Из Википедии, свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Джон Бардин
Bardeen.jpg
Рожденный( 1908-05-23 )23 мая 1908 г.
Мэдисон, Висконсин , США
Умер30 января 1991 г. (1991-01-30)(82 года)
Бостон, Массачусетс , США
ОбразованиеУниверситет Висконсина ( бакалавр , магистр ),
Принстонский университет ( доктор философии )
Известен
Супруг (а)
Джейн Максвелл
Взаимодействие с другими людьми
( М.  1938 )
Дети
Награды
Научная карьера
ПоляФизика
УчрежденияBell Telephone Laboratories
Иллинойсского университета в Урбане-Шампейн
ТезисКвантовая теория работы выхода  (1936)
ДокторантЮджин Вигнер [4]
Докторанты

Джон Бардин ( / б ɑːr д я н / ; 23 мая 1908 - 30 января, 1991) [3] был американский физик . Он единственный, кто дважды был удостоен Нобелевской премии по физике : сначала в 1956 году вместе с Уильямом Шокли и Уолтером Браттейном за изобретение транзистора ; и снова в 1972 году с Леоном Н. Купером и Джоном Робертом Шриффером для фундаментальной теории обычной сверхпроводимости, известной как теория БКШ . [2] [6]

Транзистор произвел революцию в электронной промышленности, сделав возможным разработку почти всех современных электронных устройств, от телефонов до компьютеров , и положил начало информационной эре . Разработки Бардина в области сверхпроводимости, за которые он получил свою вторую Нобелевскую премию, используются в спектроскопии ядерного магнитного резонанса (ЯМР) и медицинской магнитно-резонансной томографии (МРТ).

Бардин родился и вырос в Висконсине и получил докторскую степень по физике в Принстонском университете . После службы во Второй мировой войне он был исследователем в Bell Labs и профессором Иллинойского университета . В 1990 году Бардин появился в списке журнала Life «100 самых влиятельных американцев века». [7]

Образование и ранняя жизнь [ править ]

Бардин родился в Мэдисоне, штат Висконсин , 23 мая 1908 года. [8] Он был сыном Чарльза Бардина , первого декана Медицинской школы Университета Висконсина.

Бардин учился в средней школе университета в Мэдисоне. Он окончил школу в 1923 году в возрасте 15 лет. [8] Он мог закончить ее на несколько лет раньше, но это было отложено, потому что он учился в другой средней школе и из-за смерти его матери. Он поступил в Висконсинский университет в 1923 году. Во время учебы в колледже он присоединился к братству Зетов Пси . Он поднял необходимые членские взносы отчасти за счет игры в бильярд. Он был инициирован как член инженерного общества Тау Бета Пи . Он выбрал инженерное дело, потому что не хотел быть академиком, как его отец. Он также считал, что у инженеров есть хорошие перспективы трудоустройства. [9]

Бардин получил степень бакалавра наук в области электротехники в 1928 году в Университете Висконсин-Мэдисон. [10] Он закончил учебу в 1928 году, несмотря на годичный отпуск в Чикаго. [11] Он прошел все аспирантские курсы по физике и математике, которые его интересовали, и закончил их за пять лет вместо обычных четырех. Это дало ему время завершить магистерскую диссертацию, которую руководил Лео Дж. Петерс. Он получил степень магистра электротехники в 1929 году в Висконсине. [4] [10]

Бардин продолжал учебу, оставаясь в Висконсине, но в конце концов перешел на работу в Gulf Research Laboratories , исследовательское подразделение корпорации Gulf Oil Corporation, базирующейся в Питтсбурге . [7] С 1930 по 1933 год Бардин работал там над разработкой методов интерпретации магнитных и гравитационных съемок. [8] Он работал геофизиком. После того, как работа не удержала его интереса, он подал заявление и был принят в аспирантуру по математике в Принстонском университете . [9]

Будучи аспирантом, Бардин изучал математику и физику. Под руководством физика Юджина Вигнера он закончил работу над диссертацией по проблеме физики твердого тела . Прежде чем завершить диссертацию, ему предложили должность младшего научного сотрудника Общества стипендиатов Гарвардского университета в 1935 году. Следующие три года он провел там, с 1935 по 1938 год, работая с будущими лауреатами Нобелевской премии по физике Джоном Хасбруком ван Флеком. и Перси Уильямс Бриджмен по проблемам когезии и электропроводности в металлах, а также выполнил некоторые работы по плотности уровней ядер. Он получил докторскую степень. по математической физике из Принстона в 1936 году.[8]

