Из Википедии, бесплатной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Дисульфид молибдена
Дисульфид молибдена
Молибденит-3D-шары.png
Имена
Название ИЮПАК
Дисульфид молибдена
Другие имена
Сульфид молибдена (IV)
Идентификаторы
3D модель ( JSmol )
ЧЭБИ
ChemSpider
ECHA InfoCard100,013,877 Отредактируйте это в Викиданных
Номер RTECS
  • QA4697000
UNII
  • InChI = 1S / Mo.2S проверитьY
    Ключ: CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N проверитьY
  • InChI = 1 / Mo.2S / rMoS2 / c2-1-3
    Ключ: CWQXQMHSOZUFJS-FRBXWHJUAU
  • S = [Пн] = S
Характеристики
MoS
2
Молярная масса160,07 г / моль [1]
Внешностьчерный / свинцово-серый твердый
Плотность5,06 г / см 3 [1]
Температура плавления2375 ° С (4307 ° F, 2648 К) [4]
нерастворимый [1]
Растворимостьразлагается царской водкой , горячей серной кислотой , азотной кислотой,
нерастворимой в разбавленных кислотах
Ширина запрещенной зоны1,23 эВ (непрямой, 3R или 2H объемный) [2]
~ 1,8 эВ (прямой, монослой) [3]
Структура
hP6 , P6
3/ mmc , № 194 (2H)

hR9 , R3m , № 160 (3R) [5]

a  = 0,3161 нм (2H), 0,3163 нм (3R), c  = 1,2295 нм (2H), 1,837 (3R)
Координационная геометрия
Тригонально-призматический (Mo IV )
Пирамидальный (S 2- )
Опасности
Паспорт безопасностиВнешний паспорт безопасности материалов
Родственные соединения
Другие анионы
Оксид молибдена (IV)
Диселенид
молибдена Дителлурид молибдена
Другие катионы
Дисульфид вольфрама
Сопутствующие смазочные материалы
Графитовый
Если не указано иное, данные приведены для материалов в их стандартном состоянии (при 25 ° C [77 ° F], 100 кПа).
☒N проверить  ( что есть   ?)проверитьY☒N
Ссылки на инфобоксы

Дисульфид молибдена (или молибден) - это неорганическое соединение, состоящее из молибдена и серы . Его химическая формула - MoS
2.

Соединение классифицируется как дихалькогенид переходного металла . Это серебристо-черное твердое вещество, встречающееся в виде минерала молибденита , основной руды молибдена. [6] MoS
2относительно инертен. На него не действуют разбавленные кислоты и кислород . По внешнему виду и ощущениям ди сульфид молибдена похож на графит . Он широко используется в качестве сухой смазки из-за низкого трения и прочности. Массовый MoS
2является диамагнитным , непрямой запрещенной зоны полупроводника похож на кремнии , с шириной запрещенной зоны 1,23 эВ. [2]

Производство [ править ]

Молибденит

MoS 2 в природе встречается в виде молибденита , кристаллического минерала, или йордизита, редкой низкотемпературной формы молибденита. [7] Молибденитовая руда обрабатывается флотацией с получением относительно чистого MoS.
2. Главный загрязнитель - углерод. MoS
2также возникает при термической обработке практически всех соединений молибдена сероводородом или элементарной серой и может быть получен реакциями метатезиса из пентахлорида молибдена . [8]

Структура и физические свойства [ править ]

Электронная микроскопия антиструктур (а, Mo замещает S) и вакансий (b, отсутствующие атомы S) в монослое дисульфида молибдена. Шкала шкалы: 1 нм. [9]

Кристаллические фазы [ править ]

Все формы MoS
2имеют слоистую структуру, в которой плоскость атомов молибдена зажата плоскостями сульфид-ионов. Эти три слоя образуют монослой MoS 2 . Объемный MoS 2 состоит из сложенных монослоев, которые удерживаются вместе за счет слабых ван-дер-ваальсовых взаимодействий.

Кристаллический MoS 2 встречается в природе как одна из двух фаз, 2H-MoS 2 и 3R-MoS 2 , где «H» и «R» обозначают гексагональную и ромбоэдрическую симметрию соответственно. В обеих этих структурах каждый атом молибдена находится в центре тригонально-призматической координационной сферы и ковалентно связан с шестью сульфид-ионами. Каждый атом серы имеет пирамидальную координацию и связан с тремя атомами молибдена. Обе фазы 2H и 3R являются полупроводниками. [10]

Третья, метастабильная кристаллическая фаза, известная как 1T-MoS 2, была открыта путем интеркалирования 2H-MoS 2 щелочными металлами. [11] Эта фаза имеет тетрагональную симметрию и является металлической. 1T-фаза может быть стабилизирована путем легирования электронными донорами, такими как рений [12], или преобразована обратно в 2H-фазу с помощью микроволнового излучения. [13]

