Полупроводниковое устройство представляет собой электронный компонент , который опирается на электронных свойствах полупроводникового материала ( в основном кремния , германий и арсенид галлия , а также органических полупроводников ) для его функции. Полупроводниковые приборы заменили электронные лампы в большинстве приложений. Они используют электрическую проводимость в твердом состоянии, а не в газообразном состоянии или термоэлектронной эмиссии в вакууме .
Полупроводниковые устройства производятся как в виде отдельных дискретных устройств, так и в виде интегральных схем (ИС), которые состоят из двух или более устройств, число которых может составлять от сотен до миллиардов, которые изготавливаются и соединяются между собой на одной полупроводниковой пластине (также называемой подложкой). .
Полупроводниковые материалы полезны, потому что их поведением можно легко управлять путем преднамеренного добавления примесей, известного как легирование . Проводимость полупроводника можно регулировать путем введения электрического или магнитного поля, воздействия света или тепла или механической деформации сетки из легированного монокристаллического кремния ; таким образом, из полупроводников можно сделать отличные датчики. Токопроводимость в полупроводнике происходит за счет подвижных или «свободных» электронов и электронных дырок , вместе известных как носители заряда . Легирование полупроводника небольшой долей атомной примеси, такой как фосфор или бор , значительно увеличивает количество свободных электронов или дырок в полупроводнике. Когда легированный полупроводник содержит избыточные дырки, он называется полупроводником p-типа ( p для положительного электрического заряда ); когда он содержит избыточные свободные электроны, он называется полупроводником n-типа ( n - отрицательный электрический заряд). Большинство мобильных носителей заряда имеют отрицательный заряд. Производство полупроводников точно контролирует расположение и концентрацию примесей p- и n-типа. Соединение полупроводников n-типа и p-типа образует p – n-переходы .
Наиболее распространенное полупроводниковое устройство в мире является МОП - транзистор (металл-оксид-полупроводник полевого транзистора ), [1] также называют МОП - транзистором . По состоянию на 2013 год ежедневно производятся миллиарды МОП-транзисторов. [2] Производство полупроводниковых устройств в год с 1978 года росло в среднем на 9,1%, а поставки в 2018 году, по прогнозам, впервые превысят 1 триллион, [3] что означает, что на сегодняшний день произведено более 7 триллионов.
Диод
Полупроводниковый диод - это устройство, обычно состоящее из одного p – n перехода. На стыке полупроводников p-типа и n-типа образуется обедненная область, где токопроводимость затруднена из-за отсутствия подвижных носителей заряда. Когда устройство смещено в прямом направлении (подключено к стороне p с более высоким электрическим потенциалом, чем сторона n), эта область обеднения уменьшается, обеспечивая значительную проводимость, в то время как только очень небольшой ток может быть достигнут, когда диод смещен в обратном направлении и таким образом, область истощения расширилась.
Воздействие света на полупроводник может генерировать электронно-дырочные пары , что увеличивает количество свободных носителей и, следовательно, проводимость. Диоды, оптимизированные для использования этого явления, известны как фотодиоды . Составные полупроводниковые диоды также могут использоваться для генерации света, например, в светодиодах и лазерных диодах .
Транзистор
Биполярный переходной транзистор (BJT)
Транзисторы с биполярным переходом (BJT) состоят из двух p – n-переходов в конфигурации n – p – n или p – n – p. Средняя или базовая область между стыками обычно очень узкая. Другие области и связанные с ними клеммы известны как эмиттер и коллектор . Небольшой ток, вводимый через соединение между базой и эмиттером, изменяет свойства перехода база-коллектор, так что он может проводить ток, даже если он смещен в обратном направлении. Это создает гораздо больший ток между коллектором и эмиттером, управляемый током база-эмиттер.
Полевой транзистор (FET)
Другой тип транзистора, полевой транзистор (FET), работает по принципу, согласно которому проводимость полупроводника может увеличиваться или уменьшаться в присутствии электрического поля . Электрическое поле может увеличивать количество свободных электронов и дырок в полупроводнике, тем самым изменяя его проводимость. Поле может быть приложено с помощью обратносмещенного p – n-перехода, образующего переходный полевой транзистор ( JFET ), или посредством электрода, изолированного от основного материала оксидным слоем, образуя полевой транзистор металл-оксид-полупроводник. ( МОП-транзистор ).
Полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET)
Металл-оксид-полупроводник полевой транзистор (МОП - транзистор, или МОП - транзистор), A твердотельное устройство, на сегодняшний день наиболее широко используется полупроводникового устройства сегодня. На его долю приходится не менее 99,9% всех транзисторов, и, по оценкам, в период с 1960 по 2018 год было произведено 13 секстиллионов полевых МОП-транзисторов [4].
Затвора электрод заряжаются , чтобы произвести электрическое поле , которое управляет проводимость о «канале» между двумя терминалами, называемой источником и стоком . В зависимости от типа носителя в канале, устройство может быть n-канальным (для электронов) или p-канальным (для дырок) MOSFET. Хотя MOSFET частично назван из-за его «металлического» затвора, в современных устройствах вместо него обычно используется поликремний .
Материалы полупроводниковых приборов
Безусловно, кремний (Si) является наиболее широко используемым материалом в полупроводниковых устройствах. Сочетание низкой стоимости сырья, относительно простой обработки и полезного диапазона температур делает его в настоящее время лучшим компромиссом среди различных конкурирующих материалов. Кремний, используемый в производстве полупроводниковых приборов, в настоящее время изготавливается в виде булей , диаметр которых достаточно велик, чтобы можно было изготавливать пластины диаметром 300 мм (12 дюймов) .
Германий (Ge) был широко используемым ранним полупроводниковым материалом, но его тепловая чувствительность делает его менее полезным, чем кремний. Сегодня германий часто легируют кремнием для использования в высокоскоростных устройствах SiGe; IBM - крупный производитель таких устройств.
Арсенид галлия (GaAs) также широко используется в высокоскоростных устройствах, но до сих пор было трудно формировать були большого диаметра из этого материала, ограничивая диаметр пластины до размеров, значительно меньших, чем кремниевые пластины, что делает массовое производство устройств на основе GaAs. значительно дороже кремния.
Другие менее распространенные материалы также используются или исследуются.
Карбид кремния (SiC) нашел некоторое применение в качестве сырья для синих светоизлучающих диодов (СИД) и исследуется для использования в полупроводниковых устройствах, которые могут выдерживать очень высокие рабочие температуры и среды со значительными уровнями ионизирующего излучения . Диоды IMPATT также изготавливаются из SiC.
Различные соединения индия (арсенид индия, антимонид индия и фосфид индия ) также используются в светодиодах и твердотельных лазерных диодах . Сульфид селена изучается при производстве фотоэлектрических солнечных элементов .
Чаще всего для органических полупроводников используются органические светодиоды .
Список распространенных полупроводниковых устройств
Двухконтактные устройства:
- DIAC
- Диод (выпрямительный диод)
- Диод Ганна
- IMPATT диод
- Лазерный диод
- Светодиод (LED)
- Фотоэлемент
- Фототранзистор
- PIN-диод
- Диод Шоттки
- Солнечная батарея
- Диод подавления переходных напряжений
- Туннельный диод
- VCSEL
- Стабилитрон
- Дзен-диод
Трехконтактные устройства:
- Биполярный транзистор
- Транзистор дарлингтона
- Полевой транзистор
- Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
- Выпрямитель с кремниевым управлением
- Тиристор
- ТРИАК
- Однопереходный транзистор
Четырехконтактные устройства:
- Датчик на эффекте Холла ( датчик магнитного поля)
- Оптопара (оптопара)
Приложения для полупроводниковых приборов
Все типы транзисторов могут использоваться в качестве строительных блоков логических вентилей , которые имеют фундаментальное значение при проектировании цифровых схем . В цифровых схемах, таких как микропроцессоры , транзисторы действуют как двухпозиционные переключатели; Например, в полевом МОП-транзисторе напряжение, приложенное к затвору, определяет, включен или выключен переключатель .
Транзисторы, используемые для аналоговых схем , не действуют как двухпозиционные переключатели; скорее, они реагируют на непрерывный диапазон входных данных с непрерывным диапазоном выходных данных. Общие аналоговые схемы включают усилители и генераторы .
Цепи, которые взаимодействуют или преобразуются между цифровыми цепями и аналоговыми цепями, называются цепями со смешанными сигналами .
Силовые полупроводниковые устройства - это дискретные устройства или интегральные схемы, предназначенные для приложений с высоким током или высоким напряжением. Силовые интегральные схемы сочетают в себе технологию ИС с технологией силовых полупроводников, их иногда называют «интеллектуальными» силовыми устройствами. Несколько компаний специализируются на производстве силовых полупроводников.
