] Он также имеет более 350 публикаций. [6] В 2009 году анализ цитирований и статей, опубликованных во всем мире за последнее десятилетие в области высокотемпературной сверхпроводимости в период с 1999 по 2009 год, проведенный Thomson Reuters Essential Science Indicators (ESI), поставил его как наиболее цитируемого автора. во всем мире в те годы. [7]

Он является членом Национальной инженерной академии и Национальной академии изобретателей.

Образование [ править ]

Гоял учился в колледже Майо в Аджмере , Раджастан, Индия. Он получил степень бакалавра технологий (бакалавр технических наук) с отличием в области металлургической инженерии в Индийском технологическом институте, Харагпур, в 1986 году. [8] Он получил степень магистра в области машиностроения и аэрокосмической техники в Университете Рочестера в 1988 году. его докторская степень. в материаловедения и инженерии из того же института в 1991 году имеет Executive MBA от Краннерт Business School при Университете Пердью , [9] исполнительный International MBA из университета Тилбурга, Нидерланды и исполнительный бизнес - обучение отШкола менеджмента Слоуна Массачусетского технологического института .

Университет Рочестер , Нью - Йорк, наградил его выдающуюся ученую медаль [10] в 2006 году и Индийский технологический институт присвоил ему выдающийся выпускник премию [11] в 2009 году.

Карьера [ править ]

Гоял присоединился к SUNY-Buffalo в качестве директора института RENEW и профессора инноваций в Империи в январе 2015 года. Ранее Гоял работал в Национальной лаборатории Ок-Ридж с 1991 по декабрь 2014 года. [2] Он занимается разработкой технологий чистой энергии и в области электронных устройств, таких как сверхпроводники и фотовольтаика . Его исследования способствовали развитию монокристаллических свойств сверхпроводящих материалов большой длины и проводов, которые позволяют создавать высокотемпературные сверхпроводники.чтобы обеспечить очень высокую производительность при минимальных затратах. Он также внес значительный вклад в области контроля текстуры и границ зерен, а также в другие электронные материалы, такие как фотоэлектрические.

В 2019 году он был награжден медалью президента Университета Буффало или SUNY-Buffalo [12], которая отмечает «выдающиеся научные или художественные достижения, гуманитарные действия, вклад времени или сокровищ, образцовое руководство или любой другой важный вклад в развитие Университет в Буффало и качество жизни в сообществе UB ». Это одна из самых высоких наград, присуждаемых университетом.

В 2018 году он был избран членом Национальной инженерной академии [13] США за «За достижения и вклад в материаловедение, позволяющие коммерциализировать высокотемпературные сверхпроводящие материалы».

В 2014 году он был избран членом Национальной академии изобретателей США за «демонстрацию чрезвычайно плодовитого духа новаторства в создании или продвижении выдающихся изобретений, которые оказали ощутимое влияние на качество жизни, экономическое развитие и благосостояние общества. ”

В 2011 году Гоял получил первую премию имени Е.О. Лоуренса за энергетические науки и инновации. [14] Премия Е.О. Лоуренса вручается министром энергетики США от имени президента США за выдающийся вклад в развитие, использование или контроль над атомной энергией и официально присуждается министром энергетики США. . [15] Он состоит из сертификата, золотой медали и денежного приза в размере 20 000 долларов. Награда была официально вручена на церемонии 21 мая 2012 г. [16]Награда Гояла отмечена его «новаторскими исследованиями и преобразующим вкладом в область прикладной высокотемпературной сверхпроводимости, включая фундаментальные достижения в области материаловедения и технические инновации, позволяющие широко применять эти новые материалы». Министр энергетики пригласил Гояла прочитать специальную лекцию, связанную с этой наградой, в USDOE . Лекция транслировалась в прямом эфире и была размещена в Science Cinema [17] и на YouTube. [18]

В 2010 году он получил награду «Новатор года по версии журнала R&D 2010». [19] [20] [21] [22] [23] Премия присуждается за карьерные достижения в научных исследованиях и развитии технологий, охватывающих дисциплины от медицинских технологий до информационных технологий. Среди других получателей - Илон Маск (2007 г.) [24] Дин Камен (2006 г.) [25] и Ларри Пейдж из Google (2012 г.). [26] Премия «Новатор года» является особым признанием за устойчивый инновационный вклад.

Журнал R&D также присуждает награды R&D100 100 наиболее инновационным продуктам, вводимым каждый год в любой области. Гоял получил десять наград R&D 100.

Сегодня NRI включил его в топ-10 списка «движущихся и встряхивающих» в 2010 году. [27] Он также был включен в топ-50 самых крутых идей 2010 года по версии DesiClub.com. [28]

Он является основателем, президентом и главным исполнительным директором TapeSolar Inc, [ цитата необходима ], которая разрабатывает солнечные элементы. Он также является основателем, президентом и генеральным директором TexMat LLC, холдинга интеллектуальной собственности и консалтинговой компании.

