Из Википедии, бесплатной энциклопедии
  (Перенаправлен с 22 нм )
Перейти к навигации Перейти к поиску
Изготовление полупроводниковых
приборов
4-ФАХ-NAND-C10.JPG
Масштабирование MOSFET
( технологические узлы )
Будущее

22  нм узел является стадия процесса следующие 32 нм в КМОП - МОП - транзистор изготовления полупроводниковых приборов . Типичный половинный шаг (то есть половина расстояния между идентичными элементами в массиве) для ячейки памяти, использующей этот процесс, составляет около 22 нм. Впервые полупроводниковые компании продемонстрировали возможность использования в оперативной памяти в 2008 году. В 2010 году Toshiba начала поставки 24-нм микросхем флэш-памяти , а Samsung Electronics начала массовое производство 20-нм микросхем флэш-памяти. Первые поставки ЦП потребительского уровня с использованием 22-нм техпроцесса начались в апреле 2012 года.Процессоры Intel Ivy Bridge .

В отчете ITRS 2006 Front End Process Update указано, что эквивалентная физическая толщина оксида не будет масштабироваться ниже 0,5 нм (примерно в два раза больше диаметра атома кремния ), что является ожидаемым значением в узле 22 нм. Это признак того, что масштабирование CMOS в этой области на данный момент достигло предела, что, возможно, нарушает закон Мура .

Узел размером 20 нанометров представляет собой промежуточную усадку кристалла полуузла, основанную на 22-нанометровом процессе.

TSMC начала массовое производство 20-  нм узлов в 2014 году. [1] 22-нм техпроцесс был заменен коммерческой 14-нм технологией FinFET в 2014 году.

Демонстрации технологий [ править ]

В 1998 году устройства FinFET до 17  нм были продемонстрированы международной группой исследователей, работающей в Калифорнийском университете в Беркли , во главе с Дай Хисамото из японской центральной исследовательской лаборатории Hitachi и Ченминг Ху из Тайваньской компании по производству полупроводников (TSMC) вместе с Вэнь-Чином. Ли, Якуб Кедзерски, Эрик Андерсон, Хидеки Такеучи, Казуя Асано, Цу-Дже Кинг Лю и Джеффри Бокор. [2] В декабре 2000  года та же исследовательская группа продемонстрировала 20 нм процесс FinFET. [3]

18 августа 2008 г. AMD , Freescale , IBM , STMicroelectronics , Toshiba и Колледж наноразмерных наук и инженерии (CNSE) объявили, что они совместно разработали и изготовили ячейку SRAM 22 нм , построенную на традиционной конструкции с шестью транзисторами на базе Пластина 300 мм с размером ячейки памяти всего 0,1 мкм 2 . [4] Ячейка была напечатана с использованием иммерсионной литографии . [5]

Узел 22 нм может быть первым случаем, когда длина затвора не обязательно меньше, чем обозначение технологического узла. Например, длина затвора 25 нм будет типичной для узла 22 нм.

22 сентября 2009 года во время Intel Developer Forum Fall 2009 , Intel показала 22 - нм пластин и объявила , что чипы с 22 - нм технологии будут доступны во второй половине 2011 года [6] размер SRAM клеток называется 0,092 мкм 2 , наименьшее из зарегистрированных на сегодняшний день.

3 января 2010 года Intel и Micron Technology анонсировали первое в семействе 25-нм устройств NAND .

2 мая 2011 года Intel анонсировала свой первый 22-нм микропроцессор под кодовым названием Ivy Bridge , использующий технологию FinFET под названием 3-D tri-gate . [7]

Процессоры IBM POWER8 производятся по 22-нм техпроцессу SOI . [8]

Поставляемые устройства [ править ]

  • 31 августа 2010 г. Toshiba объявила о поставках устройств NAND с флеш-памятью 24 нм . [9]
  • В 2010 году Samsung Electronics начала массовое производство микросхем флэш- памяти NAND 64 Гбит с использованием 20-нм техпроцесса. [10] 
  • Также в 2010 году Hynix представила  микросхему флэш-памяти NAND 64 Гбит, использующую 20-нм техпроцесс. [11]
  • 23 апреля 2012 года процессоры Intel Core i7 и Intel Core i5 на базе 22-нм технологии Intel Ivy Bridge для наборов микросхем серии 7 поступили в продажу по всему миру. [12] Массовое производство 22-нм процессоров началось более чем на шесть месяцев раньше, как подтвердил бывший генеральный директор Intel Пол Отеллини 19 октября 2011 года. [13]
  • 3 июня 2013 года Intel начала поставки процессоров Intel Core i7 и Intel Core i5 на базе микроархитектуры Intel Haswell по 22-нм технологии Tri-Gate FinFET для наборов микросхем серии 8. [14]

Ссылки [ править ]

  1. ^ «Технология 20 нм» . TSMC . Проверено 30 июня 2019 .
  2. ↑ Tsu ‐ Jae King, Лю (11 июня 2012 г.). «FinFET: история, основы и будущее» . Калифорнийский университет в Беркли . Краткий курс симпозиума по технологии СБИС . Дата обращения 9 июля 2019 .
  3. ^ Хисамото, Диг; Ху, Ченмин; и другие. (Декабрь 2000 г.). «FinFET - самовыравнивающийся МОП-транзистор с двойным затвором, масштабируемый до 20 нм». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 47 (12): 2320–2325. Bibcode : 2000ITED ... 47.2320H . CiteSeerX 10.1.1.211.204 . DOI : 10.1109 / 16.887014 . 
  4. ^ "Новости TG Daily" . Архивировано из оригинала на 2008-08-19 . Проверено 18 августа 2008 .
  5. ^ Новости EETimes
  6. ^ Intel анонсирует 22-нм чипы на 2011 год
  7. ^ Технология Intel 22nm 3-D Tri-Gate Transistor Technology
  8. ^ IBM открывает кимоно Power8 (немного больше)
  9. ^ Toshiba запускает 24-нанометровую флеш-память NAND
  10. ^ «История» . Samsung Electronics . Самсунг . Проверено 19 июня 2019 .
  11. ^ «История: 2010-е» . SK Hynix . Проверено 8 июля 2019 .
  12. ^ Intel запускает Ivy Bridge ...
  13. ↑ Tom's Hardware: Intel продаст Ivy Bridge в конце четвертого квартала 2011 года.
  14. ^ «Скоро появятся процессоры Intel® Core ™ 4-го поколения» . Архивировано из оригинала на 2015-02-09 . Проверено 27 апреля 2013 .


Предшествующий
32 нм ( CMOS )		 Производственные процессы MOSFETПреемник
14 нм ( FinFET )