Карьера и исследования [ править ]

Служба Второй мировой войны [ править ]

С 1941 по 1944 год Бардин возглавлял группу, работавшую над магнитными минами и торпедами, а также против мин и торпед в Лаборатории военно-морской артиллерии . За это время его жена Джейн родила сына (Билл, 1941 г.р.) и дочь (Бетси, 1944 г.р.). [12]

Bell Labs [ править ]

Джон Бардин, Уильям Шокли и Уолтер Браттейн в Bell Labs, 1948 год.

В октябре 1945 года Бардин начал работать в Bell Labs . Он был членом группы физиков твердого тела , возглавляемой Уильямом Шокли и химиком Стэнли Морганом. В группе также работали Уолтер Браттейн , физик Джеральд Пирсон , химик Роберт Гибни, эксперт по электронике Гилберт Мур и несколько технических специалистов. Он перевез свою семью в Саммит, штат Нью-Джерси . [13]

Задача группы заключалась в поиске твердотельной альтернативы хрупким стеклянным ламповым усилителям. Их первые попытки были основаны на идеях Шокли об использовании внешнего электрического поля на полупроводнике, чтобы повлиять на его проводимость. Эти эксперименты каждый раз загадочным образом терпели неудачу во всевозможных конфигурациях и материалах. Группа стояла на месте, пока Бардин не предложил теорию, основанную на поверхностных состояниях, которые не позволяли полю проникать в полупроводник. Группа сменила фокус на изучение этих поверхностных состояний, и они собирались почти ежедневно, чтобы обсудить работу. В группе было отличное взаимопонимание, и происходил свободный обмен идеями. [14] К зиме 1946 года у них было достаточно результатов, и Бардин представил статью о состояниях поверхности.Физический обзор . Браттейн начал эксперименты по изучению поверхностных состояний посредством наблюдений, сделанных при освещении поверхности полупроводника ярким светом. Это привело к появлению еще нескольких статей (одна из них написана в соавторстве с Шокли), в которых плотность поверхностных состояний оценивалась как более чем достаточная для объяснения неудачных экспериментов. Темп работ значительно ускорился, когда точечные контакты между полупроводником и проводящими проводами начали окружать электролитами . Мур построил схему, которая позволяла им легко изменять частоту входного сигнала, и предложил использовать борат гликоля (гу), вязкое химическое вещество, которое не испаряется. Наконец, они начали получать некоторые доказательства усиления мощности, когда Пирсон, действуя по предложению Шокли,[15] подавали напряжение на каплю гу, помещенную через p − n-переход .

Изобретение транзистора [ править ]

Основные статьи: Транзистор и история транзистора
Стилизованная копия первого транзистора, изобретенного в Bell Labs 23 декабря 1947 года.

23 декабря 1947 года Бардин и Браттейн работали без Шокли, когда им удалось создать точечный транзистор с усилением. К следующему месяцу патентные поверенные Bell Labs начали работу над патентными заявками. [16]

Адвокаты Bell Labs вскоре обнаружили, что принцип полевого эффекта Шокли был предвиден и запатентован в 1930 году Джулиусом Лилиенфельдом , который 22 октября 1925 года подал в Канаде свой патент на MESFET [17].

Шокли публично взял на себя львиную долю кредита на изобретение транзистора; это привело к ухудшению отношений Бардина с Шокли. [18] Однако руководство Bell Labs последовательно представляло всех трех изобретателей как команду. Шокли в конечном итоге взбесил и оттолкнул Бардина и Браттейна, и он по сути заблокировал им обоим работу над переходным транзистором. Бардин начал заниматься теорией сверхпроводимости и покинул Bell Labs в 1951 году. Браттейн отказался от дальнейшей работы с Шокли и был переведен в другую группу. Ни Бардин, ни Браттейн не имели особого отношения к разработке транзистора по прошествии первого года после его изобретения. [19] [20]

«Транзистор» ( портмоне «крутизны» и «резистора») был 1/50 размера электронных ламп, которые он заменял в телевизорах и радиоприемниках, потреблял гораздо меньше энергии, был гораздо более надежным и позволял электрическим устройствам стать более компактный. [7]

Иллинойсский университет в Урбане-Шампейн [ править ]

Мемориальная доска, посвященная памяти Джона Бардина и теории сверхпроводимости, в Университете Иллинойса в Урбане-Шампейне.