Аллотропы [ править ]

Молекулы типа нанотрубок и бакибола , состоящие из MoS
2известны. [14]

Отслоившиеся хлопья MoS 2 [ править ]

В то время как объемный MoS 2 в 2H-фазе, как известно, является полупроводником с непрямой запрещенной зоной, монослой MoS 2 имеет прямую запрещенную зону. Оптоэлектронные свойства MoS 2 , зависящие от слоев , способствовали большим исследованиям двумерных устройств на основе MoS 2 . 2D MoS 2 может быть получен путем расслаивания объемных кристаллов с образованием однослойных или многослойных хлопьев либо с помощью сухого микромеханического процесса, либо путем обработки в растворе.

Микромеханическое отшелушивание, также прагматично называемое « скотч-скотч-отшелушивание », включает использование адгезивного материала для многократного отслаивания слоистого кристалла путем преодоления сил Ван-дер-Ваальса. Затем кристаллические хлопья можно переносить с клейкой пленки на подложку. Этот простой метод был впервые использован Новоселовым и Геймом для получения графена из кристаллов графита. Однако его нельзя использовать для однородных одномерных слоев из-за более слабой адгезии MoS 2 к подложке (Si, стеклу или кварцу). Вышеупомянутая схема годна только для графена. [15] Хотя скотч обычно используется в качестве клейкой ленты, штампы PDMS также могут удовлетворительно расщеплять MoS.2, если важно избегать загрязнения хлопьев остатками клея. [16]

Отшелушивание в жидкой фазе также можно использовать для получения монослойного или многослойного MoS 2 в растворе. Некоторые методы включают интеркаляцию лития [17] для отслоения слоев и обработку ультразвуком в растворителе с высоким поверхностным натяжением. [18] [19]

Механические свойства [ править ]

MoS 2 отлично подходит в качестве смазочного материала (см. Ниже) благодаря своей слоистой структуре и низкому коэффициенту трения . Межслойное скольжение рассеивает энергию при приложении к материалу напряжения сдвига. Была проведена обширная работа по определению коэффициента трения и прочности MoS 2 на сдвиг в различных атмосферах. [20] прочность на сдвиг Мос 2 увеличивается по мере увеличения коэффициента трения. Это свойство называется сверхсмазкой . В условиях окружающей среды коэффициент трения для MoS 2 был определен равным 0,150 с соответствующим расчетным пределом прочности на сдвиг 56,0 МПа. [20]Прямые методы измерения прочности на сдвиг показывают, что значение ближе к 25,3 МПа. [21]

Износостойкость MoS 2 в смазочных материалах может быть увеличена за счет легирования MoS 2 хромом. Эксперименты по микроиндентированию наностолбиков MoS 2, легированного Cr, показали, что предел текучести увеличился со среднего значения 821 МПа для чистого MoS 2 (0 ат.% Cr) до 1017 МПа для 50 ат.%. % Cr. [22] Увеличение предела текучести сопровождается изменением режима разрушения материала. В то время как наностолбик из чистого MoS 2 выходит из строя из-за механизма пластического изгиба, режимы хрупкого разрушения становятся очевидными по мере того, как материал нагружается увеличивающимся количеством примеси. [22]

Широко используемый метод микромеханического отслаивания был тщательно изучен в MoS 2, чтобы понять механизм отслаивания от нескольких слоев до многослойных хлопьев. Было обнаружено, что точный механизм расщепления зависит от слоя. Хлопья толщиной менее 5 слоев подвергаются однородному изгибу и волнистости, а хлопья толщиной около 10 слоев расслаиваются за счет межслойного скольжения. Чешуйки с более чем 20 слоями демонстрировали механизм перегиба при микромеханическом скалывании. Также было установлено, что расщепление этих чешуек является обратимым из-за природы ван-дер-ваальсовых связей. [23]

В последние годы MoS 2 использовался в гибких электронных приложениях, что способствовало дальнейшему изучению упругих свойств этого материала. Испытания на наноскопический изгиб с использованием наконечников кантилевера AFM были выполнены на микромеханически расслоенных хлопьях MoS 2, которые были нанесены на дырчатую подложку. [16] [24] Предел текучести однослойных чешуек составлял 270 ГПа, [24] в то время как более толстые чешуйки также были более жесткими с пределом текучести 330 ГПа. [16] Молекулярно-динамическое моделирование показало, что предел текучести в плоскости MoS 2 составляет 229 ГПа, что с точностью до ошибки совпадает с экспериментальными результатами. [25]

