Из Википедии, свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Кристаллизация
Процесс-кристаллизации-200px.png
Основы
Кристалл  · Кристаллическая структура  · Зарождение
Концепции
Кристаллизация  · Рост кристаллов
Перекристаллизация  · Затравочный кристалл
Протокристаллический  · Монокристалл
Методы и технологии
Кряж
Бриджмен-Стокбаргер метод
иодидного метод
Чохральский Метод
эпитаксия  · Флюс метод
фракционная кристаллизация
Фракционного замораживание
гидротермального синтеза
Киропулос метод
лазерного нагретого роста пьедестала
Микро-тягового вниз
Shaping процессов роста кристаллов в
Черепе Тигель
Верной метод
зонных плавках

Монокристаллический или монокристаллический , твердое вещество представляет собой материал , в котором кристаллическая решетка всего образца является непрерывной и ненарушенной к краям образца, без каких - либо границ зерен . [1] Отсутствие дефектов, связанных с границами зерен, может придавать монокристаллам уникальные свойства, в частности механические, оптические и электрические, которые также могут быть анизотропными , в зависимости от типа кристаллографической структуры. [2] Эти свойства, помимо того, что они драгоценны для некоторых драгоценных камней, промышленно используются в технологических приложениях, особенно в оптике и электронике. [3]

Поскольку энтропийные эффекты способствуют наличию некоторых дефектов в микроструктуре твердых тел, таких как примеси , неоднородная деформация и кристаллографические дефекты, такие как дислокации , совершенные монокристаллы значимого размера чрезвычайно редки в природе. [2] Необходимые лабораторные условия часто увеличивают стоимость производства. С другой стороны, несовершенные монокристаллы могут достигать огромных размеров в природе: известно, что некоторые минеральные виды, такие как берилл , гипс и полевой шпат , образовали кристаллы в несколько метров в поперечнике. [4] [1]

Противоположностью монокристалла является аморфная структура, в которой положение атомов ограничено только ближним порядком. [5] Между двумя крайностями существует поликристаллический , который состоит из ряда более мелких кристаллов, известных как кристаллиты , и паракристаллических фаз. [6] Монокристаллы обычно имеют отличительные плоские грани и некоторую симметрию, где углы между гранями будут определять его идеальную форму. Драгоценные камни часто представляют собой монокристаллы, искусственно ограненные по кристаллографическим плоскостям, чтобы воспользоваться преломляющими и отражающими свойствами. [6]

Методы производства [ править ]

Хотя современные методы чрезвычайно сложны с учетом современных технологий, происхождение роста кристаллов можно проследить до очистки соли путем кристаллизации в 2500 году до нашей эры. Более продвинутый метод с использованием водного раствора был начат в 1600 году нашей эры, тогда как методы плавления и пара начали применяться примерно в 1850 году. [7]

Древовидная диаграмма методов выращивания монокристаллов

Основные методы выращивания кристаллов можно разделить на четыре категории в зависимости от того, из чего они искусственно выращены: расплав, твердое тело, пар и раствор. [2] Конкретные методы производства крупных монокристаллов (также известных как були ) включают процесс Чохральского (CZ) , плавающую зону (или движение зоны) и технику Бриджмена . Доктор Тил и доктор Литтл из Bell Telephone Laboratories первыми применили метод Чохральского для создания монокристаллов Ge и Si. [8] В зависимости от физических свойств вещества могут использоваться другие методы кристаллизации, включая гидротермальный синтез , сублимацию или просто кристаллизацию на основе растворителя.. [9] Например, модифицированный метод Киропулоса можно использовать для выращивания высококачественных монокристаллов сапфира массой 300 кг. [10] Метод Вернейля , также называемый методом плавления в пламени, использовался в начале 1900-х годов для изготовления рубинов до CZ. [7] На диаграмме справа показано большинство стандартных методов. Произошли новые открытия, такие как химическое осаждение из паровой фазы (CVD), а также различные вариации и изменения существующих методов. Они не показаны на схеме.

Слиток монокристаллического кварца, выращенный гидротермальным методом.