К 1951 году Бардин искал новую работу. Фред Зейтц, друг Бардина, убедил Иллинойсский университет в Урбане-Шампейне сделать Бардину предложение в размере 10 000 долларов в год. Бардин принял предложение и покинул Bell Labs. [16] Он поступил на инженерный и физический факультеты Иллинойского университета в Урбана-Шампейн в 1951 году. Он был профессором электротехники и физики в Иллинойсе. Его доктор философии. студент Ник Холоняк (1954 г.) изобрел светодиод в 1962 г. [5]

В Иллинойсе он основал две крупные исследовательские программы: одну в отделе электротехники и одну в отделении физики. Программа исследований на кафедре электротехники касалась как экспериментальных, так и теоретических аспектов полупроводников, а программа исследований на физическом факультете касалась теоретических аспектов макроскопических квантовых систем, особенно сверхпроводимости и квантовых жидкостей. [21]

Он был активным профессором в Иллинойсе с 1951 по 1975 год, а затем стал почетным профессором. [7] В более позднюю жизнь Бардин оставался активным в академических исследованиях, в течение которых он сосредоточился на понимании потока электронов в волнах зарядовой плотности (ВЗП) через соединения металлических линейных цепей. Его предложения [22] [23] [24] о том, что перенос электронов ВЗП является коллективным квантовым явлением (см. Макроскопические квантовые явления ), первоначально были встречены скептицизмом. [25] Однако эксперименты, опубликованные в 2012 г. [26] показывают осцилляции тока ВЗП в зависимости от магнитного потока через трисульфидные кольца тантала, аналогичные поведению сверхпроводящих устройств квантовой интерференции (см. СКВИД и эффект Ааронова-Бома ), подтверждая идею о том, что коллективный перенос электронов ВЗП имеет фундаментально квантовую природу. [27] [28] (См. Квантовую механику .) Бардин продолжал свои исследования в течение 1980-х и опубликовал статьи в Physical Review Letters [29] и Physics Today [30] менее чем за год до своей смерти.

Нобелевская премия по физике 1956 г. [ править ]

В 1956 году Джон Бардин разделил Нобелевскую премию по физике с Уильямом Шокли из лаборатории полупроводников компании Beckman Instruments и Уолтером Браттейном из компании Bell Telephone Laboratories « за их исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта ». [31]

В тот вечер на церемонии вручения Нобелевской премии в Стокгольме Браттейн и Шокли получили свои награды от короля Густава VI Адольфа . Бардин привел на церемонию вручения Нобелевской премии только одного из своих троих детей. Король Густав упрекнул Бардина из-за этого, и Бардин заверил короля, что в следующий раз он приведет всех своих детей на церемонию. Он сдержал свое обещание. [32]

Теория BCS [ править ]

Основная статья: теория BCS

В 1957 году Бардин в сотрудничестве с Леоном Купером и его докторантом Джоном Робертом Шриффером предложил стандартную теорию сверхпроводимости, известную как теория БКШ (названная по их инициалам). [7]

Нобелевская премия по физике 1972 г. [ править ]

В 1972 году Бардин разделил Нобелевскую премию по физике с Леоном Купером из Университета Брауна и Джоном Робертом Шриффером из Университета Пенсильвании «за их совместно разработанную теорию сверхпроводимости, обычно называемую теорией БКШ». [33] Это была вторая Нобелевская премия Бардина по физике. Он стал первым, кто получил две Нобелевские премии в той же области. [34] Только трое других когда-либо получали более одной Нобелевской премии. [35]

Бардин привел троих детей на церемонию вручения Нобелевской премии в Стокгольме. [32] Бардин отдал большую часть своей Нобелевской премии на финансирование лекций памяти Фрица в Лондоне в Университете Дьюка . [36]

Другие награды [ править ]

Помимо того, что он дважды был удостоен Нобелевской премии, Бардин имеет множество других наград, в том числе:

  • 1952 Институт Франклина «s Стюарт Ballantine медаль .
  • 1959 избран членом Американской академии искусств и наук [37].
  • Национальная медаль науки 1965 года . [38]
  • Почетная медаль IEEE 1971 года за «большой вклад в понимание проводимости твердых тел, изобретение транзистора и микроскопическую теорию сверхпроводимости».
  • Избран иностранным членом Королевского общества (ForMemRS) в 1973 году . [3] [39]
  • Медаль Франклина 1975 года .
  • 10 января 1977 года Джон Бардин был награжден Президентской медалью свободы президентом Джеральдом Фордом . На церемонии его представлял сын Уильям Бардин.
  • Бардин был одним из 11 получателей данных третьей премии века от президента Джорджа Буша - старшего в 1990 году за «исключительный вклад в американское общество» и получил золотую медаль от Академии наук СССР в 1988 году.
  • Премия "Золотая тарелка" Американской академии достижений 1987 года [40]

Xerox [ править ]

Бардин также был важным советником Xerox Corporation . Хотя по натуре он был тихим, он предпринял нехарактерный шаг, призвав руководителей Xerox сохранить на плаву свой калифорнийский исследовательский центр Xerox PARC , когда материнская компания подозревала, что ее исследовательский центр будет малоэффективным.

Личная жизнь [ править ]

Бардин женился на Джейн Максвелл 18 июля 1938 года. Находясь в Принстоне, он встретил Джейн во время визита к своим старым друзьям в Питтсбурге .

Бардин был ученым с очень скромным характером. Хотя он почти 40 лет проработал профессором в Университете Иллинойса, его больше всего запомнили соседи за то, что он устраивал кулинарные ужины, где он готовил еду для своих друзей, многие из которых не знали о его достижениях в университете. Он всегда спрашивал своих гостей, нравится ли им поджаренная булочка с гамбургером (так как ему так нравилась его). Ему нравилось играть в гольф и устраивать пикники со своей семьей. Лилиан Ходдсон, историк из Университета Иллинойса, написавшая книгу о Бардине, сказала, что, поскольку он «радикально отличался от популярного стереотипа о« гении »и не был заинтересован в том, чтобы казаться отличным от обычного, публика и средства массовой информации часто не обращали на него внимания». [5]

Когда Бардина спросили о его убеждениях во время интервью 1988 года, он ответил: «Я не религиозный человек, поэтому не думаю об этом много». Однако он также сказал: «Я чувствую, что наука не может дать ответ на основные вопросы о смысле и цели жизни». Бардин действительно верил в кодекс моральных ценностей и поведения. [41] Детей Джона Бардина привела в церковь его жена, которая преподавала в воскресной школе и была церковным старейшиной. [42] Несмотря на это, он и его жена дали понять, что они не верят в загробную жизнь и другие религиозные идеи. [43]

Смерть [ править ]

Бардин умер от болезни сердца в возрасте 82 лет в Бригаме и женской больнице в Бостоне , штат Массачусетс , 30 января 1991 года. [44] Хотя он жил в Шампейн-Урбане , он приехал в Бостон для медицинской консультации. [7] Бардин и его жена Джейн (1907–1997) похоронены на кладбище Форест-Хилл , Мэдисон, Висконсин. [45] У них остались трое детей, Джеймс , Уильям и Элизабет Бардин Грейтак, а также шесть внуков. [7]

Наследие [ править ]

Ближе к концу этого десятилетия, когда они начинают перечислять имена людей, оказавших наибольшее влияние на 20-й век, имя Джона Бардина, умершего на прошлой неделе, должно быть рядом или, возможно, даже возможно, на вершине. списка ... Г-н Бардин разделил две Нобелевские премии и был удостоен множества других наград. Но какая большая честь может быть, когда каждый из нас может оглянуться вокруг и повсюду видеть напоминания о человеке, чей гений сделал нашу жизнь дольше, здоровее и лучше.

- Передовая статья Chicago Tribune , 3 февраля 1991 г.

В честь профессора Бардина инженерный четырехугольник Университета Иллинойса в Урбане-Шампейне назван Bardeen Quad.

Также в честь Бардина корпорация Sony предоставила профессорскую кафедру Джона Бардина за 3 миллиона долларов в Университете Иллинойса в Урбана-Шампейн, начиная с 1990 года. [44] Корпорация SONY во многом обязана своим успехом коммерциализации транзисторов Бардина в портативных телевизорах и радиоприемниках. и работал с исследователями из Иллинойса. Нынешний профессор Джона Бардина - Ник Холоньяк , докторант и протеже Бардина.