Бертолацци и соавторы также охарактеризовали режимы разрушения подвешенных монослойных хлопьев. Напряжение при разрушении колеблется от 6 до 11%. Средний предел текучести монослоя MoS 2 составляет 23 ГПа, что близко к теоретической прочности на разрушение для бездефектного MoS 2 . [24]

Ленточная структура MoS 2 чувствительна к деформации. [26] [27] [28]

Химические реакции [ править ]

Дисульфид молибдена устойчив на воздухе и подвергается воздействию только агрессивных реагентов . При нагревании реагирует с кислородом с образованием триоксида молибдена :

2 MoS
2+ 7 O
2→ 2 MoO
3+ 4 СО
2

Хлор атакует дисульфид молибдена при повышенных температурах с образованием пентахлорида молибдена :

2 MoS
2+ 7 Cl
2→ 2 MoCl
5+ 2 S
2Cl
2

Реакции интеркаляции [ править ]

Дисульфид молибдена является хозяином для образования интеркаляционных соединений . Такое поведение имеет отношение к его использованию в качестве катодного материала в батареях. [29] [30] Одним из примеров является литиированный материал Li
ИксMoS
2. [31] С бутиллитием продуктом является LiMoS.
2. [6]

Приложения [ править ]

Смазка [ править ]

Тюбик коммерческой графитовой порошковой смазки с добавкой дисульфида молибдена (так называемый «молибден») [32]

Из-за слабых ван-дер-ваальсовых взаимодействий между слоями атомов сульфидов MoS
2имеет низкий коэффициент трения . MoS
2с размером частиц в диапазоне 1–100 мкм - это обычная сухая смазка . [33] Существует несколько альтернатив, обеспечивающих высокую смазывающую способность и стабильность при температуре до 350 ° C в окислительной среде. Испытания на трение скольжения MoS
2использование штифта на дисковом тестере при малых нагрузках (0,1–2 Н) дает значения коэффициента трения <0,1. [34] [35]

MoS
2часто входит в состав смесей и композитов, требующих низкого трения. Например, его добавляют в графит для улучшения прилипания. [32] Используются различные масла и консистентные смазки , поскольку они сохраняют свою смазывающую способность даже в случаях почти полной потери масла, таким образом находя применение в критических областях, таких как авиационные двигатели . При добавлении в пластик , MoS
2образует композит с повышенной прочностью, а также с пониженным трением. Полимеры, которые могут быть наполнены MoS
2включают нейлон ( торговое название Nylatron ), тефлон и веспел . Самосмазывающиеся композитные покрытия для высокотемпературных применений состоят из дисульфида молибдена и нитрида титана с использованием химического осаждения из паровой фазы .

Примеры приложений MoS
2Смазочные материалы на основе включают двухтактные двигатели (например, двигатели мотоциклов), велосипедные горки , автомобильные CV и универсальные шарниры , лыжные смазки [36] и пули . [37]

Другие слоистые неорганические материалы, которые проявляют смазывающие свойства (все вместе известные как твердые смазочные материалы (или сухие смазочные материалы)), включают графит, для которого требуются летучие добавки, и гексагональный нитрид бора . [38]


Катализ [ править ]

Отпечаток пальца обнаружен дисульфидом молибдена

MoS
2используется в качестве сокатализатора обессеривания в нефтехимии , например, при гидрообессеривании . Эффективность MoS
2катализаторы усиливаются за счет легирования небольшими количествами кобальта или никеля . Однородная смесь этих сульфидов поддерживаются на окиси алюминия . Такие катализаторы генерируются in situ путем обработки оксида алюминия, пропитанного молибдатом / кобальтом или никелем, H
2S или аналогичный реагент. Катализ происходит не на регулярных пластинчатых участках кристаллитов, а на краях этих плоскостей. [39]

MoS 2 находит применение в качестве катализатора гидрирования в органическом синтезе . [40] Он получен из обычного переходного металла , а не из металла группы 10, как многие альтернативы, MoS 2 выбирается, когда цена катализатора или устойчивость к отравлению серой имеют первостепенное значение. MoS 2 эффективен для гидрирования нитросоединений в амины и может использоваться для получения вторичных аминов посредством восстановительного алкилирования . [41] Катализатор также может влиять на гидрогенолиз.из органических соединений серы , альдегиды , кетоны , фенолы и карбоновые кислоты в их соответствующих алканов . [40] Катализатор имеет довольно низкую активность, однако часто требует давления водорода выше 95 атм и температуры выше 185 ° C.