Идентификаторы компонентов
В десигнаторами полупроводниковых приборов часто определяется изготовителем. Тем не менее, были попытки создать стандарты для кодов типов, и некоторые устройства им следуют. Например , для дискретных устройств существует три стандарта: JEDEC JESD370B в США, Pro Electron в Европе и промышленные стандарты Японии (JIS).
История развития полупроводниковых приборов
Детектор кошачьих усов
Полупроводники использовались в области электроники за некоторое время до изобретения транзистора. Примерно на рубеже 20-го века они были довольно распространены в качестве детекторов в радиоприемниках , использовавшихся в устройстве, называемом «кошачий ус», разработанном Джагадиш Чандра Босом и другими. Однако эти детекторы были несколько неудобными: оператору приходилось перемещать небольшую вольфрамовую нить (усы) по поверхности кристалла галенита (сульфида свинца) или карборунда (карбида кремния) до тех пор, пока она внезапно не заработала. [5] Затем, в течение нескольких часов или дней, усы кошки медленно перестанут работать, и процесс придется повторить. В то время их работа была совершенно загадочной. После появления более надежных радиоприемников с усилителями на электронных лампах системы кошачьих усов быстро исчезли. «Кошачий ус» - это примитивный пример диода особого типа, популярного до сих пор, под названием диод Шоттки .
Металлический выпрямитель
Другой ранний тип полупроводникового устройства - это металлический выпрямитель, в котором полупроводник представляет собой оксид меди или селен . Компания Westinghouse Electric (1886 г.) была крупным производителем этих выпрямителей.
Вторая Мировая Война
Во время Второй мировой войны радиолокационные исследования быстро подтолкнули радиолокационные приемники к работе на все более высоких частотах, и традиционные ламповые радиоприемники больше не работали хорошо. Внедрение магнетрона резонатора из Великобритании в США в 1940 году во время миссии Тизард привело к острой необходимости в практическом высокочастотном усилителе. [ необходима цитата ]
По прихоти Рассел Ол из Bell Laboratories решил попробовать кошачий ус . К этому моменту они не использовались в течение нескольких лет, и ни у кого в лабораториях их не было. После охоты на одну из них в магазине подержанных радиоприемников на Манхэттене он обнаружил, что она работает намного лучше, чем ламповые системы.
Оль выяснил, почему кошачий усик так хорошо функционирует. Большую часть 1939 года он провел, пытаясь вырастить более чистые версии кристаллов. Вскоре он обнаружил, что с кристаллами более высокого качества их привередливость исчезла, но исчезла и их способность работать в качестве радиодетекторов. Однажды он обнаружил, что один из его чистейших кристаллов, тем не менее, работал хорошо, и на нем была хорошо заметная трещина посередине. Однако, когда он ходил по комнате, пытаясь проверить это, детектор загадочным образом срабатывал, а затем снова останавливался. После некоторого исследования он обнаружил, что поведение контролируется светом в комнате - чем больше света, тем выше проводимость кристалла. Он пригласил еще нескольких человек посмотреть на этот кристалл, и Уолтер Браттейн сразу понял, что в трещине есть какое-то соединение.
Дальнейшие исследования прояснили оставшуюся загадку. Кристалл треснул, потому что обе стороны содержали очень немного разные количества примесей, которые Ол не мог удалить - около 0,2%. На одной стороне кристалла были примеси, которые добавляли дополнительные электроны (носители электрического тока) и делали его «проводником». В другом были примеси, которые хотели связываться с этими электронами, делая его (то, что он называл) «изолятором». Поскольку две части кристалла находились в контакте друг с другом, электроны можно было вытолкнуть из проводящей стороны, на которой были дополнительные электроны (вскоре получившие название эмиттера ), и заменить их новыми (от батареи, для экземпляр), где они будут течь в изолирующую часть и собираться нитью усов (названной коллектором ). Однако, когда напряжение меняется на противоположное, электроны, проталкиваемые в коллектор, быстро заполняют «дыры» (примеси, требующие наличия электронов), и проводимость прекращается почти мгновенно. Это соединение двух кристаллов (или частей одного кристалла) привело к созданию твердотельного диода, и вскоре эта концепция стала известна как полупроводниковая. Механизм действия при выключенном диоде связан с разделением носителей заряда вокруг перехода. Это называется « областью истощения ».
Развитие диода
Вооружившись знаниями о том, как работают эти новые диоды, были предприняты энергичные усилия, чтобы научиться создавать их по запросу. Команды из Университета Пердью , Bell Labs , Массачусетского технологического института и Чикагского университета объединили свои усилия для создания лучших кристаллов. В течение года производство германия было усовершенствовано до такой степени, что диоды военного класса использовались в большинстве радаров.