Во время смерти Бардина тогдашний канцлер Университета Иллинойса Мортон Вейр сказал: «Это редкий человек, чья работа меняет жизнь каждого американца; это сделал Джон». [34]

Бардин был отмечен 6 марта 2008 года на почтовой марке США в рамках серии «Американские ученые», разработанной художником Виктором Стабиным . Марка за 0,41 доллара была открыта на церемонии в Университете Иллинойса. [46] Его цитата гласит: «Физик-теоретик Джон Бардин (1908–1991) дважды был лауреатом Нобелевской премии по физике - в 1956 году как соавтор транзистора и в 1972 году за объяснение сверхпроводимости. Транзистор проложил путь для всей современной электроники, от компьютеров до микрочипов. Разнообразные применения сверхпроводимости включают инфракрасные датчики и медицинские системы визуализации ». Среди других ученых в списке «Американские ученые» - биохимик Герти Кори ,химик Линус Полинги астроном Эдвин Хаббл .

Ссылки [ править ]

  1. ^ "Элизабет Грейтак, системный аналитик" . The Boston Globe . Бостон. 25 декабря, 2000. Архивировано из оригинала на 1 марта 2016 года . Проверено 27 декабря 2014 года .
  2. ^ a b Биография Бардина из Нобелевского фонда
  3. ^ a b c Пиппард Б. (1994). «Джон Бардин. 23 мая 1908–30 января 1991». Биографические воспоминания членов Королевского общества . 39 : 20–34. DOI : 10,1098 / rsbm.1994.0002 . S2CID 121943831 . 
  4. ^ a b c d Джон Бардин в проекте « Математическая генеалогия»
  5. ^ a b c «Славные парни могут закончить как гении в Университете штата Иллинойс в Урбане-Шампейне» . Чикаго Трибьюн: Служба новостей Knight Ridder . 25 января 2003 . Проверено 3 августа 2007 года .
  6. ^ Ходдсон, Лилиан и Вики Дэйч. Истинный гений: жизнь и наука Джона Бардина . National Academy Press, 2002. ISBN 0-309-08408-3 
  7. ^ a b c d e f g "Джон Бардин, лауреат Нобелевской премии, изобретатель транзистора, умирает" . Вашингтон Пост . 31 января 1991 года Архивировано из оригинала на 2 ноября 2012 года . Проверено 3 августа 2007 года .
  8. ^ a b c d "Биография Джона Бардина" . Нобелевский фонд . Проверено 1 ноября 2007 года .
  9. ^ а б "Биография Джона Бардина 1" . PBS . Проверено 24 декабря 2007 года .
  10. ^ a b "Биографическая справка Джона Бардина" . Нобелевский фонд . Проверено 1 ноября 2007 года .
  11. ↑ Дэвид Пайнс (1 мая 2003 г.). «Джон Бардин: гений в действии» . Physicsworld.com. Архивировано из оригинального 20 октября 2007 года . Проверено 7 января 2008 года .
  12. ^ Сосны, Дэвид. «Джон Бардин». (2013). http://www.nasonline.org/publications/biographic-memoirs/memoir-pdfs/bardeen-john.pdf
  13. ^ Дайч, Вики; Ходдесон, Лилиан (28 октября 2002 г.). Истинный гений: жизнь и наука Джона Бардина . Джозеф Генри Пресс. п. 117 . ISBN 9780309084086. Однако вскоре жизнь на Саммите станет для Бардинов легкой и богатой.
  14. ^ Риордан, Майкл; Ходдсон, Лилиан (1997). Хрустальный огонь . WW Norton & Company. п. 127 . ISBN 9780393041248.
  15. ^ Риордан, Майкл; Ходдсон, Лилиан (1997). Кристальный огонь: рождение информационного века . WW Norton & Company. п. 132 . ISBN 9780393041248.
  16. ^ а б "Биография Джона Бардина 2" . PBS . Проверено 24 декабря 2007 года .
  17. ^ США 1745175  «Способ и устройство для управления электрическим током» первой подачи в Канаде 22 октября 1925
  18. ^ Дайан Кормос Бухвальд. American Scientist 91.2 (март-апрель 2003 г.): 185–86.
  19. ^ Хрустальный огонь с. 278
  20. Перейти ↑ R Kessler, 1997, Absent at the Creation , Washington Post Magazine.
  21. ^ "Биография в Университете Иллинойса в Урбане-Шампейне" . Университет Иллинойса в Урбане-Шампейн. Архивировано из оригинала на 11 октября 2007 года . Проверено 6 ноября 2007 года .
  22. ^ Бардин, Джон (1979). «Теория неомической проводимости от волн зарядовой плотности в NbSe3». Письма с физическим обзором . 42 (22): 1498–1500. Bibcode : 1979PhRvL..42.1498B . DOI : 10.1103 / PhysRevLett.42.1498 .
  23. ^ Бардин, Джон (1980). "Туннельная теория депиннинга волны зарядовой плотности". Письма с физическим обзором . 45 (24): 1978–1980. Bibcode : 1980PhRvL..45.1978B . DOI : 10.1103 / PhysRevLett.45.1978 .
  24. ^ JH Миллер, младший; Дж. Ричард; JR Tucker; Джон Бардин (1983). «Свидетельства туннелирования волн зарядовой плотности в TaS3». Письма с физическим обзором . 51 (17): 1592–1595. Bibcode : 1983PhRvL..51.1592M . DOI : 10.1103 / PhysRevLett.51.1592 .
  25. ^ Сосны, Дэвид (2009). «Биографические воспоминания: Джон Бардин» (PDF) . Труды Американского философского общества . 153 (3): 287–321. Архивировано из оригинального (PDF) 24 мая 2013 года.
  26. ^ М. Цубота; К. Инагаки; Т. Мацуура; С. Танда (2012). «Эффект Ааронова-Бома в петлях волны зарядовой плотности с внутренним переключением тока во времени». EPL . 97 (5): 57011. arXiv : 0906.5206 . Bibcode : 2012EL ..... 9757011T . DOI : 10.1209 / 0295-5075 / 97/57011 .