Исследование [ править ]

Выделение водорода [ править ]

MoS
2и родственные сульфиды молибдена являются эффективными катализаторами выделения водорода, включая электролиз воды ; [42] [43] таким образом, возможно, полезны для производства водорода для использования в топливных элементах . [44]

Микроэлектроника [ править ]

Как и в графене , слоистые структуры MoS
2дихалькогениды переходных металлов и других переходных металлов проявляют электронные и оптические свойства [45], которые могут отличаться от таковых в объеме. [46] Массовый MoS
2имеет непрямую запрещенную зону 1,2 эВ, [47] [48] ​​в то время как MoS2монослоев имеют прямую 1,8 эВ электронной запрещенной зоны , [49] , поддерживающих переключаемых транзисторов [50] и фотоприемники . [51] [46] [52]

MoS
2нанофлейки могут быть использованы для изготовления слоистых мемристивных и мем-емкостных устройств на основе растворов путем разработки MoO
Икс/ MoS
2гетероструктура, зажатая между серебряными электродами. [53] MoS
2мемристоры на основе механически гибкие, оптически прозрачные и недорогие в производстве.

Чувствительность биосенсора на графеновом полевом транзисторе (FET) принципиально ограничена нулевой шириной запрещенной зоны графена, что приводит к увеличению утечки и снижению чувствительности. В цифровой электронике транзисторы управляют протеканием тока через интегральную схему и обеспечивают усиление и переключение. При биочувствительности физические ворота удаляются, и связь между встроенными молекулами рецептора и заряженными биомолекулами-мишенями, которым они подвергаются, модулирует ток. [54]

MoS 2 исследовался как компонент гибких цепей. [55] [56]

В 2017 году 115-транзисторная, 1-битная реализация микропроцессора с использованием двумерного MoS
2. [57]

MoS 2 был использован для создания 2D 2-концевых мемристоров и 3-концевых мем - транзисторов . [58]

Фотоника и фотовольтаика [ править ]

MoS
2также обладает механической прочностью, электропроводностью и может излучать свет, открывая такие возможности, как фотодетекторы. [59] MoS
2был исследован как компонент фотоэлектрохимических (например, для фотокаталитического производства водорода) приложений и приложений микроэлектроники. [50]

Сверхпроводимость монослоев [ править ]

Под электрическим полем MoS
2монослои обладают сверхпроводимостью при температурах ниже 9,4 К. [60]

См. Также [ править ]

  • Диселенид молибдена

Ссылки [ править ]

