Из Википедии, бесплатной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Комбинат Микроэлектроник Эрфурт
ТипВЭБ
ПромышленностьАктивные электронные компоненты
Основан1 января 1978 г.
Несуществующий28 июня 1990 г.
Штаб-квартира
Эрфурт
,
Германия
Скульптура «Рука с чипом» у входа в ВЭБ Микроэлектроник «Карл Маркс» в Эрфурте.
Чистое помещение ВЭБ Микроэлектроник "Карл Маркс" Эрфурт (1989)

VEB Kombinat Mikroelektronik Erfurt был крупным производителем активных электронных компонентов в Восточной Германии . Его не следует путать с более известным VEB Kombinat Robotron Dresden, который использовал в своих компьютерах интегральные схемы Kombinat Mikroelektronik. Товарный знак RFT (сокращенно R undfunk- унд F ernmelde- T echnik ) использовали для компонентов из Комбината MIKROELEKTRONIK, а также для большинства электронных продуктов из Восточной Германии (другими словами, RFT был просто товарный знакиспользуемый рядом иначе несвязанные компании).

История [ править ]

Комбинат Mikroelektronik в Эрфурте был образован в 1978 году, когда VVB Bauelemente und Vakuumtechnik был разделен на VEB Kombinat Elektronische Bauelemente Teltow для пассивных электронных компонентов и VEB Kombinat Mikroelektronik Erfurt для активных электронных компонентов. Однако история многих отдельных растений уходит корнями в более далекое прошлое, в некоторых случаях до Второй мировой войны. В 1971 году были изготовлены первые интегральные схемы - D100C ( TTL ) компанией Halbleiterwerk Frankfurt (Одер) и U101D ( логика PMOS ) Funkwerk Erfurt. [1] [2]Для сравнения: первые схемы TTL были запущены в производство в США за 10 лет и в Siemens в Западной Германии за 5 лет до Восточной Германии. Первый микропроцессор, U808D, появился в 1978 году, через 6 лет после Intel 8008 , с которого был клонирован U808. Следующими вехами стали U880 ( клон Zilog Z80 ) в 1980 году и первый 16-разрядный микропроцессор U8000 ( клон Zilog Z8000 ) в 1984 году. [3] Правящая Социалистическая единая партия Германии определила развитие сектора микроэлектроники в качестве основной цели. . Огромные суммы были потрачены на то, чтобы догнать Запад - с 1986 по 1990 год около 7% общенациональных инвестиций в промышленность. [1]Однако этим усилиям препятствовали несколько факторов: общая неэффективность плановой экономики , недостаточное сотрудничество с другими странами СЭВ и экспортные ограничения западной компании CoCom, которые препятствовали импорту оборудования для производства полупроводников. [4] Тем не менее, в рамках программы разработки были получены образцы 1- мегабитного чипа dRAM ( U61000 ) в 1988 году и 32-битного процессора ( U80701 ) в 1989 году. Mikroelektronik "Karl Marx" Erfurt добился размера элемента 3 мкм на 4-дюймовых пластинах. в 1984 г. (установка ESO I), 2,5 мкм в 1988 г. (установка ESO II) и 1,5 мкм на 5-дюймовых пластинах в 1990 г. (установка ESO III). [1]В 1989 г. компания Halbleiterwerk во Франкфурте (Одер) произвела 110 миллионов интегральных схем, а компания Mikroelektronik "Karl Marx" в Эрфурте произвела 35 миллионов. [1]

После 1990 г. [ править ]

После объединения Германии Kombinat Mikroelektronik был распущен и какое-то время действовал как холдинговая компания под названием PTC-electronic AG, которая на 100% принадлежала Treuhandanstalt . [5] Большая часть продукции Kombinat Mikroelektronik не могла продаваться на мировом рынке, и многие предприятия были ликвидированы Treuhandanstalt в 1991 году.

