Из Википедии, свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Премия Медарда В. Велча вручается ученым, продемонстрировавшим выдающиеся исследования в областях, имеющих отношение к Американскому вакуумному обществу . Он был основан в 1969 году в память об основателе Американского общества вакуума Медарда У. Велча . [1]

Список получателей [ править ]

ГодПолучательЦитата
2020 г.Марк Херсам«За новаторский вклад в синтез, науку о поверхности, химическую функционализацию и применение низкоразмерных наноэлектронных материалов»
2019 г.Скотт А. Чемберс«За новаторский вклад в понимание происхождения и влияния неоднородностей, дефектов и беспорядка в сложных оксидных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах»
2018 г.Дэвид Кастнер«За ведущие достижения в области строгих и современных методов анализа поверхности органических и биологических образцов»
2017 г.Ханс-Петер Штайнрюк«За новаторские исследования свойств и реакционной способности поверхностей ионных жидкостей с использованием методов науки о поверхности»
2016 г.Маки Каваи«Для выяснения роли колебательной динамики в молекулярных реакциях на поверхностях»
2015 г.Чарльз Т. Кэмпбелл«За плодотворный вклад в определение точной энергии адсорбции и за разработку ключевых концепций анализа важных каталитических реакций»
2014 г.Патрисия Тиль«За плодотворный вклад в понимание квазикристаллических поверхностей, зарождения и роста тонких пленок»
2013Крис Г. Ван де Валле«За плодотворный вклад в теорию гетеропереходов и ее приложений в полупроводниковой технологии, а также за выяснение роли водорода в электронных материалах».
2012 г.Ив Шабаль«За его исключительные исследования колебаний на поверхности, особенно за разработку и применение поверхностной инфракрасной спектроскопии для понимания физики и химии кремния с водородными группами на конце и осаждения атомных слоев»
2011 г.Уилсон Хо«За разработку и применение неупругого туннелирования электронов атомного масштаба с помощью сканирующего туннельного микроскопа».
2010 г.Марк Дж. Кушнер«За выдающийся вклад в моделирование и понимание физики плазмы, особенно плазмы, используемой при травлении тонких пленок, осаждении и модификации поверхности».
2009 г.Роберт Хамерс«Для широких исследований химии и фотохимии на поверхности полупроводников и для установления связи с различными развивающимися технологиями».
2008 г.Микель Салмерон«За плодотворный вклад в разработку методов определения характеристик поверхности, используемых в различных средах, и их применение в катализе, трибологии и связанных с ними явлениях на поверхности».
2007 г.Джерри Терсофф«За плодотворный теоретический вклад в понимание поверхностей, границ раздела, тонких пленок и наноструктур электронных материалов».
2006 г.Джон К. Хеммингер«За выдающийся вклад в развитие количественного понимания на молекулярном уровне многих важных межфазных процессов, особенно связанных с химией атмосферы».
2005 г.Чарльз С. Фэдли«За разработку новых методов, основанных на фотоэлектронной спектроскопии и синхротронном излучении, и их применение для изучения атомной, электронной и магнитной структуры поверхностей и скрытых границ раздела».
2004 г.Рудольф М. Тромп«За фундаментальные открытия в области эпитаксиального роста и объяснение их приложений к технологическим проблемам».
2003 г.Маттиас Шеффлер«За разработку методов функциональной теории плотности для описания поверхностных химических реакций и обеспечение их широкого использования».
2002 г.Бадди Д. Ратнер«За инновационные исследования взаимодействия биоматериалов и создание области науки о поверхности биоматериалов».
2001 г.Уорд Пламмер«Для разработки новых приборов, их использования для освещения новых концепций в физике поверхности металлов и наставничества перспективных молодых ученых».
2000 г.Д. Филип Вудрафф«За вклад в понимание геометрических свойств чистых поверхностей и поверхностей, декорированных адсорбатом, а также за инновационное развитие методов науки о поверхности».
1999 г.Джон Х. Уивер«За плодотворный вклад в понимание на атомном уровне роста тонких пленок, межфазных взаимодействий и травления».
1998 г.Дэвид Э. Аспнес«За новые приложения и творческое развитие оптических методов и эффектов для исследования тонких пленок, поверхностей и интерфейсов, которые значительно продвинули понимание электронных материалов и процессов».
1997 г.Федон Авурис«За его основополагающий вклад в понимание химии полупроводниковых поверхностей и за разработку СТМ как инструмента для исследования и индукции поверхностных химических реакций с разрешением и контролем в атомном масштабе».
1996 г.Питер Фейбельман"За его проницательные предсказания и объяснения поверхностных явлений, основанные на расчетах из первых принципов.