В случае металлических монокристаллов методы изготовления также включают эпитаксию и аномальный рост зерен в твердых телах. [11] Эпитаксия используется для нанесения очень тонких (от микрометра до нанометра) слоев одного и того же или разных материалов на поверхность существующего монокристалла. [12] Этот метод применяется в области производства полупроводников с потенциальным использованием в других областях нанотехнологии и катализа. [13]

Приложения [ править ]

Полупроводниковая промышленность [ править ]

Одним из наиболее часто используемых монокристаллов кремния в полупроводниковой промышленности. Четыре основных метода производства полупроводниковых монокристаллов из металлических растворов: жидкофазная эпитаксия (LPE), жидкофазная электроэпитаксия (LPEE), метод перемещающегося нагревателя (THM) и жидкофазная диффузия (LPD). [14] Однако есть много других монокристаллов, помимо неорганических монокристаллов, способных к полупроводникам, включая монокристаллические органические полупроводники.

Монокристалл тантала высокой чистоты (99,999%) , полученный методом плавающей зоны , некоторые монокристаллические фрагменты тантала, а также куб тантала высокой чистоты (99,99% = 4N) объемом 1 см 3 для сравнения. Это фото было сделано Alchemist-hp.

Монокристаллический кремний используется в производстве полупроводников, а фотоэлектрические элементы сегодня являются наиболее широко применяемой монокристаллической технологией. [15] В фотовольтаике наиболее эффективная кристаллическая структура обеспечивает самое высокое преобразование света в электричество. [16] В квантовом масштабе, на котором работают микропроцессоры , наличие границ зерен будет иметь значительное влияние на функциональность полевых транзисторов , изменяя локальные электрические свойства. [17]Поэтому производители микропроцессоров вложили значительные средства в оборудование для производства крупных монокристаллов кремния. Метод Чохральского и плавающая зона - популярные методы роста кристаллов кремния. [18]

Другие неорганические полупроводниковые монокристаллы включают GaAs, GaP, GaSb, Ge, InAs, InP, InSb, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe и ZnTe. Большинство из них также можно настроить с помощью различных легирующих добавок для достижения желаемых свойств. [19] Монокристаллический графен также очень востребован для приложений в электронике и оптоэлектронике из-за его большой подвижности носителей и высокой теплопроводности, и остается предметом страстных исследований. [20] Одной из основных задач было выращивание однородных монокристаллов двухслойного или многослойного графена на больших площадях; эпитаксиальный рост и новое сердечно-сосудистое заболевание (упомянутое выше) являются одними из новых многообещающих методов, которые исследуются. [21]

Монокристаллы органических полупроводников отличаются от неорганических кристаллов. Слабые межмолекулярные связи означают более низкие температуры плавления, более высокое давление пара и большую растворимость. [22] Для роста монокристаллов решающее значение имеет чистота материала, а для получения органических материалов обычно требуется много шагов для достижения необходимой чистоты. [23] Проводятся обширные исследования для поиска материалов, которые являются термически стабильными с высокой подвижностью носителей заряда. Предыдущие открытия включают нафталин, тетрацен и 9,10-дифенилантацен (DPA). [24]Производные трифениламина показали себя многообещающими, и недавно, в 2021 году, монокристаллическая структура α-фенил-4 '- (дифениламино) стильбена (TPA), выращенная с использованием метода раствора, продемонстрировала еще больший потенциал для использования в полупроводниках благодаря своим свойствам анистропного переноса дырок. [25]

Оптическое приложение [ править ]

Огромный кристалл KDP , дигидрофосфата калия, выращенный из затравочного кристалла в перенасыщенном водном растворе в LLNL, который нужно разрезать на кусочки и использовать в Национальном центре зажигания для удвоения и утроения частоты .