  1. ^ a b c Хейнс, Уильям М., изд. (2011). CRC Справочник по химии и физике (92-е изд.). Бока-Ратон, Флорида: CRC Press . п. 4.76. ISBN 1439855110.
  2. ^ а б Кобаяши, К .; Ямаути, Дж. (1995). «Электронная структура и изображение поверхности дихалькогенида молибдена с помощью сканирующей туннельной микроскопии». Physical Review B . 51 (23): 17085–17095. Bibcode : 1995PhRvB..5117085K . DOI : 10.1103 / PhysRevB.51.17085 . PMID 9978722 . 
  3. ↑ Юн, Вон Сок; Хан, ЮЗ; Хонг, Сун Чхоль; Ким, Ин Джи; Ли, Джей Ди (2012). «Влияние толщины и деформации на электронные структуры дихалькогенидов переходных металлов: полупроводники 2H- MX 2 ( M = Mo, W; X = S, Se, Te)». Physical Review B . 85 (3): 033305. Bibcode : 2012PhRvB..85c3305Y . DOI : 10.1103 / PhysRevB.85.033305 .
  4. ^ "Дисульфид молибдена" . PubChem . Проверено 31 августа 2018 года .
  5. ^ Schönfeld, B .; Хуанг, JJ; Мосс, SC (1983). «Анизотропные среднеквадратичные смещения (МСД) в монокристаллах 2H- и 3R-MoS 2 » . Acta Crystallographica Раздел B . 39 (4): 404–407. DOI : 10.1107 / S0108768183002645 .
  6. ^ a b Себеник, Роджер Ф. и др . (2005) «Молибден и соединения молибдена», Энциклопедия химической технологии Ульмана . Wiley-VCH, Weinheim. DOI : 10.1002 / 14356007.a16_655
  7. ^ "Jordesite на Mindat.org" .
  8. ^ Мерфи, Дональд У .; Interrante, Леонард В .; Канер; Mansuktto (1995). Метатетический путь прекурсора к дисульфиду молибдена . Неорганические синтезы. 30 . С. 33–37. DOI : 10.1002 / 9780470132616.ch8 . ISBN 9780470132616.
  9. ^ Hong, J .; Hu, Z .; Проберт, М .; Ли, К .; Lv, D .; Ян, X .; Gu, L .; Mao, N .; Feng, Q .; Xie, L .; Zhang, J .; Wu, D .; Zhang, Z .; Jin, C .; Ji, W .; Чжан, X .; Yuan, J .; Чжан, З. (2015). «Исследование атомных дефектов в монослоях дисульфида молибдена» . Nature Communications . 6 : 6293. Bibcode : 2015NatCo ... 6.6293H . DOI : 10.1038 / ncomms7293 . PMC 4346634 . PMID 25695374 .  
  10. ^ Гмелин Справочник по неорганической и металлоорганических химии - 8 - е издание (на немецком языке ).
  11. ^ Wypych, Фернандо; Шёлльхорн, Роберт (1992-01-01). «1Т-MoS2 - новая металлическая модификация дисульфида молибдена» . Журнал химического общества, химические коммуникации . 0 (19): 1386–1388. DOI : 10,1039 / C39920001386 . ISSN 0022-4936 . 
  12. ^ Еняшин, Андрей Н .; Ядгаров, Лена; Хубен, Лотар; Попов, Игорь; Вайденбах, Марк; Тенне, Решеф; Бар-Садан, Майя; Зайферт, Готтард (22 декабря 2011 г.). «Новый путь стабилизации фаз 1T-WS2 и MoS2». Журнал физической химии C . 115 (50): 24586–24591. arXiv : 1110,3848 . DOI : 10.1021 / jp2076325 . ISSN 1932-7447 . 
  13. ^ Сюй, Даньюнь; Чжу, Юаньчжи; Лю, Цзяпэн; Ли, Ян; Пэн, Вэньчао; Чжан, Гуолян; Чжан, Фэнбао; Фан, Сяобинь (2016). «Обращение фазы из 1T в 2H с помощью микроволн для MoS 2 в растворе: быстрый путь к технологическим дисперсиям нанолистов и нанокомпозитов 2H-MoS 2». Нанотехнологии . 27 (38): 385604. Bibcode : 2016Nanot..27L5604X . DOI : 10.1088 / 0957-4484 / 27/38/385604 . ISSN 0957-4484 . PMID 27528593 .  
  14. ^ Tenne, R .; Редлих, М. (2010). «Недавний прогресс в исследовании неорганических фуллереноподобных наночастиц и неорганических нанотрубок». Обзоры химического общества . 39 (5): 1423–34. DOI : 10.1039 / B901466G . PMID 20419198 . 
  15. ^ Новоселов, К.С.; Гейм, АК; Морозов С.В.; Jiang, D .; Zhang, Y .; Дубонос, SV; Григорьева И.В. Фирсов, А.А. (2004-10-22). «Эффект электрического поля в атомно тонких углеродных пленках». Наука . 306 (5696): 666–669. arXiv : cond-mat / 0410550 . Bibcode : 2004Sci ... 306..666N . DOI : 10.1126 / science.1102896 . ISSN 0036-8075 . PMID 15499015 .  