1995 г.Герхард Эртль«За превосходное использование современных методов для разработки ключевых концепций, важных для химии поверхности».
1994 г.Джон Т. Йейтс младший«За разработку и использование современных методов измерения, позволяющих понять поведение хемосорбированных частиц на металлических и полупроводниковых поверхностях».
1993 г.Джордж Комса«За основополагающие открытия и исследования в области вакуума и науки о поверхности, в частности за широкое развитие рассеяния атомами тепловой энергии для структурного анализа поверхностей».
1992 г.Эрнст Г. Бауэр«За его вклад в фундаментальное понимание зарождения и роста тонких пленок, а также за его изобретение, разработку и использование различных методов определения характеристик поверхности для изучения этих тонких пленок».
1991 г.Макс Дж. Лагалли«За выдающийся вклад в количественное понимание дефектов в отношении упорядочения и роста поверхностных структур».
1990 г.Джерри М. Вудалл«За плодотворный вклад в науку и технологию сложных полупроводников».
1989 г.Роберт Гомер«За новаторский вклад в науку о поверхности, включая исчерпывающие исследования по теории и применению полевой эмиссии, хемосорбции и явлений десорбции».
1988 г.Питер Зигмунд«За теоретический вклад в область физического распыления и связанных с ним явлений».
1987 г.Марк Дж. Кардилло«За новаторские и новаторские исследования взаимодействия молекулярных пучков с поверхностями».
1986 г.Харальд Ибах«Для развития спектроскопии потерь энергии электронов с высоким разрешением и ее приложений для определения характеристик поверхностей и абсорбентов».
1985 г.Теодор Э. Мадей«За исследования поверхностных процессов на фундаментальном атомном и молекулярном уровне, особенно за определение геометрии связывания поглощенных молекул».
1984Уильям Э. Спайсер«За его вклад в развитие и применение фотоэлектронной спектроскопии в исследовании электронной структуры и химических свойств твердых тел, их поверхностей и границ раздела».
1983 г.HH Wieder«За его вклад в рост тонких полупроводниковых монокристаллических пленок и, что наиболее важно, за исследования, ведущие к технологии III-V MOS».
1981 г.Харрисон Э. Фарнсворт«За новаторские исследования подготовки, структурных характеристик и свойств атомарно чистых поверхностей».
1979 г.Герт Эрлих«За вклад в наше понимание микроскопических законов силы, с помощью которых атомы, находящиеся на твердых поверхностях, взаимодействуют с подложкой и друг с другом».
1978 г.Георг Х. Хасс«За методы подготовки и характеристики тонких пленок для оптических покрытий, важных для солнечной энергетики, космической техники и электрооптики».
1977 г.Чарльз Б. Дюк«За далеко идущий теоретический вклад в науку о поверхности и физику твердого тела в области дифракции электронов низких энергий, электронного туннелирования и электронной структуры больших органических молекул».
1976 г.Лесли Холланд«В знак признания его большого вклада в вакуумные технологии и науку о тонких пленках и поверхности».
1975 г.Пол А. Рыжий«В знак признания его выдающегося вклада в науку об измерении низкого давления и его далеко идущих исследований свойств и поведения поглощенных частиц».
1974 г.Гомер Д. Хагструм"За новаторский вклад в исследования твердых поверхностей в сверхвысоком вакууме, особенно за включение в одну вакуумную камеру множества экспериментальных измерений на контролируемых отдельных поверхностях; за разработку экспериментальной техники для измерения с высокой точностью распределения энергии электронов, выбрасываемых с поверхностей нейтрализация медленных ионов и преобразование этого метода в аспектроскопию электронной структуры хорошо охарактеризованных твердых поверхностей благодаря его разъяснению природы физического механизма этого процесса нейтрализации ».
1973Лоуренс А. Харрис«За свою новаторскую работу в области электронной оже-спектроскопии. Харрис был ответственным за ключевую публикацию, в которой признал потенциал электронной оже-спектроскопии как инструмента анализа поверхности, который он разработал и продемонстрировал. Его вклад оказал далеко идущее влияние на область поверхностная наука и связанная с ней техническая деятельность ".
1972 -Кеннет С.Д. Хикман«За его вклад в разработку конденсационных насосов и их рабочих жидкостей и, в частности, за открытие принципа самофракционирования, который сделал эти насосы возможными».
1971 г.Готфрид К. Венер«За новаторскую работу в области распыления, оказавшую глубокое влияние на многих других ученых и инженеров».
1970 г.Эрвин Вильгельм Мюллер«За работы, в том числе по развитию полевой электронной и полевой ионной микроскопии».

См. Также [ править ]

Ссылки [ править ]

  1. ^ http://www.avs.org/Awards-Recognition/Professional-Awards/Medard-W-Welch-Award