Монокристаллы обладают уникальными физическими свойствами благодаря тому, что они представляют собой одно зерно с молекулами в строгом порядке и без границ зерен. [2] Это включает в себя оптические свойства, и монокристаллы кремния также используются в качестве оптических окон из-за их прозрачности в определенных инфракрасных (ИК) длинах волн , что делает его очень полезным для некоторых инструментов. [5]

Сапфиры : более известные ученые как альфа-фаза оксида алюминия (Al 2 O 3 ), монокристаллы сапфира широко используются в высокотехнологичной технике. Его можно выращивать из газовой, твердой или растворной фаз. [10] Диаметр кристаллов, полученных в результате метода выращивания, важен при рассмотрении дальнейшего использования в электронике. Они используются для лазеров и нелинейной оптики . Некоторые известные применения - это окно биометрического считывателя отпечатков пальцев, оптические диски для долговременного хранения данных и рентгеновский интерферометр. [2]

Фосфид индия : эти монокристаллы особенно подходят для объединения оптоэлектроники с высокоскоростной электроникой в ​​виде оптического волокна с подложками большого диаметра. [26] Другие фотонные устройства включают лазеры, фотодетекторы, лавинные фотодиоды, оптические модуляторы и усилители, устройства обработки сигналов, а также оптоэлектронные и фотонные интегральные схемы. [27]

Кристаллы оксида алюминия

Германий: это был материал в первом транзисторе, изобретенном Бардином, Браттейном и Шокли в 1947 году. Он используется в некоторых детекторах гамма-излучения и инфракрасной оптике. [28] Теперь он стал центром внимания сверхбыстрых электронных устройств из-за присущей им мобильности носителей. [27]

Арсенид : Арсенид III можно комбинировать с различными элементами, такими как B, Al, Ga и In, при этом соединение GaAs пользуется большим спросом для пластин. [27]

Теллурид кадмия : Кристаллы CdTe находят несколько применений в качестве подложек для получения ИК-изображений, электрооптических устройств и солнечных элементов . [29] Путем сплавления CdTe и ZnTe вместе могут быть созданы детекторы рентгеновского излучения и гамма-излучения при комнатной температуре. [27]

Электрические проводники [ править ]

Удивительно, но металлы можно производить в форме монокристаллов, что дает возможность понять конечные характеристики металлических проводников. Это жизненно важно для понимания фундаментальной науки, такой как каталитическая химия, физика поверхности, электроны и монохроматоры . [4] Производство металлических монокристаллов имеет самые высокие требования к качеству и выращивается или вытягивается в виде стержней. [30] Некоторые компании могут производить канавки, отверстия и контрольные поверхности определенной геометрии, а также различные диаметры. [19]

Из всех металлических элементов серебро и медь обладают лучшей проводимостью при комнатной температуре, что является эталоном производительности. [31] Размер рынка, а также колебания предложения и стоимости создали сильные стимулы для поиска альтернатив или способов их использования в меньшем количестве за счет повышения производительности.

Электропроводность промышленных проводов часто выражается относительно Международного стандарта на отожженную медь , в соответствии с которым самая чистая медная проволока, доступная в 1914 году, составляла около 100%. Самая чистая современная медная проволока является лучшим проводником, ее толщина превышает 103% по этой шкале. Выигрыш из двух источников. Во-первых, современная медь более чистая. Однако кажется, что этот путь к улучшению подошел к концу. Повышение чистоты меди по-прежнему не приводит к значительным улучшениям. Во-вторых, отжиги другие процессы были улучшены. Отжиг уменьшает количество дислокаций и других дефектов кристалла, которые являются источниками сопротивления. Но полученные проволоки все равно поликристаллические. Границы зерен и оставшиеся дефекты кристалла являются причиной некоторого остаточного сопротивления. Это можно количественно оценить и лучше понять, исследуя монокристаллы.

Как и ожидалось, монокристаллическая медь оказалась лучше, чем поликристаллическая медь. [32]

Удельное электрическое сопротивление ρ для материалов серебро (Ag) / медь (Cu) при комнатной температуре (293 K) [33]
Материалρ (мкОм ∙ см)МАКО [34]
Монокристаллический Ag, легированный 3 мол.% Cu1,35127%
Монокристалл Cu, дополнительно обработанный [35]1,472117,1%
Монокристаллический Ag1,49115,4%
Монокристаллическая Cu1,52113,4%
Проволока Ag высокой чистоты (поликристаллическая)1,59108%
Медная проволока высокой чистоты (поликристаллическая)1,67˃103%

Однако монокристаллическая медь не только стала лучшим проводником, чем поликристаллическое серебро высокой чистоты, но и при предписанной термической обработке и обработке под давлением смогла превзойти даже монокристаллическое серебро. Хотя примеси обычно плохо сказываются на проводимости, лучше всего оказался монокристалл серебра с небольшим количеством замещения меди.