Развитие транзистора
После войны Уильям Шокли решил попытаться построить полупроводниковый прибор, похожий на триод . Он обеспечил финансирование и лабораторные помещения, и вместе с Браттейном и Джоном Бардином приступил к работе над проблемой .
Ключом к развитию транзистора было дальнейшее понимание процесса подвижности электронов в полупроводнике. Стало понятно, что если бы существовал способ управлять потоком электронов от эмиттера к коллектору этого недавно открытого диода, можно было бы построить усилитель. Например, если контакты расположены с обеих сторон кристалла одного типа, ток не будет течь между ними через кристалл. Однако, если бы третий контакт мог затем «впрыснуть» электроны или дырки в материал, протек бы ток.
На самом деле это оказалось очень сложно. Если бы кристалл имел какой-либо разумный размер, количество электронов (или дырок), необходимых для инжекции, было бы очень большим, что делало бы его менее полезным в качестве усилителя, поскольку для начала потребовался бы большой ток инжекции. Тем не менее, вся идея кристаллического диода заключалась в том, что сам кристалл мог обеспечивать электроны на очень маленьком расстоянии, в области обеднения. Ключевым моментом оказалось размещение входных и выходных контактов очень близко друг к другу на поверхности кристалла по обе стороны от этой области.
Браттейн начал работу над созданием такого устройства, и по мере того, как команда работала над проблемой, продолжали появляться дразнящие намеки на усиление. Иногда система работала, но затем неожиданно перестала работать. В одном случае неработающая система начала работать, когда ее поместили в воду. В конце концов, Ол и Браттейн разработали новую ветвь квантовой механики , которая стала известна как физика поверхности , для объяснения поведения. Электроны в любой части кристалла будут перемещаться из-за близлежащих зарядов. Электроны в эмиттерах или «дырках» в коллекторах будут сгруппироваться на поверхности кристалла, где они смогут найти свой противоположный заряд, «плавающий» в воздухе (или воде). Тем не менее, их можно было оттолкнуть от поверхности с приложением небольшого заряда из любого другого места на кристалле. Вместо того, чтобы нуждаться в большом количестве инжектированных электронов, очень небольшое их количество в нужном месте кристалла могло бы сделать то же самое.
Их понимание до некоторой степени решило проблему необходимости в очень маленькой зоне контроля. Вместо двух отдельных полупроводников, соединенных общей, но крошечной областью, могла бы служить одна большая поверхность. Выводы для излучения и сбора электронов должны быть расположены очень близко друг к другу наверху, а контрольный вывод размещен на основании кристалла. Когда ток протекает через этот «базовый» вывод, электроны или дырки выталкиваются наружу через блок полупроводника и собираются на дальней поверхности. Пока эмиттер и коллектор находятся очень близко друг к другу, между ними должно быть достаточно электронов или дырок, чтобы появилась проводимость.
Первый транзистор
Команда Bell сделала много попыток построить такую систему с помощью различных инструментов, но в целом безуспешно. Установки, в которых контакты были достаточно близки, неизменно были такими же хрупкими, как оригинальные детекторы кошачьих усов, и работали бы недолго, если вообще работали. В конце концов они совершили практический прорыв. К краю пластикового клина приклеивали кусок золотой фольги, а затем фольгу срезали бритвой по кончику треугольника. Результатом стали два очень близко расположенных золотых контакта. Когда клин прижимался к поверхности кристалла и напряжение прикладывалось к другой стороне (на основании кристалла), ток начинал течь от одного контакта к другому, поскольку базовое напряжение отталкивало электроны от основания в направлении другая сторона возле контактов. Был изобретен точечный транзистор.
Хотя устройство было сконструировано неделей ранее, в заметках Браттейна описывается первая демонстрация вышестоящим руководителям в Bell Labs днем 23 декабря 1947 года, часто называемая датой рождения транзистора. То, что сейчас известно как « p – n – p-германиевый транзистор с точечным контактом », в этом испытании работало как речевой усилитель с коэффициентом усиления 18. Джон Бардин , Уолтер Хаузер Браттейн и Уильям Брэдфорд Шокли были удостоены Нобелевской премии по физике 1956 года за свои работы.