Награды и награды [ править ]

  • Избран в Национальную инженерную академию (2018) [29] [30] [31]
  • Президентский уровень, Премия Э. О. Лоуренса Министерства энергетики США в номинации «Энергетика и инновации» (2011 г.) [32] [30] [33]
  • Избран в Национальную академию изобретателей (2014) [34] [35]
  • Премия "Новатор года" журнала R&D (2010) [36] [37]
  • Мировая технологическая премия в области современных материалов (2012) [32]
  • Десять наград R&D 100 [30]
  • Награда Министерства энергетики США «Энергия 100» [30]
  • Награда Lockheed-Martin NOVA [30]
  • Премия выдающегося ученого Университета Рочестера [30] [38]
  • Премия «Выдающийся выпускник» Индийского технологического института [30] [39]
  • Награда MIT Global Indus Technovator (2005) [30] [40]
  • Премия TR-100 журнала MIT's Technology Review (1999) [30] [41]
  • Сотрудник NAI, [42] MRS, [43] APS, [44] ACERS, [45] ASM, [46] IOP, [30] [32] WTN, [30] [32] WIF [30] [32]

Членство в советах и ​​товарищества профессиональных обществ [ править ]

В настоящее время он входит в состав консультативных советов NanoTech Briefs, журнала Корейского института прикладной сверхпроводимости, недавних патентов по материаловедению и науке и технологиям сверхпроводников. Он также входит в состав редакционных советов научных отчетов журнала Nature, журнала исследований материалов и журнала Американского керамического общества , а также был приглашенным редактором журнала TMS, журнала минералов, металлов и материалов (JOM). Он работал председателем отдела электроники Американского керамического общества .

Он входит в Группу национальных академий по анализу Лаборатории измерения материалов NIST, Группу национальных академий по анализу исследовательской лаборатории армии США в области материаловедения, Консультативный комитет стипендиатов, Национальную академию изобретателей (NAI), Научно-консультативный совет, Центр наноматериалов Аргоннской национальной лаборатории, Совет управляющих Нью-Йоркского морского гранта и член Группы экспертов по разведке и технологиям национальных академий. Он также является членом Национальных академий, Национального совета по материалам и производству (NMMB).

Он является членом восьми [47] престижных профессиональных обществ, включая Общество исследования материалов , Американское физическое общество , Американскую ассоциацию развития науки , Институт инженеров по электротехнике и электронике , ASM International , Институт физики , американское общество керамики , Всемирный фонд инноваций и World Technology Network.

Он является членом Национальной инженерной академии (NAE) и Национальной академии изобретателей (NAI).

Ссылки [ править ]