По состоянию на 2009 год, монокристаллическая медь не производилась в промышленных масштабах, но методы производства отдельных кристаллов очень больших размеров для медных проводников используются для высокопроизводительных электрических приложений. Их можно рассматривать как метамонокристаллы с несколькими кристаллами на метр длины.

Пигтейл от литья монокристаллического лезвия

Лезвия турбины с одним кристаллом [ править ]

Еще одно применение монокристаллических твердых тел - это материаловедение при производстве высокопрочных материалов с низкой термической ползучестью , таких как лопатки турбин . [36] Здесь отсутствие границ зерен фактически приводит к снижению предела текучести, но, что более важно, снижает степень ползучести, которая имеет решающее значение для высокотемпературных деталей с жесткими допусками. [37] Исследователь Барри Пирси обнаружил, что изгиб под прямым углом в литейной форме уменьшит количество столбчатых кристаллов, и позже ученый Джамей использовал это, чтобы создать монокристаллическую структуру лопатки турбины. [38]

В исследовании [ править ]

Монокристаллы необходимы в исследованиях, особенно в физике конденсированных сред и во всех аспектах материаловедения, таких как наука о поверхности . [2] Детальное изучение кристаллической структуры материала с помощью таких методов, как дифракция Брэгга и рассеяние атомов гелия , проще с монокристаллами, потому что можно изучить зависимость различных свойств от направления и сравнить с теоретическими предсказаниями. [39] Кроме того, методы макроскопического усреднения, такие как фотоэмиссионная спектроскопия с угловым разрешением или дифракция низкоэнергетических электроноввозможны или значимы только на поверхности монокристаллов. [40] [41] В сверхпроводимости были случаи, когда сверхпроводимость наблюдалась только в монокристаллических образцах. [42] Их можно выращивать для этой цели, даже если в других случаях материал нужен только в поликристаллической форме.

Таким образом, изучается множество новых материалов в их монокристаллической форме. Молодая область металлоорганических каркасов (МОФ) - одна из многих, которые могут иметь монокристаллы. В январе 2021 года д-р Донг и д-р Фенг продемонстрировали, как полициклические ароматические лиганды могут быть оптимизированы для получения больших монокристаллов 2D MOF размером до 200 мкм. Это может означать, что ученые могут изготавливать монокристаллические устройства и определять собственную электрическую проводимость и механизм переноса заряда. [43]

Сфера фотоуправляемого преобразования также может быть связана с монокристаллами с так называемым преобразованием из монокристалла в монокристалл (SCSC). Они обеспечивают прямое наблюдение за движением молекул и понимание механистических деталей. [44] Такое поведение фотопереключения также наблюдалось в передовых исследованиях по изначально не светочувствительным мононуклеарным лантаноидным одномолекулярным магнитам (SMM). [45]

См. Также [ править ]

  • Технические аспекты кристаллизации
  • Фракционная кристаллизация
  • Рост пьедестала с лазерным нагревом
  • Микро-вытягивание вниз
  • Перекристаллизация
  • Семенной кристалл

Ссылки [ править ]