  16. ^ a b c Кастелланос-Гомес, Андрес; Поот, Менно; Стил, Гэри А .; ван дер Зант, Herre SJ; Аграит, Николас; Рубио-Боллинджер, Габино (07.02.2012). «Упругие свойства свободно подвешенных нанолистов MoS2». Современные материалы . 24 (6): 772–775. arXiv : 1202,4439 . DOI : 10.1002 / adma.201103965 . ISSN 1521-4095 . PMID 22231284 .  
  17. ^ Ван, Цзяюй; Лейси, Стивен Д .; Дай, Цзяци; Бао, Вэньчжун; Фюрер, Майкл С .; Ху, Лянбин (05.12.2016). «Настройка двумерных наноматериалов путем интеркаляции: материалы, свойства и применения». Обзоры химического общества . 45 (24): 6742–6765. DOI : 10.1039 / C5CS00758E . ISSN 1460-4744 . PMID 27704060 .  
  18. ^ Коулман, Джонатан Н .; Лотя, Мустафа; О'Нил, Арлин; Бергин, Шейн Д .; Кинг, Пол Дж .; Хан, Умар; Янг, Карен; Гоше, Александр; Де, Суканта (04.02.2011). «Двумерные нанолисты, полученные жидким расслоением слоистых материалов». Наука . 331 (6017): 568–571. Bibcode : 2011Sci ... 331..568C . DOI : 10.1126 / science.1194975 . ЛВП : 2262/66458 . ISSN 0036-8075 . PMID 21292974 .  
  19. ^ Чжоу, Кай-Гэ; Мао, Нан-Нан; Ван, Ханг-Син; Пэн, Юн; Чжан, Хао-Ли (11.11.2011). «Стратегия смешанного растворителя для эффективного отшелушивания неорганических аналогов графена». Angewandte Chemie . 123 (46): 11031–11034. DOI : 10.1002 / ange.201105364 . ISSN 1521-3757 . 
  20. ^ а б Доннет, C .; Мартин, JM; Le Mogne, Th .; Белин, М. (1996-02-01). «Сверхнизкое трение покрытий MoS2 в различных средах». Tribology International . 29 (2): 123–128. DOI : 10.1016 / 0301-679X (95) 00094-K .
  21. ^ Овьедо, Хуан Пабло; KC, Сантош; Лу, Нин; Ван, Дзинго; Чо, Кёнджэ; Уоллес, Роберт М .; Ким, Мун Дж. (24 февраля 2015 г.). «In situ ПЭМ-характеристика проскальзывания межслоевого слоя, вызванного сдвиговым напряжением, в разрезе дисульфида молибдена». ACS Nano . 9 (2): 1543–1551. DOI : 10.1021 / nn506052d . ISSN 1936-0851 . PMID 25494557 .  
  22. ^ a b Тедстон, Александр А .; Льюис, Дэвид Дж .; Хао, Руи; Мао, Ши-Минь; Беллон, Паскаль; Авербак, Роберт С .; Уорренс, Кристофер П .; West, Kevin R .; Ховард, Филип (2015-09-23). "Механические свойства дисульфида молибдена и эффект легирования: исследование с помощью ПЭМ на месте" . Прикладные материалы и интерфейсы ACS . 7 (37): 20829–20834. DOI : 10.1021 / acsami.5b06055 . ISSN 1944-8244 . PMID 26322958 .  
  23. ^ Тан, Дай-Мин; Квашнин, Дмитрий Г .; Наджмаи, Сина; Бандо, Йошио; Кимото, Кодзи; Коскинен, Пекка; Ajayan, Pulickel M .; Якобсон, Борис I .; Сорокин, Павел Б. (2014-04-03). «Наномеханический раскол атомных слоев дисульфида молибдена» . Nature Communications . 5 : 3631. Bibcode : 2014NatCo ... 5.3631T . DOI : 10.1038 / ncomms4631 . PMID 24698887 . 
  24. ^ a b c Бертолацци, Симона; Бривио, Якопо; Кис, Андрас (2011). «Растяжение и разрыв ультратонкого MoS2» . ACS Nano . 5 (12): 9703–9709. DOI : 10.1021 / nn203879f . PMID 22087740 . 
  25. ^ Цзян, Цзинь-Ву; Парк, Гарольд С .; Рабчук, Тимон (12 августа 2013 г.). «Молекулярно-динамическое моделирование однослойного дисульфида молибдена (MoS2): параметризация Стиллингера-Вебера, механические свойства и теплопроводность». Журнал прикладной физики . 114 (6): 064307–064307–10. arXiv : 1307,7072 . Bibcode : 2013JAP ... 114f4307J . DOI : 10.1063 / 1.4818414 . ISSN 0021-8979 . 
  26. ^ Ли, H .; Wu, J .; Инь, З .; Чжан, Х. (2014). «Подготовка и применение механически расслоенных однослойных и многослойных нанолистов MoS 2 и WSe 2 ». Соотв. Chem. Res . 47 (4): 1067–75. DOI : 10.1021 / ar4002312 . PMID 24697842 . 
  27. ^ Аморим, B .; Cortijo, A .; De Juan, F .; Грушин, АГ; Гвинея, Ф .; Gutiérrez-Rubio, A .; Ochoa, H .; Parente, V .; Roldán, R .; San-Jose, P .; Schiefele, J .; Стурла, М .; Возмедиано, МАХ (2016). «Новые эффекты деформаций в графене и других двумерных материалах». Отчеты по физике . 1503 : 1–54. arXiv : 1503.00747 . Bibcode : 2016PhR ... 617 .... 1A . DOI : 10.1016 / j.physrep.2015.12.006 .