Thesys Gesellschaft für MIKROELEKTRONIK м.б.Х. [5] и X-FAB Gesellschaft цур Fertigung фон Wafern м.б.Х. были созданы в 1992 году из частей VEB MIKROELEKTRONIK «Карла Маркса» Эрфурте (который функционировал под названием ERMIC GmbH с 1990 до 1992). В 1999 году обе компании были объединены в X-FAB Semiconductor Foundries GmbH . В 2007 году X-FAB приобрела еще одну бывшую часть Комбината Микроэлектроник: литейный цех бывшего VEB ZFTM Dresden . ZFTM Dresden была преобразована в Zentrum Mikroelektronik Dresden GmbH (ZMD) в 1993 году. После нескольких смен владельцев и продажи литейного производства компании X-FAB, ZMD была переименована в ZMDI.а оставшийся конструкторский дом без фабрики был в конечном итоге продан компании Integrated Device Technology в 2015 году. [6] Недалеко от Дрездена во Фрайберге производство пластин VEB Spurenmetalle продолжалось через Siltronic [7] и Freiberger Compound Materials GmbH. [8] Вместе с ТЕМ Дрезденом , VEB ZFTM и VEB Spurenmetalle сформировали основу для Силиконовой Саксонии , кластера микроэлектроники компаний , которые пришли , чтобы включить новый FABS от Siemens (позже Infineon Technologies ) и AMD (позже GlobalFoundries ).

Во Франкфурте-на-Одере тоже не обошлось. На смену VEB Halbleiterwerk, в свою очередь, пришли Halbleiterwerk GmbH, [9] System Microelectronic Innovation GmbH (SMI), [9] Silicon Microelectronic Integration GmbH (SiMI), [9] Megaxess GmbH Deutschland, [10] и Microtechnology Services Frankfurt (Одер) ) GmbH (MSF) [11], в каждой из которых работает меньше сотрудников, чем в ее предшественнице. Веб-сайт MSF исчез примерно в 2009 году. Строительство нового завода по производству полупроводников, Communicant Semiconductor Technologies , уже началось, но это начинание провалилось в 2003 году. После этого остался только IHP , исследовательский институт, который поддерживал VEB Halbleiterwerk.

В VEB Werk für Fernsehelektronik Berlin производство электронных ламп и оптоэлектроники постепенно прекращалось, пока не осталось только относительно современное производство цветных ЭЛТ . В 1993 году производство ЭЛТ было передано Samsung SDI . В 2005 году, когда ЖК-экраны в значительной степени заменили ЭЛТ, завод был полностью остановлен. [12] В компании VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf только небольшая группа разработчиков кремниевых датчиков давления пережила ликвидацию в 1992 г. [13] и была приобретена Endress + Hauser . [14] [15] В Нойхаус-ам-Реннвег , SMD-упаковкаВЭБ Микроэлектроник «Анна Сегерс» вошла в состав Zetex Semiconductors [16], который, в свою очередь, был приобретен Diodes Incorporated . [17]

Подразделения [ править ]

Комбинат состоял из целого ряда растений по всей Восточной Германии [18] (с указанием их производства профиля в 1989 году):