  1. ^ a b RIWD. «Современные материалы - монокристаллы». www.reade.com . Проверено 28 февраля 2021.
  2. ^ Б с д е е Fornari, Роберто. (2018). Монокристаллы электронных материалов: рост и свойства . Сан-Диего: Elsevier Science & Technology. ISBN 978-0-08-102097-5. OCLC  1055046791 .
  3. ^ "Монокристаллы - химия альфа". www.alfa-chemistry.com . Проверено 28 февраля 2021.
  4. ^ a b "Монокристаллы чистых элементов - химия альфа". www.alfa-chemistry.com . Проверено 28 февраля 2021.
  5. ^ a b «4.1: Введение». Инженерные LibreTexts . 2019-02-08. Проверено 28 февраля 2021.
  6. ^ a b "DoITPoMS - структура атомного масштаба библиотеки TLP материалов". www.doitpoms.ac.uk . Проверено 28 февраля 2021.
  7. ^ a b (2007) Растущие монокристаллы. В кн .: Керамические материалы. Спрингер, Нью-Йорк, штат Нью-Йорк. https://doi-org.dartmouth.idm.oclc.org/10.1007/978-0-387-46271-4_29
  8. ^ Тил, GK и Литтл, JB (1950) "Рост монокристаллов германия", Phys. Rev. 78, 647. Teal and Little из Bell Telephone Laboratories были первыми, кто произвел монокристаллы Ge и Si методом Cz.
  9. ^ Миядзаки, Нориюки (2015-01-01), Рудольф, Петр (ред.), «26 - тепловой стресс и Дислокации в массовых роста кристаллов», Справочник по росту кристаллов (второе издание) , Справочник по росту кристаллов, Бостон: Elsevier ., с 1049-1092, DOI : 10.1016 / b978-0-444-63303-3.00026-2, ISBN 978-0-444-63303-3, получено 2021-02-28
  10. ^ a b Заложный, Евгений (13 июля 2015 г.). «Монокристалл позволяет использовать в больших объемах светодиодные и оптические приложения с сапфировыми кристаллами KY массой 300 кг». Журнал светодиодов . Проверено 27 февраля 2021 года.
  11. ^ Jin, Sunghwan; Руофф, Родни С. (01.10.2019). «Приготовление и использование монокристаллической металлической фольги большой площади». Материалы APL . 7 (10): 100905. DOI : 10,1063 / 1,5114861.
  12. ^ Чжан, Кай; Питнер, Сюэ Бай; Ян, Руи; Никс, Уильям Д .; Пламмер, Джеймс Д.; Фан, Джонатан А. (2018). «Рост монокристаллов металла на аморфных изолирующих подложках». Труды Национальной академии наук Соединенных Штатов Америки . 115 (4): 685–689. DOI : 10.2307 / 26506454. ISSN 0027-8424.
  13. ^ "Монокристаллические субстраты - химия Альфа" . www.alfa-chemistry.com . Проверено 11 марта 2021 .
  14. ↑ Дост, Садик; Пост, Брайан (2007-01-01), Дост, Садик; Пост, Брайан (ред.), "Глава 1 - Введение" , монокристалл Рост Semiconductors от металлических растворов , Амстердама: Elsevier, стр 3-14,. Да : 10,1016 / b978-044452232-0 / 50002-х , ISBN 978-0-444-52232-0, получено 2021-03-11
  15. ^ Кернс, Джоэл К. (2019-01-01), Fornari, Роберто (ред.), "2 - монокристаллы кремния" , монокристаллов электронных материалов , Woodhead издания серии в электронных и оптических материалов, Woodhead Publishing, стр. 5-56, DOI : 10.1016 / b978-0-08-102096-8.00002-1 , ISBN 978-0-08-102096-8, получено 2021-03-11
  16. ^ "CZ-Si Wafers - Nanografi". nanografi.com . Проверено 28 февраля 2021.
  17. ^ Дои, Тоширо; Маринеску, Иоан Д .; Курокава, Сюхей, ред. (2012-01-01), «Глава 3 - Текущая ситуация в сверхточной технологии - монокристаллы кремния в качестве примера» , Авансы в CMP Полировка Technologies , Оксфорд:. Уильям Эндрю Publishing, С. 15-111, DOI : 10.1016 /b978-1-4377-7859-5.00003-x , ISBN 978-1-4377-7859-5, получено 2021-03-11