  28. ^ Чжан, X .; Lai, Z .; Tan, C .; Чжан, Х. (2016). «Обработанные решения двумерные нанолисты MoS 2 : подготовка, гибридизация и приложения». Энгью. Chem. Int. Эд . 55 (31): 8816–8838. DOI : 10.1002 / anie.201509933 . PMID 27329783 . 
  29. ^ Стивенсон, Т .; Ли, З .; Olsen, B .; Митлин, Д. (2014). «Применение в литий-ионных батареях нанокомпозитов дисульфида молибдена (MoS 2 )». Energy Environ. Sci . 7 : 209–31. DOI : 10.1039 / C3EE42591F .
  30. ^ Benavente, E .; Санта-Ана, Массачусетс; Mendizabal, F .; Гонсалес, Г. (2002). «Химия интеркаляции дисульфида молибдена». Координационные обзоры химии . 224 (1–2): 87–109. DOI : 10.1016 / S0010-8545 (01) 00392-7 . ЛВП : 10533/173130 .
  31. ^ Müller-Warmuth, W. & Schöllhorn, R. (1994). Прогресс в исследованиях интеркаляции . Springer. ISBN 978-0-7923-2357-0.
  32. ^ a b Высокоэффективный сухой порошковый графит с субмикронным дисульфидом молибдена . pinewoodpro.com
  33. ^ Клаус, Флорида (1972), «Твердые смазочные материалы и самосмазывающиеся твердые вещества », Нью-Йорк: Academic Press , Bibcode : 1972slsl.book ..... C
  34. ^ Мисслер, Гэри Л .; Тарр, Дональд Артур (2004). Неорганическая химия . Pearson Education. ISBN 978-0-13-035471-6.
  35. ^ Шрайвер, Дувард; Аткинс, Питер; Овертон, Т.Л .; Рурк, JP; Веллер, М.Т .; Армстронг, ФА (17 февраля 2006 г.). Неорганическая химия . WH Freeman. ISBN 978-0-7167-4878-6.
  36. ^ «О сухих смазках в лыжах» (PDF) . Swix Sport AX. Архивировано из оригинального (PDF) 16 июля 2011 года . Проверено 6 января 2011 .
  37. ^ «Стволы дольше сохраняют точность с Diamond Line» . Норма . Проверено 6 июня 2009 .
  38. ^ Бартельс, Торстен; и другие. (2002). «Смазочные материалы и смазка». Энциклопедия промышленной химии Ульмана . Weinheim: Wiley VCH. DOI : 10.1002 / 14356007.a15_423 . ISBN 978-3527306732.
  39. ^ Topsøe, H .; Clausen, BS; Massoth, FE (1996). Катализ гидроочистки, наука и технологии . Берлин: Springer-Verlag.
  40. ^ a b Нисимура, Шигео (2001). Справочник по гетерогенному каталитическому гидрированию для органического синтеза (1-е изд.). Нью-Йорк: Wiley-Interscience. С. 43–44 и 240–241. ISBN 9780471396987.
  41. ^ Довелл, Фредерик С .; Гринфилд, Гарольд (1964). «Сульфиды неблагородных металлов как катализаторы восстановительного алкилирования». Журнал органической химии . 29 (5): 1265–1267. DOI : 10.1021 / jo01028a511 .
  42. ^ Кибсгаард, Якоб; Харамилло, Томас Ф .; Безенбахер, Флемминг (2014). «Создание соответствующего мотива активного центра в катализаторе выделения водорода с кластерами тиомолибдата [Mo 3 S 13 ] 2- » . Химия природы . 6 (3): 248–253. Bibcode : 2014NatCh ... 6..248K . DOI : 10.1038 / nchem.1853 . PMID 24557141 . 
  43. ^ Лаурсен, AB; Kegnaes, S .; Dahl, S .; Чоркендорф, И. (2012). «Сульфиды молибдена - эффективные и жизнеспособные материалы для электро- и фотоэлектрокаталитического выделения водорода». Energy Environ. Sci . 5 (2): 5577–91. DOI : 10.1039 / c2ee02618j .
  44. ^ «Превосходный водородный катализатор просто так растет» (пресс-релиз) . share-ng.sandia.gov . Sandia Labs . Проверено 5 декабря 2017 года . процесс печати распылением, в котором для создания «цветущего» водородного катализатора используется дисульфид молибдена, который намного дешевле, чем платина, и достаточно близок по эффективности.
  45. ^ Ван, QH; Калантар-Заде, К .; Кис, А .; Coleman, JN; Страна, MS (2012). «Электроника и оптоэлектроника двумерных дихалькогенидов переходных металлов» . Природа Нанотехнологии . 7 (11): 699–712. Bibcode : 2012NatNa ... 7..699W . DOI : 10.1038 / nnano.2012.193 . PMID 23132225 . 