  1. ^ a b «Руководство и персонал - ОБНОВЛЕНИЕ - Университет в Буффало» . www.buffalo.edu . Проверено 13 сентября 2018 года .
  2. ^ a b Corporate Fellows Архивировано 29 июня 2011 г. в Wayback Machine.
  3. ^ Национальная лаборатория Oak Ridge - Корпоративный Fellows Совет архивации 2 июля 2012, в Wayback Machine
  4. ^ "Впечатляющее патентное портфолио - Обзор ORNL Том 39, № 3, 2006" . Архивировано из оригинального 29 июня 2011 года . Проверено 13 сентября 2018 года .
  5. ^ «Раскрытие информации об изобретении / патенты» (PDF) . Проверено 13 сентября 2018 года .
  6. ^ «Архивная копия» (PDF) . Архивировано из оригинального (PDF) 24 декабря 2016 года . Проверено 13 сентября 2018 года . CS1 maint: заархивированная копия как заголовок ( ссылка )
  7. ^ Аналитика, Clarivate. "ScienceWatch.com - Clarivate Analytics" . sciencewatch.com . Проверено 13 сентября 2018 года .
  8. ^ "Выдающийся выпускник ИИТ Харагпур" . Архивировано из оригинала на 2016-05-31 . Проверено 13 сентября 2018 года .
  9. ^ Университет Пердью
  10. ^ "Премия выдающегося ученого Рочестера :: Почести и награды :: Офис Провоста :: Университет Рочестера" . www.rochester.edu . Архивировано из оригинального 12 апреля 2018 года . Проверено 13 сентября 2018 года .
  11. ^ "Выдающийся лауреат выпускника" . Архивировано из оригинала на 2016-05-31 . Проверено 13 сентября 2018 года .
  12. ^ «Амит Гоял награжден престижной университетской медалью президента Буффало» .
  13. ^ «Амит Гоял избран членом Национальной инженерной академии» . Проверено 18 ноября 2019 .
  14. ^ «Пресс-релизы» . www.ornl.gov . Проверено 13 сентября 2018 года .
  15. ^ "РБ Лафлин - Премия Э. О. Лоуренса" . large.stanford.edu . Проверено 13 сентября 2018 года .
  16. ^ "Церемония - Управление науки Министерства энергетики США (SC)" . science.energy.gov . Проверено 13 сентября 2018 года .
  17. ^ «Высокотемпературные сверхпроводники: от поставки до приложений (презентация от лауреата премии Эрнеста Орландо Лоуренса 2011 года, д-ра Амита Гояла, включая введение министра энергетики д-ра Стивена Чу)» . 22 мая 2012 . Проверено 13 сентября 2018 года . Цитировать журнал требует |journal=( помощь )
  18. ^ Docience (1 ноября 2012 г.). "Презентация доктора Амита Гояла" . Проверено 13 сентября 2018 г. - через YouTube.
  19. ^ «Новатор года в области исследований и разработок 2010 года: Амит Гоял, доктор философии» . 9 ноября 2010 . Проверено 13 сентября 2018 года .
  20. ^ "Деловая сторона сверхпроводимости" . 10 декабря 2010 . Проверено 13 сентября 2018 года .
  21. ^ «Пресс-релизы» . www.battelle.org . Проверено 13 сентября 2018 года .
  22. ^ "Архивная копия" . Архивировано из оригинала на 2014-04-07 . Проверено 2 июля 2013 .CS1 maint: заархивированная копия как заголовок ( ссылка )
  23. ^ "Новатор года журнала НИОКР ORNL Амита Гояла" . Проверено 13 сентября 2018 года .
  24. ^ "Журнал НИОКР назвал Новатора 2007 года" . 8 июня 2007 . Проверено 13 сентября 2018 года .
  25. ^ «Чтобы построить лучший мир» . 21 августа 2006 . Проверено 13 сентября 2018 года .
  26. ^ https://www.rdmag.com/article/2016/07/look-back-r-ds-innovator-year—larry-page
  27. ^ "Архивная копия" . Архивировано из оригинала на 2011-07-27 . Проверено 1 сентября 2012 .CS1 maint: заархивированная копия как заголовок ( ссылка )
  28. ^ "Архивная копия" . Архивировано из оригинала на 2012-09-30 . Проверено 1 сентября 2012 .CS1 maint: заархивированная копия как заголовок ( ссылка )
  29. ^ «Национальная инженерная академия избирает 83 члена и 16 иностранных членов» . Веб-сайт NAE . Проверено 13 сентября 2018 года .
  30. ^ a b c d e f g h i j k l "Амит Гоял избран членом Национальной инженерной академии - Университета в Буффало" . www.buffalo.edu . Проверено 13 сентября 2018 года .
  31. ^ "Д-р Амит Гоял избран в Национальную инженерную академию" . Energy.gov . Проверено 13 сентября 2018 года .
  32. ^ a b c d e "Амит Гоял - ОРНЛ" . www.ornl.gov . Проверено 13 сентября 2018 года .
  33. ^ «Амит Гоял, 2011 - Управление науки Министерства энергетики США (SC)» . science.energy.gov . Проверено 13 сентября 2018 года .
  34. ^ "Гойал из ORNL избран членом Национальной академии изобретателей" . 19 декабря 2014 . Проверено 13 сентября 2018 года .
  35. ^ «Исследователи - Национальная академия изобретателей» . academyofinventors.com . Проверено 13 сентября 2018 года .
  36. ^ «Новатор года в области исследований и разработок 2010 года: Амит Гоял, доктор философии» . 9 ноября 2010 . Проверено 13 сентября 2018 года .
  37. ^ "Новатор года журнала НИОКР ORNL Амита Гояла - ORNL" . www.ornl.gov . Проверено 13 сентября 2018 года .
  38. ^ "Премия выдающегося ученого Рочестера :: Почести и награды :: Офис Провоста :: Университет Рочестера" . www.rochester.edu . Архивировано из оригинального 12 апреля 2018 года . Проверено 13 сентября 2018 года .
  39. ^ [www.stepofweb.com], Дорин Григорас. «Выпускники - выпускники» . www.alumni.iitkgp.ac.in . Проверено 13 сентября 2018 года .
  40. ^ "Global Indus Technovator Awards" . web.mit.edu . Проверено 13 сентября 2018 года .
  41. ^ Обзор, MIT Technology. «Новатор до 35 лет: Амит Гоял, 34 года» . Обзор технологий Массачусетского технологического института . Проверено 13 сентября 2018 года .
  42. ^ "Амит Гоял: изобретатель всех звезд" . 16 декабря 2014 . Проверено 13 сентября 2018 года .
  43. ^ "Стипендиаты MRS 2012" . www.mrs.org . Проверено 13 сентября 2018 года .
  44. ^ "Товарищество APS" . www.aps.org . Проверено 13 сентября 2018 года .
  45. ^ http://ceramics.org/wp-content/uploads/2013/02/fellows_recipients_from_1930-2017-1.pdf
  46. ^ https://www.asminternational.org/documents/10192/6066610/2005.pdf/32a2ee1a-e035-4744-82f4-1f089ef7bb9b
  47. ^ http://www.buffalo.edu/renew/news-and-events/latest-news.host.html/content/shared/university/news/news-center-releases/2021/01/001.detail.html . Отсутствует или пусто |title=( справка )

Внешние ссылки [ править ]

  • https://web.archive.org/web/20101220023430/http://blogs.knoxnews.com/munger/ornl/
  • http://www.thewif.org.uk/home.php?xy=640&pl=&PHPSESSID=d4088bf5768bc8360ab48411422ab1d8
  • http://www.ornl.gov/info/press_releases/get_press_release.cfm?ReleaseNumber=mr20101101-00