Происхождение термина «транзистор»
Bell Telephone Laboratories нуждалось в общем названии для своего нового изобретения: «Полупроводниковый триод», «Твердый триод», «Триод с поверхностными состояниями» [ sic ], «Кристаллический триод» и «Иотатрон» все рассматривались, но «транзистор» придумал Джон Р. Пирс выиграл внутреннее голосование. Обоснование названия описано в следующем отрывке из Технического меморандума компании (28 мая 1948 г.) [26], призывающего к голосованию:
Транзистор. Это сокращенное сочетание слов «крутизна» или «передача» и «варистор». Устройство логически принадлежит к семейству варисторов и имеет крутизну или передаточный импеданс устройства с усилением, так что эта комбинация является описательной.
Улучшения в конструкции транзисторов
Шокли был расстроен тем, что устройство приписывают Браттейну и Бардину, которые, по его мнению, построили его «за спиной», чтобы получить славу. Ситуация усугубилась, когда юристы Bell Labs обнаружили, что некоторые из собственных работ Шокли о транзисторе были достаточно близки к более раннему патенту 1925 года, выданному Юлиусом Эдгаром Лилиенфельдом, что они сочли целесообразным не указывать его имя в заявке на патент.
Шокли был в ярости и решил продемонстрировать, кто был настоящим мозгом операции. [ необходима цитата ] Несколько месяцев спустя он изобрел совершенно новый, значительно более прочный тип транзистора со слоистой или «сэндвич-структурой». Эта структура использовалась для подавляющего большинства всех транзисторов в 1960-х годах и превратилась в транзистор с биполярным переходом .
Когда проблема хрупкости была решена, осталась проблема чистоты. Получение германия требуемой чистоты оказалось серьезной проблемой и ограничивало выход транзисторов, которые действительно работали из данной партии материала. Чувствительность германия к температуре также ограничивала его полезность. Ученые предположили, что кремний будет легче изготовить, но мало кто исследовал эту возможность. Гордон К. Тил был первым, кто разработал работающий кремниевый транзистор, а его компания, зарождающаяся Texas Instruments , извлекла выгоду из его технологических преимуществ. С конца 1960-х годов большинство транзисторов были кремниевыми. Через несколько лет на рынке появились продукты на основе транзисторов, в первую очередь портативные радиоприемники.
Статического индукционного транзистора , первый высокочастотный транзистор, был изобретен японскими инженерами Дзюнъити Нишизава и Y. Watanabe в 1950 году [6] Это был самый быстрый транзистор вплоть до 1980 - х годов. [7] [8]
Значительное улучшение производительности произошло, когда химик посоветовал компаниям, производящим полупроводники, использовать дистиллированную, а не водопроводную воду: ионы кальция , присутствующие в водопроводной воде, были причиной низкого выхода. « Зонная плавка », метод, использующий полосу расплавленного материала, движущуюся через кристалл, еще больше повысил чистоту кристаллов.
Металлооксидный полупроводник (МОП)
В 1950-х годах Мохамед Аталла исследовал поверхностные свойства кремниевых полупроводников в Bell Labs , где он предложил новый метод изготовления полупроводниковых устройств , покрывая кремниевую пластину изолирующим слоем оксида кремния, чтобы электричество могло надежно проникать в проводящий кремний, расположенный ниже. , преодолевая поверхностные состояния, которые не позволяли электричеству достигать полупроводникового слоя. Это известно как пассивация поверхности , метод, который стал критически важным для полупроводниковой промышленности, поскольку сделал возможным массовое производство кремниевых интегральных схем (ИС). Основываясь на своем методе пассивации поверхности, он разработал процесс металлооксидного полупроводника (MOS), который, как он предложил, можно использовать для создания первого работающего кремниевого полевого транзистора (FET). [9] [10] Это привело к изобретению MOSFET (MOS-полевого транзистора) Мохамедом Аталлой и Давоном Кангом в 1959 году. [11] [12] Благодаря его масштабируемости , [13] и гораздо более низкому энергопотреблению и более высокому уровню По плотности, чем биполярные транзисторы , [14] MOSFET стал наиболее распространенным типом транзисторов в компьютерах, электронике [10] и коммуникационных технологиях, таких как смартфоны . [15] Управление по патентам и товарным знакам США называет MOSFET «революционным изобретением, которое изменило жизнь и культуру во всем мире». [15]
CMOS (дополнительная МОП ) была изобретена Чих-Тан Сахом и Фрэнком Ванлассом в Fairchild Semiconductor в 1963 году. [16] Первое сообщение о МОП-транзисторе с плавающим затвором было сделано Давоном Кангом и Саймоном Сзе в 1967 году. [17] FinFET (fin) полевой транзистор), тип трехмерного многозатворного полевого МОП - транзистора, был разработан Дай Хисамото и его командой исследователей из Центральной исследовательской лаборатории Hitachi в 1989 году. [18] [19]
Смотрите также
- Интегральная схема
- СБИС
- Изготовление полупроводниковых приборов
- Переходная спектроскопия глубокого уровня (DLTS)
- Надежность (полупроводник)
Рекомендации
- ^ Golio, Mike; Голио, Джанет (2018). ВЧ и СВЧ пассивные и активные технологии . CRC Press . п. 18-2. ISBN 9781420006728.