  • ВЭБ Микроэлектроник " Карл Маркс " Эрфурт (MME), до 1983 г. Funkwerk Erfurt (FWE) [19] - штаб-квартира Комбината ; Цифровые интегральные схемы NMOS и CMOS
  • VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) (HFO) - биполярные аналоговые и цифровые интегральные схемы, смешанные интегральные схемы , КМОП интегральные схемы, маломощные биполярные переходные транзисторы
  • VEB Mikroelektronik " Anna Seghers " Neuhaus am Rennweg , до 1981 г. Röhrenwerk Neuhaus am Rennweg (RWN) [16] - транзисторы с биполярным переходом
  • VEB Mikroelektronik " Karl Liebknecht " Stahnsdorf (MLS), до 1981 Gleichrichterwerk Stahnsdorf (GWS) [13] - силовые полупроводниковые приборы (кремниевые выпрямительные диоды , биполярные переходные транзисторы ), датчики давления.
  • VEB MIKROELEKTRONIK «Роберт Harnau» Гросрешен , бывший Gleichrichterwerk Гросрешен - селеновые выпрямители и кремниевый выпрямитель диоды
  • VEB Werk für Fernsehelektronik Berlin (WF) - ЭЛТ , светодиоды , ЖК-дисплеи , оптоэлектроника
  • VEB Mikroelektronik " Wilhelm Pieck " Mühlhausen (MPM), до 1982 г. Röhrenwerk Mühlhausen [20] - маломощные диоды (в том числе стабилитроны ); также домашние компьютеры серии KC85 , карманные калькуляторы
  • VEB Röhrenwerk Rudolstadt , до 1961 Phönix Röntgenröhrenwerk Rudolstadt [21] - рентгеновские трубки
  • VEB Applikationszentrum Elektronik Berlin (AEB) - импорт электронных компонентов, документации, поддержка приложений
  • VEB Mikroelektronik " Friedrich Engels " Ilmenau , до 1983 г. Elektroglas Ilmenau [22] - корпуса полупроводников
  • VEB Mikroelektronik Secura-Werke Berlin [23] - компоненты для ЭЛТ; также копировальные аппараты
  • VEB Mikroelektronik "Bruno Baum" Zehdenick , до 1977 Isolierwerk Zehdenick [24] - штампованные детали, изоляционные материалы
  • VEB Spurenmetalle Freiberg - пластины из кремния и арсенида галлия
  • VEB Glaskolbenwerk Weißwasser - стеклянные конверты для ЭЛТ [25]

Два завода из Комбината Микроэлектроник были переведены в ВЭБ Комбинат " Карл Цейсс " Йена в 1986 году:

  • VEB Zentrum für Forschung und Technologie Mikroelektronik Dresden (ZFTM) - разработка и опытное производство интегральных схем
  • VEB Hochvakuum Dresden - оборудование для физического осаждения из паровой фазы

Часовая промышленность Восточной Германии входила в состав Kombinat Mikroelektronik как Leitbereich Uhren (Управление часов) с рядом заводов:

  • VEB Uhrenwerke Ruhla
  • VEB Uhrenwerk Glashütte
  • VEB Uhrenwerk Weimar
  • VEB Plastverarbeitung Eisenach
  • VEB Feinwerktechnik Dresden

Продукты [ править ]

Микропроцессоры [ править ]

U830Cm (VEB ZFTM Дрезден, 1986 г.)

U830, U8032, U8047 и U320C20 были произведены ZFTM Dresden, в то время как все остальные процессоры были произведены Mikroelektronik "Karl Marx" Erfurt.

  • U808 - 8-битный микропроцессор, клон Intel 8008
  • U830 - асинхронный 8-битный процессор для компьютеров, совместимых с PDP-11
  • U8032 - 16-битный арифметический слой сопроцессора
  • U880 - 8-битный микропроцессор, клон Zilog Z80
  • U881 - U886 - 8-битные микроконтроллеры, клоны Zilog Z8
  • U8000 - 16-битные микропроцессоры, клоны Zilog Z8000
  • U8047 - 4-битный микроконтроллер
  • U84C00 - 8-битный микропроцессор, CMOS-версия Zilog Z80 , только пилотное производство
  • U80601 - 16-битный микропроцессор, клон Intel 80286 , только пилотное производство
  • U80701 - 32-битный микропроцессор, клон MicroVAX 78032 , только пилотное производство
  • U320C20 - 16-битный цифровой сигнальный процессор, CMOS-версия Texas Instruments TMS32020 , только пилотное производство

Другие компоненты [ править ]

  • Выпрямительный диод SY625 / 0,5 (VEB Mikroelektronik "Robert Harnau" Großräschen, 1990)

  • Германиевый силовой транзистор GD241 (VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus am Rennweg, 1983 г.)