  46. ^ a b Ganatra, R .; Чжан, К. (2014). «Мало-слойный MoS 2 : многообещающий слоистый полупроводник». ACS Nano . 8 (5): 4074–99. DOI : 10.1021 / nn405938z . PMID 24660756 . 
  47. ^ Чжу, Вэньцзюань; Низкий, Тони; Ли, И-Сянь; Ван, Хан; Фермер, Дэймон Б.; Конг, Цзин; Ся, фэнниан; Авурис, Федон (2014). «Электронный транспорт и перспективы устройства монослойного дисульфида молибдена, выращенного методом химического осаждения из газовой фазы». Nature Communications . 5 : 3087. arXiv : 1401.4951 . Bibcode : 2014NatCo ... 5.3087Z . DOI : 10.1038 / ncomms4087 . PMID 24435154 . 
  48. ^ Хун, Цзиньхуа; Ху, Чжисинь; Проберт, Мэтт; Ли, Кун; Lv, Danhui; Ян, Синань; Гу, Линь; Мао, Наньнань; Фэн, Цинлян; Се, Лиминг; Чжан, Цзинь; Ву, Дяньчжун; Чжан, Чжиюн; Цзинь, Чуаньхун; Цзи, Вэй; Чжан, Сисян; Юань, июнь; Чжан, Цзэ (2015). «Исследование атомных дефектов в монослоях дисульфида молибдена» . Nature Communications . 6 : 6293. Bibcode : 2015NatCo ... 6.6293H . DOI : 10.1038 / ncomms7293 . PMC 4346634 . PMID 25695374 .  
  49. ^ Splendiani, A .; Вс, л .; Zhang, Y .; Li, T .; Kim, J .; Chim, J .; F .; Ван, Фэн (2010). «Возникающая фотолюминесценция в монослое MoS 2 ». Нано-буквы . 10 (4): 1271–1275. Bibcode : 2010NanoL..10.1271S . DOI : 10.1021 / nl903868w . PMID 20229981 . 
  50. ^ a b Radisavljevic, B .; Раденович, А .; Brivio, J .; Giacometti, V .; Кис, А. (2011). «Однослойные транзисторы MoS 2 » . Природа Нанотехнологии . 6 (3): 147–150. Полномочный код : 2011NatNa ... 6..147R . DOI : 10.1038 / nnano.2010.279 . PMID 21278752 . 
  51. ^ Лопес-Санчес, О .; Lembke, D .; Kayci, M .; Раденович, А .; Кис, А. (2013). «Сверхчувствительные фотоприемники на основе монослоя MoS 2 » . Природа Нанотехнологии . 8 (7): 497–501. Bibcode : 2013NatNa ... 8..497L . DOI : 10.1038 / nnano.2013.100 . PMID 23748194 . 
  52. ^ Рао, CNR; Рамакришна Матте, HSS; Майтра, У. (2013). «Графеновые аналоги слоистых неорганических материалов». Энгью. Chem. (Международное изд.). 52 (50): 13162–85. DOI : 10.1002 / anie.201301548 . PMID 24127325 . 
  53. ^ Бессонов, АА; Кирикова, М.Н. Петухов Д.И. Allen, M .; Ryhänen, T .; Бейли, MJA (2014). «Многослойные мемристивные и емкостные переключатели для печатной электроники». Материалы природы . 14 (2): 199–204. Bibcode : 2015NatMa..14..199B . DOI : 10.1038 / nmat4135 . PMID 25384168 . 
  54. ^ «Сверхчувствительный биосенсор из полупроводника молибденита затмевает графен» . Журнал R&D . 4 сентября 2014 г.
  55. ^ Акинванде, Деджи; Петроне, Николай; Хон, Джеймс (2014-12-17). «Двумерная гибкая наноэлектроника» . Nature Communications . 5 : 5678. Bibcode : 2014NatCo ... 5.5678A . DOI : 10.1038 / ncomms6678 . PMID 25517105 . 
  56. ^ Чанг, Сяо-Ю; Йогиш, Марути Нагавалли; Гош, Рудреш; Рай, Амритеш; Санне, Атреш; Ян, Шисюань; Лу, Наньшу; Банерджи, Санджай Кумар; Акинванде, Деджи (01.12.2015). "Однослойный MoS 2 большой площади для гибкой маломощной РЧ наноэлектроники в режиме ГГц". Современные материалы . 28 (9): 1818–1823. DOI : 10.1002 / adma.201504309 . PMID 26707841 . 
  57. ^ Вахтер, Стефан; Полюшкин, Дмитрий К .; Бетге, Оле; Мюллер, Томас (2017-04-11). «Микропроцессор на основе двумерного полупроводника» . Nature Communications . 8 : 14948. arXiv : 1612.00965 . Bibcode : 2017NatCo ... 814948W . DOI : 10.1038 / ncomms14948 . ISSN 2041-1723 . PMC 5394242 . PMID 28398336 .   
  58. ^ "Мемтранзисторы продвигают нейроморфные вычисления | NextBigFuture.com" . NextBigFuture.com . 2018-02-24 . Проверено 27 февраля 2018 .
  59. ^ Coxworth, Бен (25 сентября 2014). «Альтернатива графену на основе металла« сияет »обещанием» . Гизмаг . Проверено 30 сентября 2014 года .
  60. ^ Индуцированная электрическим полем сверхпроводимость при 9,4 К в слоистом дисульфиде переходного металла MoS2 2012