- ^ "Кто изобрел транзистор?" . Музей истории компьютеров . 4 декабря 2013 . Проверено 20 июля 2019 .
- ^ «Прогноз отгрузки полупроводников в 2018 году превысит 1 триллион устройств» . www.icinsights.com . Проверено 16 апреля 2018 .
Ожидается, что годовые поставки полупроводниковых элементов (интегральные схемы и опто-сенсорные устройства, или OSD, устройства) вырастут на 9% [..] В 2018 году поставки полупроводниковых элементов, по прогнозам, вырастут до 1 075,1 миллиарда, что соответствует 9% -ному росту для год. Начиная с 1978 года с 32,6 миллиарда единиц и по 2018 год, совокупный годовой темп роста полупроводниковых единиц прогнозируется на уровне 9,1%, что является устойчивым показателем роста за 40-летний период. [..] В 2018 году OSD-устройства, по прогнозам, составят 70% от общего числа полупроводниковых устройств по сравнению с 30% для IC.
- ^ «13 секстиллионов и подсчет: длинный и извилистый путь к самому часто производимому человеческому артефакту в истории» . Музей истории компьютеров . 2 апреля 2018 . Проверено 28 июля 2019 .
- ^ Эрнест Браун и Стюарт Макдональд (1982). Революция в миниатюре: история и влияние полупроводниковой электроники . Издательство Кембриджского университета. С. 11–13. ISBN 978-0-521-28903-0.
- ^ Патрик Маккласки, Ф .; Подлесак, Томас; Гжибовски, Ричард (1996-12-13). Высокотемпературная электроника . ISBN 978-0-8493-9623-6.
- ^ Информация, Reed Business (1986-01-02). «Новый ученый» .
- ^ «Как Yamaha попала в полупроводниковый бизнес» . 2017-02-24.
- ^ «Мартин Аталла в Зале славы изобретателей, 2009» . Проверено 21 июня 2013 года .
- ^ а б "Давон Канг" . Национальный зал славы изобретателей . Проверено 27 июня 2019 .
- ^ «1960 - Показан металлооксидно-полупроводниковый (МОП) транзистор» . Кремниевый двигатель . Музей истории компьютеров .
- ^ Лойек, Бо (2007). История полупроводниковой техники . Springer Science & Business Media . С. 321 -3. ISBN 9783540342588.
- ^ Мотоёси, М. (2009). «Сквозной кремний (TSV)» (PDF) . Труды IEEE . 97 (1): 43–48. DOI : 10.1109 / JPROC.2008.2007462 . ISSN 0018-9219 . S2CID 29105721 . Архивировано из оригинального (PDF) 2019-07-19.
- ^ «Транзисторы поддерживают закон Мура» . EETimes . 12 декабря 2018 . Проверено 18 июля 2019 .
- ^ а б «Выступление директора Янку на Международной конференции по интеллектуальной собственности 2019 г.» . Ведомство США по патентам и товарным знакам . 10 июня 2019 . Проверено 20 июля 2019 .
- ^ «1963: изобретена дополнительная схема МОП-схемы» . Музей истории компьютеров . Дата обращения 6 июля 2019 .
- ^ D. Kahng и SM Sze, "Плавающий затвор и его применение в устройствах памяти", The Bell System Technical Journal , vol. 46, нет. 4. 1967, с. 1288–1295.
- ^ «Получатели премии IEEE Эндрю С. Гроув» . Премия IEEE Эндрю С. Гроув . Институт инженеров по электротехнике и радиоэлектронике . Дата обращения 4 июля 2019 .
- ^ «Прорывное преимущество для ПЛИС с технологией Tri-Gate» (PDF) . Intel . 2014 . Дата обращения 4 июля 2019 .
- Мюллер, Ричард С. и Теодор И. Каминс (1986). Приборная электроника для интегральных схем . Джон Уайли и сыновья. ISBN 978-0-471-88758-4.