Элементарная ячейка CIGS. Красный = Cu, желтый = Se, синий = In / Ga | |
Идентификаторы | |
---|---|
| |
ChemSpider | |
Характеристики | |
CuIn (1-x) Ga x Se 2 | |
Плотность | ~ 5,7 г / см 3 |
Температура плавления | От 1070 до 990 ° C (от 1960 до 1810 ° F; от 1340 до 1260 K) (x = 0–1) [1] |
Ширина запрещенной зоны | 1,0–1,7 эВ (x = 0–1) [1] |
Состав | |
тетрагональный, символ Пирсона tI16 [1] | |
Я 4 2д | |
a = 0,56–0,58 нм (x = 0–1), c = 1,10–1,15 нм (x = 0–1) | |
Если не указано иное, данные приведены для материалов в их стандартном состоянии (при 25 ° C [77 ° F], 100 кПа). | |
Ссылки на инфобоксы | |
(Ди) селенид меди , индия , галлия ( CIGS ) представляет собой полупроводниковый материал I - III - VI 2, состоящий из меди , индия , галлия и селена . Материал представляет собой твердый раствор из селенида меди индия (часто сокращенно «СНГ») и селенида меди галлия . Он имеет химическую формулу CuIn (1-x) Ga (x) Se 2, где значение x может варьироваться от 0 (чистый селенид меди-индия) до 1 (чистый селенид меди-галлия). CIGS - это тетраэдрически связанный полупроводник с кристаллической структурой халькопирита и шириной запрещенной зоны, непрерывно изменяющейся в зависимости от x от примерно 1,0 эВ (для селенида меди-индия) до примерно 1,7 эВ (для селенида меди-галлия).
Структура [ править ]
CIGS - это тетраэдрически связанный полупроводник с кристаллической структурой халькопирита . При нагревании он превращается в форму цинковой обманки, и температура перехода снижается с 1045 ° C для x = 0 до 805 ° C для x = 1. [1]
Приложения [ править ]
Он наиболее известен как материал для солнечных элементов CIGS - тонкопленочная технология, используемая в фотоэлектрической промышленности. [2] В этой роли CIGS имеет то преимущество, что его можно наносить на гибкие материалы подложки, создавая очень гибкие и легкие солнечные панели . Повышение эффективности сделало CIGS признанной технологией среди альтернативных материалов для ячеек.
См. Также [ править ]
- Солнечные элементы из селенида меди, индия, галлия
- CZTS
- Список компаний CIGS
Ссылки [ править ]
- ^ a b c d Tinoco, T .; Rincón, C .; Quintero, M .; Перес, Г. Санчес (1991). «Фазовая диаграмма и оптические энергетические щели для сплавов CuInyGa1 − ySe2». Physica Status Solidi . 124 (2): 427. Bibcode : 1991PSSAR.124..427T . DOI : 10.1002 / pssa.2211240206 .
- ^ "Партнерский обзор программы технологий солнечной энергии Министерства энергетики США" (PDF) . Департамент энергетики США 2009 . Проверено 10 февраля 2011 года .