  18. ^ Czochralski Growth of Silicon Crystals Jochen Friedrich 2, Wilfried von Ammon 1, Georg Müller 3 3 Справочник по росту кристаллов: объемный рост кристаллов , под редакцией Питера Рудольфа, Elsevier, 2014. ProQuest Ebook Central , http://ebookcentral.proquest.com /lib/dartmouth-ebooks/detail.action?docID=1840493.
  19. ^ a b «Полупроводниковые монокристаллы» . Princeton Scientific . Проверено 8 февраля 2021 .
  20. ^ Ма, Дэн; Рен, Вэньцай; Чжан, Сююнь; Лю, Чжибо; Гао, Ян; Инь, Ли-Чанг; Ма, Сю-Лян; Дин, Фэн; Ченг, Хуэй-Мин (2013). "Контролируемый краем рост и кинетика монокристаллических графеновых доменов путем химического осаждения из газовой фазы" . Труды Национальной академии наук Соединенных Штатов Америки . 110 (51): 20386–20391. ISSN 0027-8424 . 
  21. ^ Ван, Мэйхуэй; Ло, Да; Ван, Бин; Руофф, Родни С. (2021-01-01). «Синтез монокристаллического графена большой площади» . Направления химии . 3 (1): 15–33. DOI : 10.1016 / j.trechm.2020.10.009 . ISSN 2589-7209 . 
  22. ^ Ю, Панпан; Чжэнь, Юнган; Донг, Хуанли; Ху, Вэньпин (14.11.2019). «Кристаллическая инженерия органических оптоэлектронных материалов» . Chem . 5 (11): 2814–2853. DOI : 10.1016 / j.chempr.2019.08.019 . ISSN 2451-9294 . 
  23. ^ Чжоу, Ли-Хуэй; На, Яена; Пак, Чжун-Хёи; Пак, Мин Су; Осака, Итару; Ким, Феликс Сонджу; Лю, Чэн-Лян (16.03.2020). «Полупроводниковые низкомолекулярные / полимерные смеси для органических транзисторов» . Полимер . 191 : 122208. DOI : 10.1016 / j.polymer.2020.122208 . ISSN 0032-3861 . 
  24. ^ Трипати, А. К .; Генрих, М .; Siegrist, T .; Пфлаум, Дж. (17 августа 2007 г.). «Рост и электронный транспорт в монокристаллах 9,10-дифенилантрацена - органический полупроводник с высокой подвижностью электронов и дырок» . Современные материалы . 19 (16): 2097–2101. DOI : 10.1002 / adma.200602162 .
  25. ^ "Характеристика монокристалла α-фенил-4 '- (дифениламино) стильбена и его анизотропной проводимости" . Материалы Наука и техника: B . 264 : 114949. 01.02.2021. DOI : 10.1016 / j.mseb.2020.114949 . ISSN 0921-5107 . 
  26. ^ "PICs фосфида индия" . Оптические компоненты 100G, когерентные, PIC, DWDM . Проверено 12 марта 2021 .
  27. ^ a b c d Форнари, Роберто. Монокристаллы электронных материалов: рост и свойства . ISBN 978-0-08-102097-5. OCLC  1054250691 .
  28. ^ Gafni, G .; Azoulay, M .; Shiloh, C .; Noter, Y .; Сая, А .; Galron, H .; Рот, М. (1987-11-10). «Монокристаллы германия большого диаметра для ИК-оптики» . Инфракрасная технология XIII . Международное общество оптики и фотоники. 0819 : 96–102. DOI : 10.1117 / 12.941806 .
  29. ^ Belas, E .; Uxa, Š .; Гриль, Р .; Hlídek, P .; Šedivý, L .; Бугар, М. (12 сентября 2014 г.). «Высокотемпературный край оптического поглощения монокристалла CdTe» . Журнал прикладной физики . 116 (10): 103521. DOI : 10,1063 / 1,4895494 . ISSN 0021-8979 . 
  30. ^ "Ученые дуют горячим и холодным воздухом, чтобы произвести монокристаллический металл" . Материалы сегодня . Проверено 12 марта 2021 .
  31. ^ «Инновации TIBTECH: Сравнение свойств металлов: электропроводность, теплопроводность, плотность, температура плавления» . www.tibtech.com . Проверено 12 марта 2021 .