  • Оптопары (VEB Werk für Fernsehelektronik Berlin)

  • Микросхема логики PMOS U108D (VEB Funkwerk Erfurt, 1982); все остальные микросхемы от VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) 1985 - 1989

  • СППЗУ U552C (256x8 бит, VEB Funkwerk, Эрфурт, 1983 г.)

  • dRAM U61000CC12 (бит 1Mx1, VEB ZFTM Dresden - с пометкой "Carl Zeiss Jena", 1989 г.)

Потребительские товары [ править ]

  • Игровая приставка ПБС 01 ( B ИСД s птичий щебет s Piel 01 ; VEB Halbleiterwerk Франкфурт (Одер), 1980) 

  • Микрокомпьютер обучения комплект LC80 ( л ERN с omputer 80 ; VEB MIKROELEKTRONIK "Карл Маркс" Эрфурт, 1984) 

  • Шахматный компьютер CM ( C hess M aster ; VEB Mikroelektronik "Karl Marx" Erfurt, 1984) 

  • Карманный калькулятор SR1 ( S Чул р пар echner 1 ; VEB MIKROELEKTRONIK "Вильгельма Пика" Muhlhausen, 1984) 

  • Домашний компьютер KC85 / 2 ( К Lein с omputer 85/2 ; VEB MIKROELEKTRONIK "Вильгельма Пика" Мюльхаузен, 1984) 

Обозначение полупроводника [ править ]

Обозначения типов как для дискретных полупроводниковых приборов, так и для интегральных схем были указаны в государственном стандарте TGL 38015. [26] Обозначения для дискретных полупроводников аналогичны спецификации Pro Electron и обсуждаются там .

Обозначение типа для интегральных схем первоначально (в 1971 г.) состояло из одной буквы для основного типа и диапазона температур, трехзначного номера типа и одной буквы для типа корпуса. [2] Со временем это оказалось негибким, и заводы начали добавлять буквы для дополнительных диапазонов температур, классов скорости и т. Д. (Например, вторую букву после основного типа для обозначения класса скорости процессора, как в U D 8820M ). Чтобы ограничить эти несколько несогласованные расширения, а также из желания сохранить общие номера типов с международными эквивалентами, в 1986 году стандарт был пересмотрен (пересмотр вступил в силу в апреле 1987 года). [26]Теперь были разрешены почти произвольные номера типа, включая дополнительные буквы в номере типа, если они есть в международном эквиваленте (например, U74HCT02DK). Температурный диапазон добавлен отдельной буквой в конце. Двухзначное число может следовать за буквой температуры, чтобы указать максимальную тактовую частоту микропроцессора (в МГц, например, U880DC 08 ) или время доступа к цепи памяти (в единицах наносекунды или десятки наносекунд, например, U60998CC 12). ). Существующие обозначения типов были сохранены, даже если они не полностью соответствовали новому стандарту (например, V4001D). Интегральные схемы, не соответствующие официальным спецификациям, продавались как любительские версии.. Чаще всего это были единственные версии, доступные любителям. До 1987 года версиям для любителей присваивались отдельные буквы основного типа с сохранением номера типа (например, A109D, который не соответствовал его спецификациям, стал R109D). [27] С 1987 года S1 добавляется к неизменному обозначению типа для версий для любителей (например, U6516D S1 ).

