Эта статья не предоставляет достаточного контекста для тех, кто не знаком с предметом . Октябрь 2009 г. ) ( Узнайте, как и когда удалить этот шаблон сообщения ) ( |
Овердрайва напряжения , как правило , сокращенно V О.В. , обычно называют в контексте полевых МОП - транзисторов . Напряжение перегрузки определяется как напряжение между затвором транзистора и истоком (V GS ), превышающее пороговое напряжение (V TH ), где V TH определяется как минимальное напряжение, необходимое между затвором и истоком для включения транзистора (позвольте ему проводит электричество). Из-за этого определения напряжение перегрузки также известно как «избыточное напряжение затвора» или «эффективное напряжение». [1] Напряжение повышающей передачи можно найти с помощью простого уравнения: V OV = V GS - V TH.
Технология [ править ]
V OV важен, поскольку он напрямую влияет на выходной ток стока стока (I D ) транзистора, что является важным свойством схем усилителя. Увеличивая V OV , можно увеличивать I D до достижения насыщения . [2]
Напряжение перегрузки также важно из-за его связи с V DS , напряжением стока относительно истока, которое можно использовать для определения области работы полевого МОП-транзистора. В таблице ниже показано, как использовать напряжение перегрузки, чтобы понять, в какой области работы находится полевой МОП-транзистор:
Условия | Регион работы | Описание |
---|---|---|
V DS > V OV ; V GS > V TH | Насыщенность (CCR) | Полевой МОП-транзистор выдает большой ток, и смена V DS мало что даст. |
V DS <V OV ; V GS > V TH | Триод (линейный) | MOSFET передает ток в линейной зависимости от напряжения (V DS ). |
V GS <V TH | Отрезать | МОП-транзистор выключен и не должен пропускать ток. |
Далее следует объяснение, связанное с физикой:
В транзисторе NMOS область канала при нулевом смещении имеет множество дырок (т. Е. Это кремний p-типа). Применяя отрицательное смещение затвора (V GS <0), мы привлекаем больше дырок, и это называется накоплением. Положительное напряжение затвора (V GS > 0) будет притягивать электроны и отталкивать дырки, и это называется истощением, потому что мы истощаем количество дырок. При критическом напряжении, называемом пороговым напряжением (V TH ), канал на самом деле будет настолько обеднен дырками и богат электронами, что он обратится в кремний n-типа, и это называется областью инверсии.
Когда мы увеличиваем это напряжение, V GS , сверх V TH , мы, как говорят, перегрузим затвор, создавая более сильный канал, поэтому перегрузка (часто называемая V ov , V od или V on ) определяется как (V GS - V TH ).
См. Также [ править ]
Ссылки [ править ]
- ^ Sedra и Смит, Микроэлектронные схемы, пятое издание, (2004) Глава 4, ISBN 978-0-19-533883-6
- ^ Лекция профессора Лю, Калифорнийский университет в Беркли