  32. ^ Чо, Ён Чан; Сынхун Ли; Мухаммад Аджмал; Вон-Гён Ким; Чхэ Рён Чо; Се Ён Чжон; Jeung Hun Park; Sang Eon Park; Парк Сунгюн; Хюк-Кю Пак; Хён Чан Ким (22 марта 2010 г.). «Медь лучше, чем серебро: удельное электрическое сопротивление беззерновой монокристаллической медной проволоки». Рост и дизайн кристаллов . 10 (6): 2780–2784. DOI : 10.1021 / cg1003808 .
  33. ↑ Джи Ён Ким; Мин-Ук О; Сынхун Ли; Ён Чан Чо; Чан-Хи Юн; Гын У Ли; Чхэ-Рён Чо; Парк Чул Хонг; Се Ён Чжон (26 июня 2014 г.). «Аномальное падение электросопротивления при примесном легировании монокристалла Ag» . Научные отчеты . 4 : 5450. Bibcode : 2014NatSR ... 4E5450K . DOI : 10.1038 / srep05450 . PMC 4071311 . PMID 24965478 .  
  34. ^ "Международный стандарт отожженной меди" . Ресурсный центр по неразрушающему контролю . Сотрудничество в области образования по неразрушающему контролю, Университет штата Айова. nd . Проверено 14 ноября 2016 года .
  35. ^ Мухаммад Аджмал; Сынхун Ли; Ён Чан Чо; Су Джэ Ким; Sang Eon Park; Чхэ Рён Чоа; Се Ён Чжон (2012). «Изготовление лучшего проводника из монокристаллической меди и вклад границ зерен в температуру Дебая». CrystEngComm . 14 (4): 1463–1467. DOI : 10.1039 / C1CE06026K .
  36. ^ Слюна, Питер. "Газотурбинные технологии" Rolls-Royce plc , 2003. Дата обращения: 21 июля 2012 г.
  37. ^ Драгоценности короны - Эти кристаллы являются жемчужинами эффективности турбин. Архивировано 25 марта 2010 г. в Wayback Machine Статья о монокристаллических лопастях турбины memagazine.com
  38. ^ "Каждое лезвие - одиночный кристалл" . Американский ученый . 2017-02-06 . Проверено 8 февраля 2021 .
  39. ^ "Серебряный монокристалл" . Центр материалов . Проверено 12 марта 2021 .
  40. ^ Ван, Кэ; Эккер, Бен; Гао, Юнли (сентябрь 2020 г.). "Угловое фотоэмиссионное исследование зонной структуры органических монокристаллов" . Кристаллы . 10 (9): 773. DOI : 10,3390 / cryst10090773 .
  41. ^ «6.2: Дифракция электронов низких энергий (ДМЭ)» . Химия LibreTexts . 2015-02-11 . Проверено 12 марта 2021 .
  42. ^ Чен, Цзяшэн; Gamża, Monika B .; Банда, Хасинта; Мерфи, Кейрон; Таррант, Джеймс; Брандо, Мануэль; Гроше, Ф. Мальте (30 ноября 2020 г.). "Нетрадиционная объемная сверхпроводимость в монокристаллах $ {\ mathrm {YFe}} _ {2} {\ mathrm {Ge}} _ {2} $" . Письма с физическим обзором . 125 (23): 237002. DOI : 10,1103 / PhysRevLett.125.237002 .
  43. ^ Донг, Жэньхао; Фэн, Синьлянь (2021-02). «Изготовление больших монокристаллов из 2D МОФ». Материалы природы . 20 (2): 122–123. DOI : 10.1038 / s41563-020-00912-1. ISSN 1476-4660.
  44. ^ Хуанг, Шэн-Ли; Хор, Т. С. Энди; Цзинь, Го-Синь (01.09.2017). «Фотоприводное преобразование монокристалла в монокристалл». Обзоры координационной химии . SI: 42 iccc, г. Брест - по приглашению. 346 : 112–122. DOI : 10.1016 / j.ccr.2016.06.009. ISSN 0010-8545.
  45. ^ Ходжорат, Махер; Аль-Сабея, Хасан; Норел, Люси; Бернот, Кевин; Руанель, Тьерри; Гендрон, Фредерик; Генник, Борис Ле; Трзоп, Эльжбета; Колле, Эрик; Лонг, Джеффри Р .; Ригут, Стефан (15.01.2020). "Гистерезисная фотомодуляция посредством изомеризации монокристалла в монокристалл фотохромной цепи магнитов из одной молекулы диспрозия" . Журнал Американского химического общества . 142 (2): 931–936. DOI : 10.1021 / jacs.9b10584 . ISSN 0002-7863 . 

Дальнейшее чтение [ править ]

  • "Кристаллизация малых молекул" ( PDF ) на веб-сайте Иллинойского технологического института.