Основные типы интегральных схем
Базовый типОпределениеПример
До 1987 г.С 1987 г.
АБиполярная аналоговая интегральная схема; диапазон температур от 0 ° C до +70 ° CБиполярная аналоговая интегральная схема, в первую очередь для потребительских приложенийA 110D
BБиполярная аналоговая интегральная схема; диапазон температур от -25 ° C до +85 ° CБиполярная аналоговая интегральная схема, в основном для промышленного примененияB 342D
CБиполярные интегральные схемы со смешанными сигналами ( аналого-цифровые преобразователи и цифро-аналоговые преобразователи )C 574C
DБиполярная цифровая интегральная схема; диапазон температур от 0 ° C до +70 ° CБиполярная цифровая интегральная схемаD 103D
EБиполярная цифровая интегральная схема; диапазон температур от -25 ° C до +85 ° C-E 435E
LУстройство с зарядовой связьюL 110C
NБиполярные интегральные схемы со смешанными сигналами ; любительская версия типа C-N 520D [28]
пБиполярная цифровая интегральная схема; любительская версия типов D и E-P 120D
рБиполярная аналоговая интегральная схема; любительская версия типов A и B-R 110D [29]
SУниполярная интегральная схема; любительская версия типов U и V-S 114D
UУниполярная интегральная схема; диапазон температур от 0 ° C до +70 ° CУниполярная интегральная схемаU C8821M
VУниполярная интегральная схема; диапазон температур от -25 ° C до +85 ° C-V B880D

Новые буквы типа пакета были добавлены в 1987 году, в то время как ранее определенные буквы остались неизменными.

Типы пакетов
УпаковкаОписаниеПример
CКерамический двухрядный корпус (DIP)P192 C
DПластиковый двухрядный корпус (DIP)DL000 D
EПластиковый двухрядный корпус (DIP) с выступами для крепления радиатораE435 E
FКерамический плоский или четырехканальный плоский корпус (QFP)U80701 F C
граммПластиковый Flatpack или Quad Flat Package (QFP)U131 G [30]
ЧАСМногоканальный силовой агрегат для горизонтального монтажаA2030 H [31]
KДвухрядный корпус с фиксированным радиаторомA210 K [32]
MПластиковый четырехрядный рядный корпус (QIL)UB8820 M
NПластиковый пакет SOT , особенно SOT54B589 N [33]
пПластиковая упаковка для стружкиU80601 P C08
рПакет носителя керамической стружкиU80601 R A04
SНебольшой набросок пакета (СОП)B2765 S G
VМногоканальный силовой агрегат для вертикального монтажаB3370 V [34]
ИксГолый чип без упаковкиU132 X

В первые годы все корпуса интегральных схем производились с расстоянием между выводами 2,5 мм, точно так же, как в Советском Союзе, в отличие от расстояния 2,54 мм (1/10 дюйма), используемого на Западе. Со временем все больше и больше схем с 16 или было изготовлено больше выводов с шагом 2,54 мм. Там, где была доступна определенная схема с любым из двух расстояний, TGL 38015 требовал, чтобы версия с шагом 2,54 мм была отмечена буквой «Z» (для немецкого : Zoll ) на пакет. [26]

Буква температурного диапазона была введена только в 1987 году, поэтому не многие интегральные схемы имели ее.

Диапазон рабочих температур
ПисьмоДиапазонПример
АДиапазон не указан в TGL 38015B3040D A
BОт +5 ° C до +55 ° CU61000C B 12
CОт 0 ° C до +70 ° CU82720D C 03
DОт -10 ° C до +70 ° CA1670V D
EОт -10 ° C до +85 ° CB467G E
FОт -25 ° C до +70 ° CL220C F
граммОт -25 ° C до +85 ° CB2600D G
KОт -40 ° C до +85 ° CU74HCT03D K

Кроме обозначения типа на интегральных схемах нанесена дата изготовления. С 1978 года буквенно-цифровой код IEC 60062 использовался для даты изготовления (соответствующий государственный стандарт TGL 31667 [35] не упоминает IEC 60062, но кодировка идентична).

