Перейти к навигации Перейти к поиску
 | В этой статье слишком много ссылок на первоисточники . ( Июль 2020 г. ) ( Узнайте, как и когда удалить этот шаблон сообщения ) |
Премия им. Дж. Дж. Эберса была учреждена в 1971 году для содействия развитию электронных устройств . Он посвящен Джуэллу Джеймсу Эберсу , вклад которого, в частности, в транзисторы , сформировал понимание и технологию электронных устройств. Он ежегодно предоставляется одному или нескольким лицам, которые сделали один или несколько вкладов признанного научного, экономического или социального значения в широкой области электронных устройств. Получатель (или получатели) награждается сертификатом и чеком на 5000 долларов, представленным на International Electron Devices Meeting .
Получатели [ править ]
Прошлые получатели:
- 1971 Джон Л. Молл
- 1972 Чарльз В. Мюллер
- 1973 Герберт Кремер
- 1974 Эндрю С. Гроув
- 1975 Жак И. Панков
- 1976 Мэрион Э. Хайнс
- 1977 Энтони Э. Сигман
- 1978 Хунг С. Лин
- 1979 Джеймс М. Ранний
- 1980 Джеймс Д. Майндл
- 1981 Чих-Тан Сах
- 1982 Артур Г. Милнс
- 1983 Адольф Гетцбергер
- 1984 Идзуо Хаяси
- 1985 Уолтер Ф. Косоноки
- 1986 Паллаб К. Чаттерджи
- 1987 Роберт В. Даттон
- 1988 Эл Ф. Таш мл.
- 1989 Так Х. Нин
- 1990 Ёсиюки Такеиси
- 1991 Саймон Мин Сзе
- 1992 Луи К. Паррилло
- 1993 Карл Гесс
- 1994 Альфред У. Макрэ
- 1995 Мартин А. Грин
- 1996 Тецуши Сакаи
- 1997 Марвин Х. Уайт
- 1998 Б. Джаянт Балига
- 1999 Джеймс Т. Клеменс
- 2000 Бернард С. Мейерсон
- 2001 Хироши Иваи
- 2002 Лестер Ф. Истман
- 2003 Джеймс Д. Пламмер
- 2004 Джерри Г. Фоссум
- 2005 Биджан Давари «За вклад в технологию глубоких субмикронных КМОП и их влияние на индустрию ИС » [1]
- 2006 г. Гавам Шахиди «За вклад и лидерство в разработке КМОП-технологии кремний-на-изоляторе » [1]
- 2007 Стивен Дж. Пиртон «за разработку передовых технологий обработки полупроводниковых соединений и разъяснение роли дефектов и примесей в устройствах из полупроводниковых соединений» [1]
- 2008 Марк Р. Пинто «За вклад в широко применяемые инструменты моделирования полупроводниковой технологии» [1]
- 2009 Баруху Левушу «За вклад в развитие широко применяемых инструментов моделирования в индустрии вакуумной электроники » [1]
- 2010 Марк Э. Ло «За вклад в широко используемое моделирование процессов кремниевых интегральных схем » [2]
- 2011 Стюарт Уэнам «За технический вклад и успешную коммерциализацию высокоэффективных солнечных элементов » [2]
- 2012 Юань Таур «За вклад в развитие нескольких поколений КМОП-технологий» [2]
- 2013 Нобуказу Тераниши «За разработку концепции закрепленных фотодиодов, широко используемых в датчиках изображения » [2]
- 2014 Иоахим Н. Бургхартц «За вклад в создание интегрированных спиральных индукторов для ИС беспроводной связи и ультратонких кремниевых устройств для развивающейся гибкой электроники » [2]
- 2015 Джек Юань-Чен Сун «За устойчивое лидерство и технический вклад в энергоэффективные литейные КМОП-технологии» [2]
- 2016 Ярослав Хинечек «За новаторскую работу и продвижение технологий датчиков изображения CCD и CMOS » [2]
См. Также [ править ]
- Премия IEEE Эндрю С. Гроув
Ссылки [ править ]
- Заметки
- ^ a b c d e "Лауреаты Премии Дж. Дж. Эберса в прошлом" . Общество электронных устройств IEEE . Институт инженеров по электротехнике и радиоэлектронике . Проверено 16 сентября 2019 .
- ^ Б с д е е г J.J. Премия Эберса , Институт инженеров по электротехнике и радиоэлектронике , заархивировано из оригинала 3 февраля 2014 г. , извлечено 3 февраля 2017 г.
- Источники
- Джеймс М. Ранний (сентябрь 1971 г.) Объявление: учреждение премии Electron Devices Group , IEEE Transactions on Electron Devices , volume ED 18, No. 9, page 613.
- Премия имени Дж. Дж. Эберса Общества IEEE Electron Devices