  27. ^ JH Миллер, младший; А.И. Виджесингхе; Z. Tang; А.М. Гулой (2012). «Коррелированный квантовый перенос электронов волны плотности». Письма с физическим обзором . 108 (3): 036404. arXiv : 1109.4619 . Bibcode : 2012PhRvL.108c6404M . DOI : 10.1103 / PhysRevLett.108.036404 . PMID 22400766 . S2CID 29510494 .  
  28. ^ JH Миллер, младший; А.И. Виджесингхе; Z. Tang; А.М. Гулой (2013). «Когерентный квантовый перенос волн зарядовой плотности». Physical Review B . 87 (11): 115127. arXiv : 1212.3020 . Bibcode : 2013PhRvB..87k5127M . DOI : 10.1103 / PhysRevB.87.115127 . S2CID 119241570 . 
  29. ^ Бардин, Джон (1990). «Теория размерных эффектов при депиннинге волн зарядовой плотности». Письма с физическим обзором . 64 (19): 2297–2299. Bibcode : 1990PhRvL..64.2297B . DOI : 10.1103 / PhysRevLett.64.2297 . PMID 10041638 . 
  30. ^ Бардин, Джон (1990). «Сверхпроводимость и другие макроскопические квантовые явления» . Физика сегодня . 43 (12): 25–31. Bibcode : 1990PhT .... 43l..25B . DOI : 10.1063 / 1.881218 . Архивировано из оригинального 15 апреля 2013 года .
  31. ^ «Нобелевская премия по физике в 1956 году» . Нобелевский фонд . Проверено 6 ноября 2007 года .
  32. ^ а б "Биография Джона Бардина 3" . PBS . Проверено 24 декабря 2007 года .
  33. ^ «Нобелевская премия по физике 1972 года» . Нобелевский фонд . Проверено 19 декабря 2007 года .
  34. ^ a b «Физик Джон Бардин, 82 года, пионер транзисторов, лауреат Нобелевской премии» . Чикаго Сан-Таймс . 31 января 1991 года Архивировано из оригинала на 2 ноября 2012 года . Проверено 3 августа 2007 года .
  35. ^ ср. Список лауреатов Нобелевской премии # Лауреаты
  36. ^ "Премия памяти Фрица Лондона" . Университет Дьюка . Проверено 24 декабря 2007 года .
  37. ^ «Книга членов, 1780–2010: Глава B» (PDF) . Американская академия искусств и наук . Проверено 15 апреля 2011 года .
  38. ^ «Национальная медаль президента за науку: Сведения о получателе - Национальный научный фонд США (NSF)» . nsf.gov . Проверено 25 февраля 2014 года .
  39. ^ «Братство Королевского общества 1660–2015» . Лондон: Королевское общество . Архивировано из оригинального 15 октября 2015 года.
  40. ^ "Золотые медали Американской академии достижений" . www.achievement.org . Американская академия достижений .
  41. ^ Ходдесон, Лилиан; Даич, Вики (2002). Истинный гений: жизнь и наука Джона Бардина . Джозеф Генри Пресс. ISBN 9780309169547. Мать Джона, Алтея, была воспитана в традициях квакеров, а его мачеха Рут была католичкой, но Джон на протяжении всей своей жизни был решительно светским человеком. Однажды его «застали врасплох», когда один из интервьюеров задал ему вопрос о религии. «Я не религиозный человек, - сказал он, - поэтому не думаю об этом особо». Он продолжил редкую разработку своих личных убеждений. «Я чувствую, что наука не может дать ответ на основные вопросы о смысле и цели жизни. С религией можно получить ответы на вере. Большинство ученых оставляют их открытыми и, возможно, не имеющими ответа, но соблюдают кодекс моральных ценностей. Для успеха цивилизованного общества должен существовать общий консенсус в отношении моральных ценностей и морального поведения с должным учетом благополучия наших собратьев.Вероятно, существует множество наборов моральных ценностей, совместимых с успешным цивилизованным обществом. Когда они вступают в конфликт, возникают трудности ».
  42. ^ Daitch & Hoddeson (2002). Истинный гений :: Жизнь и наука Джона Бардина . Джозеф Генри Пресс, стр. 168–169.
  43. ^ Vicki Daitch, Лилиан Hoddeson (2002). «Последнее путешествие». Истинный гений :: Жизнь и наука Джона Бардина . Джозеф Генри Пресс. п. 313. ISBN 9780309169547. Каждый раз, когда мы посещаем поминальную службу, - однажды сказала Джейн своей сестре Бетти, - мы снова решаем, что не хотим такой церемонии после смерти ». Она и Джон согласились, что семья может, если они захотят, провести поминальную службу. проводится друзьями и семьей », но не проповедью незнакомца, который, будучи служителем, обязан думать о жизни после смерти и других религиозных идеях, в которые мы не верим.
  44. ^ a b Джон Нобл Уилфорд (31 января 1991 г.). «Д-р Джон Бардин, 82 года, лауреат Нобелевской премии по транзисторам, умирает» . Нью-Йорк Таймс . Проверено 25 февраля 2014 года . Джон Бардин, соавтор транзистора, который привел к созданию современной электроники, и дважды лауреат Нобелевской премии по физике, умер вчера в Бригаме и женской больнице в Бостоне. Ему было 82 года. ...
  45. ↑ https://www.flickr.com/photos/centralhistorian/383446449/ , последнее посещение - 30 сентября 2009 г.
  46. ^ «Печать Бардина, отмечаемая на церемонии в кампусе» . Университет Иллинойса . Проверено 4 марта 2008 года .