После роспуска Kombinat Mikroelektronik в 1990 году заводы во Франкфурте (Одер) и Эрфурте продолжали использовать обозначение интегральных схем Восточной Германии до 1992 года, в то время как ZMD в Дрездене применяла слегка измененную версию примерно до 2005 года (хотя и с кодом даты в 4- цифра в формате год / месяц с 1991 г.). [36]

Обозначение интегральной схемы из Восточной Германии также использовалось Componentes Electrónicos «Эрнесто Че Гевара» в Пинар-дель-Рио в конце 1980-х (например, A210 [37] ).

См. Также [ править ]

  • Электронная промышленность в Восточной Германии
  • ВЭБ Роботрон

Внешние ссылки [ править ]

СМИ, связанные с комбинатом "Микроэлектроник" на Викискладе?

Ссылки [ править ]

  1. ^ a b c d Беркнер, Йорг (2016-04-12). "Die Halbleiterindustrie in der DDR" (на немецком языке). Hüthig GmbH . Проверено 7 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  2. ^ a b "Bericht von der Leipziger Frühjahrsmesse 1971 - Bauelemente" [Отчет с Лейпцигской весенней ярмарки 1971 - Компоненты]. Радио Fernsehen Elektronik (на немецком языке). Берлин: VEB Verlag Technik. 20 (10): 309–311. 1971. ISSN 0033-7900 . 
  3. ^ Meinecke, Frank (1985). «16-битный микропроцессор U 8000» [16-битный микропроцессор U 8000]. Радио Fernsehen Elektronik (на немецком языке). Берлин: VEB Verlag Technik. 34 (11): 687–691. ISSN 0033-7900 . 
  4. ^ Дейл, Гарет (2004). «Микроэлектроника: между интернационализацией и автаркией». Между государственным капитализмом и глобализацией . Берн: Peter Lang AG. С. 185–191. ISBN 3-03910-181-1.
  5. ^ a b "Комбинат Микроэлектроник Эрфурт" (на немецком языке). Архивировано из оригинала на 2007-09-27 . Проверено 14 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  6. ^ «IDT завершает приобретение ZMDI» . IDT. 2015-12-07 . Проверено 14 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  7. ^ «Сайты» . Siltronic AG . Проверено 20 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  8. ^ «История компании» . Freiberger Compound Materials GmbH . Проверено 20 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  9. ^ a b c Валериус, Габриэле (1998). "Gleiche Chancen ungleich genutzt? Erwerbsbiographische Mobilitätspfade im ostdeutschen Transformationsprozeß zwischen 1990 и 1996. Studie zum beruflichen Verbleib einer ausgewählten Ingenieurgruppe des VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder)" (PDF) " (PDF)" . Arbeitsberichte - Документы для обсуждения (на немецком языке). Франкфурт (Одер): Франкфуртский институт трансформаций, университет Европы, Виадрина. ISSN 1431-0708 . Проверено 27 ноября 2017 .   CS1 maint: discouraged parameter (link)
  10. ^ «О нас» . Megaxess GmbH Deutschland. Архивировано из оригинала на 2002-01-18 . Проверено 27 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  11. ^ "Добро пожаловать" . MSF Microtechnology Services Frankfurt (Oder) GmbH. Архивировано из оригинала на 2009-06-11 . Проверено 29 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  12. ^ Шмидт, Ганс-Томас. "Das Oberspreewerk Berlin - Die Umbenennung in Werk für Fernsehelektronik - WF" (на немецком языке) . Проверено 30 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  13. ^ a b «Микроэлектроник» Карла Либкнехта «Штансдорф (MLS)» (на немецком языке). Industriemuseum Region Teltow e. В . Проверено 20 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  14. ^ "Die Geschichte der Geräte-und Regler-Werke Teltow" (на немецком языке). Industriemuseum Region Teltow e. В . Проверено 30 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  15. ^ "Endress + Hauser Stahnsdorf" . Endress + Hauser Management AG . Проверено 30 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  16. ^ a b «Mikroelektronik 'Anna Seghers', Neuhaus aR, VEB, RFT; (Ostd.) - vorm. Röhrenwerk» (на немецком языке). Радиомузей . Проверено 30 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  17. ^ «Профиль компании» . Diodes Incorporated. 