 | Эта статья включает в себя список литературы , связанной литературы или внешних ссылок , но ее источники остаются неясными, поскольку в ней отсутствуют встроенные цитаты . ( Октябрь 2016 г. ) ( Узнайте, как и когда удалить этот шаблон сообщения ) |
В полупроводниковом устройстве , A паразитарная структура представляет собой часть устройства , которое напоминает по структуре какой -либо другой, более простой полупроводниковый прибор, а также приводит к тому , устройству для ввода непредусмотренного режим работы при воздействии условий за пределами его нормального диапазона. [ необходима цитата ] Например, внутренняя структура биполярного транзистора NPN напоминает два диода с PN- переходом, соединенных вместе общим анодом . При нормальной работе переход база-эмиттер действительно образует диод, но в большинстве случаев нежелательно, чтобы переход база-коллектор вел себя как диод. При достаточном прямом смещении помещенный на этот переход, он образует паразитную диодную структуру, и ток будет течь от базы к коллектору.
Распространенной паразитной структурой является SCR . После запуска SCR А.Н. проводит ток до тех пор , пока есть ток , что вызывает необходимость полной мощности вниз , чтобы сбросить поведение устройства. Это состояние известно как защелкивание . [ необходима цитата ]
Ссылки [ править ]
Дальнейшее чтение [ править ]
- Панагопулос, AD (2015). Справочник по исследованиям систем мобильной связи следующего поколения . Достижения в беспроводных технологиях и телекоммуникациях. IGI Global. С. 57–58. ISBN 978-1-4666-8733-2.
 | Эта статья про электронику незавершена . Вы можете помочь Википедии, расширив ее . |
