(Перенаправлен с 800 нм )
Перейти к навигации Перейти к поиску | Эта статья требует дополнительных ссылок для проверки . ( февраль 2007 г. ) ( Узнайте, как и когда удалить этот шаблон сообщения ) |
| Изготовление полупроводниковых приборов |
|---|
 |
| Масштабирование MOSFET ( технологические узлы ) |
800 нм процесс относится к уровню МОП - транзистор полупроводникового изготовления технологического процесса , который был достигнут вокруг 1987-1990 периода времени, ведущих полупроводниковых компаний , таких как NTT , NEC , Toshiba , IBM , Hitachi , Matsushita , Mitsubishi Electric и Intel .
Продукты с производственным процессом 800 нм [ править ]
- NTT представила процесс 800 нм CMOS для своего чипа памяти DRAM объемом 1 Мбит в 1984 году. [1]
- IBM «s Bijan Davari разработаны высокоэффективные, низкого напряжения, глубоко под-микронной технологии CMOS в середине 1980-х годов, что позволило создать более быстрых компьютеров, а также портативных компьютеров и батарейным питанием портативных электроники . [2]
- NEC и Toshiba использовали этот процесс для своих 4- мегабитных микросхем памяти DRAM в 1986 году [3].
- Hitachi , IBM , Matsushita и Mitsubishi Electric использовали этот процесс для своих 4- мегабитных микросхем памяти DRAM в 1987 году [1].
- Toshiba использовала этот процесс для своей микросхемы памяти EPROM 4 Мбит в 1987 году [3].
- Hitachi, Mitsubishi и Toshiba использовали этот процесс для своих микросхем памяти SRAM 1 Мбит в 1987 году [3].
- Intel 80486 процессор , запущенный в 1989 году, был изготовлен с использованием этого процесса.
- Процессор Intel i960CA , анонсированный в 1989 году, использовал этот процесс. [4]
- microSPARC я запустил в 1992 году.
- Первые процессоры Intel P5 Pentium с частотой 60 МГц и 66 МГц были выпущены в 1993 г. ( BiCMOS )
Ссылки [ править ]
- ^ a b Gealow, Джеффри Карл (10 августа 1990 г.). «Влияние технологии обработки на конструкцию усилителя чувствительности DRAM» (PDF) . CORE . Массачусетский технологический институт . С. 149–166 . Проверено 25 июня 2019 .
- ^ "Получатели премии Эндрю С. Гроув IEEE" . Премия IEEE Эндрю С. Гроув . Институт инженеров по электротехнике и радиоэлектронике . Дата обращения 4 июля 2019 .
- ^ a b c "Память" . STOL (Интернет-технологии полупроводников) . Проверено 25 июня 2019 .
- ^ «Встроенный микропроцессор Intel i960» . Национальная лаборатория сильного магнитного поля . Государственный университет Флориды . 3 марта 2003 года Архивировано из оригинала 3 марта 2003 года . Проверено 29 июня 2019 .
| Предшествует 1 мкм | CMOS производственные процессы | Преемник 600 нм |