2017 . Проверено 30 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  18. ^ "ВЭБ Комбинат Микроэлектроник" Карл Маркс "Эрфурт" (на немецком языке). robotron technik .de. 2016-11-29 . Проверено 1 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  19. ^ "Ehrennamen" Карл Маркс "für Erfurter Betrieb" . Neues Deutschland (на немецком языке). 1983-10-06 . Проверено 3 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  20. ^ Шретер, Клаус-Дитер (1987). В 35 Jahren von der Empfängerröhre zum Kleincomputer (на немецком языке). ВЭБ Микроэлектроник "Вильгельм Пик" Мюльхаузен.
  21. ^ "VEB Phönix Röntgenröhrenwerk Rudolstadt" (на немецком языке). Старое радио. 2015-02-08 . Проверено 2 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  22. ^ "ВЭБ Электроглас Ильменау (ГДР), (- 1983)" . Thüringer Universitäts- und Landesbibliothek Jena . Проверено 2 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  23. ^ "VEB SECURA-Werke Berlin" (на немецком языке). robotron technik .de. 2016-11-29 . Проверено 3 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  24. ^ Lüderitz, Синди (2016-02-02). "Isolierstoffe für den Weltmarkt" (на немецком языке). Märkische Allgemeine . Проверено 3 ноября 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  25. ^ Саломон, Питер. "Halbleiter aus Frankfurt - Eine Rezension" (PDF) (на немецком языке). п. 4 . Проверено 16 марта 2020 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  26. ^ a b c TGL 38015: Halbleiterbauelemente; Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Halbleiterschaltkreise; Bildung der Typbezeichnung und Gestaltung der Typkennzeichnung [ TGL 38015: Полупроводниковые приборы; Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные полупроводниковые схемы; Формирование типового обозначения и маркировки ] (PDF) (на немецком языке). Лейпциг: Verlag für Standardisierung. Май 1986 . Проверено 2 декабря 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  27. ^ Galle, R .; Беннинг, К. (1984). "Любительские интегральные схемы от ВЭБ Комбинат Микроэлектроник". Funkamateur (на немецком языке). Берлин: Militärverlag der DDR. 33 (2): 77–78. ISSN 0016-2833 . 
  28. ^ "N520D" . Radiomuseum.org . Проверено 20 декабря 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  29. ^ "A110D" . Radiomuseum.org . Проверено 20 декабря 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  30. ^ "U131G" . Radiomuseum.org . Проверено 20 декабря 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  31. ^ "A2030" . Radiomuseum.org . Проверено 20 декабря 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  32. ^ "A210K" . Radiomuseum.org . Проверено 20 декабря 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  33. ^ "B589N" . Radiomuseum.org . Проверено 20 декабря 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  34. ^ "B3370" . Radiomuseum.org . Проверено 20 декабря 2017 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  35. ^ TGL 31667: Bauelemente der Elektronik; Kennzeichnung; Herstellungsdatum [ TGL 31667: Электронные компоненты; Обозначение; Дата изготовления ] (PDF) (на немецком языке). Лейпциг: Verlag für Standardisierung. Октябрь 1979 . Проверено 9 января 2018 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  36. ^ "Коды деталей SRAM" (PDF) . ЗМД. Архивировано 18 декабря 2005 г. из оригинального (PDF) . Проверено 10 января 2018 . CS1 maint: discouraged parameter (link)
  37. ^ Шлегель, WE (1986). "Leipziger Frühjahrsmesse 1986 - Bauelemente" [Весенняя ярмарка в Лейпциге 1986 - Компоненты]. Радио Fernsehen Elektronik (на немецком языке). Берлин: VEB Verlag Technik. 35 (6): 346. ISSN 0033-7900 .