Внешние ссылки [ править ]

  • СМИ, связанные с Джоном Бардином, на Викискладе?
  • Архивы Бардина в Университете Иллинойса в Урбана-Шампейн
  • Джон Бардин на Nobelprize.org, включая его 2 Нобелевские лекции
    • 11 декабря 1956 г. Исследования полупроводников, ведущие к созданию точечного контактного транзистора.
    • 11 декабря 1972 г. Электрон-фононные взаимодействия и сверхпроводимость.
  • Некролог Джона Бардина от Associated Press, напечатанный в The Boston Globe
  • Стенограмма интервью Oral History с Джоном Бардином 12, 16 мая, 1, 22 декабря 1977 г. и 4 апреля 1978 г., Американский институт физики, Библиотека и архив Нильса Бора
  • Стенограмма интервью Oral History с Джоном Бардином 13 февраля 1980 г., Американский институт физики, Библиотека и архив Нильса Бора
  • Интервью с Бардином о его опыте работы в Принстоне
  • Проект американского президентства
  • Биография исторического центра IEEE
  • IEEE 2nd Int. Конференция по компьютерам, связи и управлению (ICCCC 2008), мероприятие, посвященное столетию Джона Бардина (1908–1991)
  • Патент США 2,524,035 - « Трехэлектродный элемент схемы с использованием полупроводниковых материалов».